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臺(tái)積電
臺(tái)積電 文章 進(jìn)入臺(tái)積電技術(shù)社區(qū)
臺(tái)積電在美建第三座晶圓廠，擴(kuò)大本地制造布局
- 據(jù)彭博報(bào)道，臺(tái)積電已開始在亞利桑那州建造第三座晶圓廠，標(biāo)志著其在美國(guó)擴(kuò)張的第三階段。這一進(jìn)展正值美國(guó)前總統(tǒng)特朗普政府威脅進(jìn)一步加征關(guān)稅以推動(dòng)本土制造業(yè)之際。4月29日，特朗普在美國(guó)密歇根州慶祝總統(tǒng)就職100天時(shí)，臺(tái)積電的擴(kuò)張計(jì)劃備受關(guān)注。同日，美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)Howard Lutnick訪問(wèn)了臺(tái)積電的工廠。彭博指出，臺(tái)積電已成為美國(guó)政府吸引制造業(yè)回流的關(guān)鍵角色。Lutnick此前曾暗示，可能會(huì)暫緩發(fā)放《芯片與科學(xué)法案》承諾的補(bǔ)貼，并敦促可能獲得聯(lián)邦半導(dǎo)體補(bǔ)貼的公司擴(kuò)大在美投資計(jì)劃。今年3月初，特朗普與臺(tái)積電C
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臺(tái)積電擬限制出口最先進(jìn)工藝技術(shù)
- 新的法律措施將強(qiáng)制執(zhí)行「N - 1」技術(shù)限制，實(shí)質(zhì)上禁止臺(tái)積電出口其最新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，并對(duì)違規(guī)行為處以罰款。
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臺(tái)積電避免使用高NA EUV光刻技術(shù)
- 根據(jù)臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)的報(bào)告，代工臺(tái)積電不需要使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會(huì)上介紹了 A14 工藝，稱預(yù)計(jì)將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說(shuō)過(guò)，A16 工藝將于 2026 年底出現(xiàn)，也不需要高 NA EUVL 工具。“從 2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續(xù)保持類似的復(fù)雜性，”據(jù)報(bào)道，業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會(huì)上說(shuō)。這與英特爾形成鮮明對(duì)比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實(shí)施一項(xiàng)計(jì)
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臺(tái)積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好
- 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺(tái)積電沒(méi)有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)。臺(tái)積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個(gè)季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來(lái)，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時(shí)顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開始就低得多了，
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臺(tái)積電高歌猛進(jìn)，二線廠商業(yè)績(jī)承壓
- 作為全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的龍頭，2024年臺(tái)積電全年合并營(yíng)收達(dá)900億美元，同比增長(zhǎng)30%；稅后凈利達(dá)365億美元，同比大幅增長(zhǎng)35.9%。毛利率達(dá)到56.1%，營(yíng)業(yè)利益率達(dá)45.7%，皆創(chuàng)歷史新高。2025年首季，臺(tái)積電的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。據(jù)晶圓代工業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電首季毛利率達(dá)58.8%，且預(yù)計(jì)第二季毛利率有望介于57%-59%的高位區(qū)間；美元營(yíng)收有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)13%、同比增長(zhǎng)近40%。與之形成鮮明對(duì)比的是，二線代工廠首季營(yíng)運(yùn)并未出現(xiàn)明顯回暖跡象。具體來(lái)看，聯(lián)電2025年首季合并營(yíng)收為新臺(tái)幣578
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臺(tái)積電2nm N2工藝節(jié)點(diǎn)今年投產(chǎn) A16和N2P明年上市
