日本爾必達公司近日宣布，針對下一代移動設備如智能手機和平板電腦的LPDDR3內(nèi)存顆粒開發(fā)完成，預計年底開始試產(chǎn)，2012年下半年開始量產(chǎn)。目前市面上的所今ARM架構SoC處理器以及新鮮亮相的NVIDIA Tegra 3，高通Snapdragon S4集成的內(nèi)存控制器均為LPDDR2。爾必達這一產(chǎn)品瞄準的應該是ARM Cortex-A15架構SoC上市后的廣大市場空間，以及有可能加入戰(zhàn)局的Intel Medfield核心SoC。

　　爾必達新鮮研發(fā)的LPDDR3內(nèi)存顆粒采用30nm CMOS制程，F(xiàn)BGA封裝，顆粒帶寬32bit。速度方面最高可達1600Mbps(等效DDR3-1600)，內(nèi)存帶寬可達6.4GB/s。

　　功耗方面，新的LPDDR3內(nèi)存顆粒運行電壓1.2V，相比上代LPDDR2功耗可減少約25%。此外，還可采用PoP(Package on Package)堆疊式封裝制造8Gbit或16Gbit的顆粒。