或門(mén)輸出被鎖存、倒相并送至開(kāi)啟延遲計(jì)數(shù)器的UP/DOWN輸入端，該信號(hào)告訴計(jì)數(shù)器向上記數(shù)或向下記數(shù)。如果或門(mén)輸出為高電平，則記數(shù)器向下記數(shù)，減少延遲時(shí)間。而或門(mén)為低電平輸出時(shí)，計(jì)數(shù)器向上記數(shù)，則增加延遲時(shí)間。計(jì)數(shù)器并有效地保持該延遲信息給下一個(gè)工作周期。反饋環(huán)會(huì)調(diào)節(jié)開(kāi)啟延遲使之縮短，直到或門(mén)沒(méi)有更長(zhǎng)的輸出脈沖，當(dāng)計(jì)數(shù)器工作在恒定負(fù)載和線路電壓時(shí)，對(duì)下一個(gè)周期的開(kāi)啟延遲將稍微有些加長(zhǎng)，或門(mén)將給出高輸出脈沖，延遲將會(huì)縮短，在這種方式中，電路會(huì)在兩個(gè)延遲時(shí)間之間抖動(dòng)，一個(gè)長(zhǎng)一些，另一個(gè)就會(huì)接近最佳狀態(tài)。

　　關(guān)斷控制器工作在與開(kāi)啟控制器非常相似的管理方式。不同之處在于電壓檢測(cè)電路及計(jì)數(shù)器的記數(shù)方向。當(dāng)體二極管導(dǎo)通時(shí)，用一高速比較器檢測(cè)。為了更加精確，一個(gè)比較器用于檢測(cè)體二極管導(dǎo)通，去替代或門(mén)，在開(kāi)啟的期間，電流正從整流MOSFET向回流MOSFET換向，電流的DI/DT非常高，VR的源漏電壓上通常可看到其震鈴。如果用一個(gè)比較器檢測(cè)體二極管在VR導(dǎo)通期間的體二極管狀態(tài)，由于源漏電壓的振鈴，可能會(huì)出現(xiàn)誤觸發(fā)。在VR關(guān)斷期間，通過(guò)VR MOSFET器件的電流是恒定的。該電流或者通過(guò)其通道或者通過(guò)其體二極管。在關(guān)斷時(shí)，僅有非常小的振鈴，比較器用來(lái)改善精度，比較器的閾值必須比先前的MOSFET通道導(dǎo)通時(shí)的誤觸發(fā)值更負(fù)向一點(diǎn)。

　　在通道導(dǎo)通期間，源漏電壓大約等于I LOAD*.RDS(ON)，并規(guī)定了噪聲。比較器閾值設(shè)置在大約-300mV。比較器比較VR的源漏電壓與此設(shè)置閾值，從比較器出來(lái)的高電平指示給控制器，系體二極管在導(dǎo)通，延遲時(shí)間需要增加，這與開(kāi)啟局面精確對(duì)應(yīng)。因?yàn)殛P(guān)斷延遲記數(shù)設(shè)置在起始時(shí)全部為0。圖4(a)和(b)示出VR關(guān)斷波形及比較器的輸出。

　　圖4 VR的關(guān)斷波形

　　(a)非最佳延遲( b)最佳延遲

　　圖4(a)示出當(dāng)延遲設(shè)置太短時(shí)電路的工作狀態(tài)。圖4(b)示出最佳延遲狀態(tài)。由于在VR導(dǎo)通中，關(guān)斷延遲在某一值處處于抖動(dòng)狀態(tài)，這就是太長(zhǎng)以及最佳值的兩個(gè)狀態(tài)。

　　問(wèn)題出現(xiàn)：開(kāi)啟延遲及關(guān)斷延遲可否設(shè)置的短些，這是否會(huì)造成交叉導(dǎo)通，問(wèn)題在于仔細(xì)地研究比較器的特性，及延遲線的每個(gè)元件的延遲，比較器僅能響應(yīng)差分輸入電壓，此電壓僅在轉(zhuǎn)換間隔結(jié)點(diǎn)上有足夠的時(shí)間總量才會(huì)存在。假定比較器可以檢測(cè)出體二極管導(dǎo)通用5ns時(shí)間。在下一個(gè)周期內(nèi)，延遲即可調(diào)節(jié)，用延遲線上一位數(shù)碼去減少體二極管的導(dǎo)通。當(dāng)然，比較器也不會(huì)去響應(yīng)下一個(gè)周期體二極管的導(dǎo)通，因?yàn)樗谘舆t線的每個(gè)元件上大約減少5ns的延遲時(shí)間。關(guān)鍵防止交叉導(dǎo)通的措施是設(shè)置的每個(gè)元件的延遲要比比較器可檢測(cè)的最小脈寬要少。

　　B、 控制驅(qū)動(dòng)QF的執(zhí)行

　　正向整流的QF的控制和回流元件VR很不一樣。一個(gè)主要的區(qū)別是：其目標(biāo)是在變壓器復(fù)位后即將QF開(kāi)啟，它獨(dú)立于PWM控制信號(hào)的上升沿和下降沿，它不同于回流的MOSFET。此處，目標(biāo)只不過(guò)是調(diào)節(jié)PWM控制器信號(hào)的上升沿及下降沿的時(shí)間，以減少VR體二極管的導(dǎo)通時(shí)間，并使之最小化。

　　了解該目標(biāo)是在變壓器復(fù)位后要將QF導(dǎo)通，一個(gè)好的起始點(diǎn)就是圖5所示出的使QF導(dǎo)通所需的電路。

　　圖5 VR的控制電路