據(jù)中國臺灣《經濟日報》報道，中國臺灣計劃加強對先進制程技術出口以及對外半導體投資的管控，相關新規(guī)預計將對臺積電等企業(yè)產生重大影響。

此次修訂的規(guī)則基于修訂后的《產業(yè)創(chuàng)新法》第 22 條，預計將于 2025 年底生效，不過經濟部表示，該法的實施日期將在各子法規(guī)修訂后（六個月內）公布，這意味著最早可能在 2025 年底開始實施。

新的法律措施將強制執(zhí)行「N - 1」技術限制，實質上禁止臺積電出口其最新生產節(jié)點，并對違規(guī)行為處以罰款。行政院長趙榮泰確認的「N - 1」政策將適用于臺積電在美國的計劃生產，該政策限制了最先進工藝技術的出口，僅允許將比其早一代的技術部署到國外。

此前，中國臺灣法規(guī)并未明確要求對半導體制造工藝進行此類管控。此次修訂還引入了此前未曾出現(xiàn)的處罰措施：未經事先批準在海外投資的公司可能面臨 5 萬至 100 萬新臺幣（約合 30,830 美元）的罰款；如果投資已獲批準，但公司隨后未能糾正已發(fā)現(xiàn)的違規(guī)行為（例如危害國家安全或損害經濟發(fā)展），當局可處以 50 萬至 1000 萬新臺幣（約合 15,414 美元）的重復罰款。不過，鑒于臺積電計劃在其美國工廠投資 1650 億美元，30 萬美元的罰款幾乎不會影響公司的盈利。

此外，經中國臺灣「立法機構」三讀通過的修訂法賦予中國臺灣當局拒絕或取消海外投資的權力。如果這些投資被發(fā)現(xiàn)危害中國臺灣安全、損害中國臺灣經濟發(fā)展、違反條約義務或導致未解決的重大勞資糾紛，根據(jù)新法律，這六個條件得以保留，但現(xiàn)在得到了更高級別的立法支持。修訂后的第 22 條還包括部分或全部拒絕投資或在批準時附加條件的可能性。如果公司獲得批準但后來觸發(fā)任何這些風險，中央主管部門有權要求采取糾正措施，如果問題嚴重，則完全撤銷該投資。新法律將現(xiàn)有的投資限制從子法規(guī)上升為正式立法，并增加了不遵守規(guī)定的法律后果。

臺積電最先進的制程技術存在相關情況。目前，臺積電擁有一個尖端節(jié)點：N3P 制造技術。但到今年年底，它將開始采用 N2 制程生產芯片，而 N2 制程將成為其旗艦技術。然而，從 2026 年底開始，臺積電預計將擁有兩個旗艦節(jié)點：面向不需要高級供電的客戶端應用的 N2P，以及面向高功耗 HPC 應用、采用 Super Power Rail 背面供電技術的 A16。

目前尚不清楚哪種制程技術會被中國臺灣視為「旗艦」技術，從而受到出口限制；或者，當臺積電推出 N2P 和 A16 的后續(xù)產品——A14 和 A16P 節(jié)點時，政府是否會在一年內禁止這兩個節(jié)點的出口。

該法規(guī)的推出正值地緣政治風險不斷上升之際，此前臺積電宣布計劃將其在美國產能的投資從四年內的 650 億美元增加到 1650 億美元（具體時間未披露）。

早在去年，中國臺灣省經濟部長郭智輝就曾在臺北舉行的立法機構經濟委員會會議上公開表示，中國臺灣的科技保護規(guī)則使得臺積電目前無法在海外生產 2nm 芯片，因此該公司必須將其最前沿的技術留在中國臺灣。

臺積電目前正在積極推進 N2（2nm）制程的制造，納米片器件性能接近目標，256Mb SRAM 的平均良率>90%，目前已經收到了多個 TO，有望于今年下半年量產。此外，臺積電還在研發(fā) N2P 和 N2X 制程。

與 N3E 相比，N2P 在相同功耗下，性能可提升 18%，在相同性能下，功耗可降低 36%，密度將提高 1.2 倍。臺積電預計，N2P 有望在 2026 年下半年投入生產。而 N2X 則將在 2027 年量產。

近日，臺積電還披露了其 A14（1.4 納米級）制造技術，并承諾該技術將在性能、功耗和晶體管密度方面，相較于其 N2（2 納米）工藝帶來顯著提升。

據(jù)悉，這一新節(jié)點將采用其第二代環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管，并借助 NanoFlex Pro 技術提供更高的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進入大規(guī)模生產階段，但屆時不具備背面供電功能。帶有背面供電功能的 A14 版本計劃于 2029 年推出。

臺積電業(yè)務發(fā)展與全球銷售高級副總裁兼副首席運營官張曉強（Kevin Zhang）表示：「A14 是我們的全節(jié)點下一代先進硅技術。如果從速度方面來看，（與 N2 相比）性能提升高達 15%，功耗降低 30%，邏輯密度是整體芯片密度的 1.23 倍，對于混合設計而言至少是 1.2 倍。所以，這是一項非常非常重要的技術。」