據(jù)國外媒體報道，周三，韓國政府宣布，已經批準三星電子在中國建設一座閃存芯片工廠。這家工廠計劃投資40億美元，是三星在海外的第二座芯片工廠。工廠將使用20納米或以下半導體生產工藝，大規(guī)模的量產將會在在2013年啟動，該工廠每月處理的晶圓個數(shù)將達到十萬個。據(jù)報道，三星電子目前尚未確定工廠的選址。

　　根據(jù)韓國政府規(guī)定，本國企業(yè)要在海外設立高科技生產基地，必須向政府提交申請，以避免高端技術的外泄。韓國知識和經濟部官員周三表示，三星電子將會成立一個委員會，專門防止中國工廠閃存芯片技術被泄露。

　　三星是全世界最大的NAND閃存芯片制造商，占據(jù)了全球四成的市場份額。其競爭對手主要包括日本東芝、韓國海力士半導體，以及美國美光科技公司。

　　根據(jù)IT研究機構Gartner公司的報告，今年，中國的NAND閃存消耗量將占到全球一半，金額達到290億美元，到2015年，中國的消耗份額還將攀升到55%。

　　隨著華為科技、中興通訊等中國企業(yè)逐漸提升在全球智能手機、平板電腦領域的市場份額，中國廠商對于NAND閃存的需求也出現(xiàn)了快速增長。