- 臺(tái)積電在其 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上透露，該公司有望在今年下半年開始大批量生產(chǎn) N2（2nm 級(jí)）芯片，這是其首個(gè)依賴于全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管的生產(chǎn)技術(shù)。這個(gè)新節(jié)點(diǎn)將支持明年推出的眾多產(chǎn)品，包括 AMD 用于數(shù)據(jù)中心的下一代 EPYC“Venice”CPU，以及各種面向客戶端的處理器，例如用于智能手機(jī)、平板電腦和個(gè)人電腦的 Apple 2025 芯片。得益于 GAAFET 和增強(qiáng)的功率傳輸，新的 2nm 節(jié)點(diǎn)將在更高的性能和晶體管密度中實(shí)現(xiàn)切實(shí)的節(jié)能。此外，后續(xù)工藝技術(shù) A16
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臺(tái)積電考慮推出大規(guī)模 1000W 級(jí)多芯片處理器，其性能是標(biāo)準(zhǔn)型號(hào)的 40 倍
- 您可能經(jīng)常認(rèn)為處理器相對(duì)較小，但 TSMC 正在開發(fā)其 CoWoS 技術(shù)的一個(gè)版本，使其合作伙伴能夠構(gòu)建 9.5 個(gè)標(biāo)線大小 （7,885 mm^2） 的多小芯片組件，并將依賴于 120×150 mm 的基板 （18,000 mm^2），這比 CD 盒的尺寸略大。臺(tái)積電聲稱這些龐然大物可以提供高達(dá)標(biāo)準(zhǔn)處理器 40 倍的性能。幾乎所有現(xiàn)代高性能數(shù)據(jù)中心級(jí)處理器都使用多芯片設(shè)計(jì)，隨著性能需求的提高，開發(fā)人員希望將更多的芯片集成到他們的產(chǎn)品中。為了滿足需求，臺(tái)積電正在增強(qiáng)其封裝能力，以支持用于高性能計(jì)算和 AI
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臺(tái)積電24座新廠痛點(diǎn)在人力 英特爾重整后人才流向受關(guān)注
- 臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家日前于法說(shuō)會(huì)上進(jìn)一步說(shuō)明擴(kuò)產(chǎn)藍(lán)圖，目前在美國(guó)共計(jì)投資1,650億美元，建置6座晶圓廠、2座先進(jìn)封裝廠，及1座千人研發(fā)中心，而臺(tái)灣正在興建與計(jì)劃中的產(chǎn)線，則有11座晶圓廠與4座先進(jìn)封裝廠。半導(dǎo)體供應(yīng)鏈表示，臺(tái)積電的臺(tái)美據(jù)點(diǎn)共有22座廠在興建中或計(jì)劃建置，還有2024年8月動(dòng)土的德國(guó)廠與日本熊本二廠，盡管臺(tái)積電能以獨(dú)家先進(jìn)制程技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)勢(shì)調(diào)漲海外廠區(qū)代工報(bào)價(jià)以轉(zhuǎn)嫁成本、維持毛利率，但「人力缺口」相當(dāng)棘手，臺(tái)灣能調(diào)動(dòng)的團(tuán)隊(duì)幾乎已全員出動(dòng)。甚至連大學(xué)應(yīng)屆或?qū)嵙?xí)生也已高薪招聘赴海外工作，在
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臺(tái)積電3nm更新：N3P量產(chǎn)，N3X步入正軌
- 臺(tái)積電在其 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上透露，該公司按計(jì)劃于 2024 年第四季度開始采用其性能增強(qiáng)型 N3P（第 3 代 3nm 級(jí)）工藝技術(shù)生產(chǎn)芯片。N3P 是 N3E 的后續(xù)產(chǎn)品，面向需要增強(qiáng)性能同時(shí)保留 3nm 級(jí) IP 的客戶端和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序。該技術(shù)將在今年下半年由 N3X 接替。TSMC 的 N3P 是 N3E 的光學(xué)縮小版，它保留了設(shè)計(jì)規(guī)則和 IP 兼容性，同時(shí)在相同漏電流下提供 5% 的性能提升，或在相同頻率下提供 5% –
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臺(tái)積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)2028年推出
- 臺(tái)積電公布了其 A14（1.4 納米級(jí)）制造技術(shù)，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢(shì)。在周三舉行的 2025 年北美技術(shù)研討會(huì)上，該公司透露，新節(jié)點(diǎn)將依賴其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過(guò) NanoFlex Pro 技術(shù)提供進(jìn)一步的靈活性。臺(tái)積電預(yù)計(jì) A14 將于 2028 年進(jìn)入量產(chǎn)，但沒(méi)有背面供電。計(jì)劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本?！癆14 是我們的全節(jié)點(diǎn)下一代先進(jìn)芯片技術(shù)，”臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和全球銷售高級(jí)副總
