特別報(bào)道
十年磨一劍：三星引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)專(zhuān)利技術(shù)
近日，三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專(zhuān)利許可協(xié)議。不過(guò)，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專(zhuān)利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專(zhuān)利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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