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英特爾18A工藝雄心遇挫？旗艦2納米芯片據(jù)稱將外包給臺(tái)積電生產(chǎn)
- 財(cái)聯(lián)社4月23日訊（編輯 馬蘭）據(jù)媒體報(bào)道，英特爾正委托臺(tái)積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU。考慮到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過(guò)臺(tái)積電的2納米技術(shù)，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號(hào)。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產(chǎn)品，而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺(tái)積電的一個(gè)原因。但業(yè)內(nèi)也懷疑，既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn)，英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅(qū)動(dòng)，而不是性能或回報(bào)等方面的問(wèn)題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略：既使用臺(tái)積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品，
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Intel下單臺(tái)積電2nm！用于下代PC處理器
- 4月22日消息，據(jù)媒體報(bào)道，Intel已加入臺(tái)積電2nm制程的首批客戶行列，計(jì)劃用于生產(chǎn)下一代PC處理器，目前相關(guān)準(zhǔn)備工作正在臺(tái)積電新竹廠區(qū)緊鑼密鼓地進(jìn)行，以確保后續(xù)良率的調(diào)整。臺(tái)積電計(jì)劃在下半年量產(chǎn)2nm制程，近期相關(guān)客戶陸續(xù)浮出水面，此前，AMD已宣布下單臺(tái)積電2nm制程。報(bào)道稱，Intel和臺(tái)積電目前在2nm制程上僅合作一款產(chǎn)品，可能是Intel明年要推出的PC處理器Nova Lake中的運(yùn)算芯片。對(duì)于Intel加入的消息，臺(tái)積電表示不評(píng)論市場(chǎng)傳聞，也不評(píng)論特定客戶業(yè)務(wù)，Intel方面也未對(duì)相關(guān)消息
- 關(guān)鍵字： Intel 2nm 臺(tái)積電
中美芯片制造成本差鴻溝：臺(tái)積電南京廠大賺美國(guó)廠巨虧
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電近日公布2024年報(bào)，揭露今年先進(jìn)制程營(yíng)收占比上看80%，同時(shí)更可以看到臺(tái)積電旗下海外布局的損益狀況，其中美國(guó)亞利桑那州新廠去年認(rèn)列虧損新臺(tái)幣近143億元（約32.1億人民幣），大陸南京廠則在去年大賺新臺(tái)幣近260億元(約58.4億人民幣)，兩者差距幅度相當(dāng)巨大。臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總裁魏哲家，在致股東報(bào)告書中指出，今年總體經(jīng)濟(jì)的不確定性仍在，但預(yù)期晶圓制造產(chǎn)業(yè)維持溫和復(fù)蘇，對(duì)臺(tái)積來(lái)說(shuō)仍是穩(wěn)健成長(zhǎng)的1年，AI將會(huì)有許多不同的形式出現(xiàn)。根據(jù)最新出爐的股東會(huì)年報(bào)，可以看到臺(tái)積電旗下海外布局的損益狀
- 關(guān)鍵字： 芯片制造 臺(tái)積電 南京廠 美國(guó)廠
臺(tái)積電表示無(wú)法保證其芯片最終不會(huì)進(jìn)入中國(guó)
- 據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電因在不知情的情況下為列入黑名單的華為生產(chǎn)計(jì)算小芯片而面臨 10 億美元的罰款，華為使用代理向該公司下訂單。這家合同芯片制造商的情況看起來(lái)并不好，臺(tái)積電在其最新的年度報(bào)告中承認(rèn)，在監(jiān)控芯片離開晶圓廠后如何使用存在困難。換句話說(shuō)，它不能保證華為的故事不會(huì)重演?！拔覀?cè)诎雽?dǎo)體供應(yīng)鏈中的角色本質(zhì)上限制了我們關(guān)于包含我們制造的半導(dǎo)體的最終產(chǎn)品的下游使用或用戶的可見(jiàn)性和信息，”臺(tái)積電在其年度報(bào)告中的一份聲明中寫道?！斑@種限制阻礙了我們完全確保我們制造的半導(dǎo)體不會(huì)被轉(zhuǎn)移到非預(yù)期的最終用途或最終用戶的能力，
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臺(tái)積電介紹
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文
臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介
臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立，是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者，臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]
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