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臺積電推1.4nm 技術：第2代GAA晶體管，全節(jié)點優(yōu)勢2028年推出

  • 臺積電公布了其 A14（1.4 納米級）制造技術，它承諾將在其 N2 （2 納米）工藝中提供顯著的性能、功率和晶體管密度優(yōu)勢。在周三舉行的 2025 年北美技術研討會上，該公司透露，新節(jié)點將依賴其第二代全環(huán)繞柵極 （GAA） 納米片晶體管，并將通過 NanoFlex Pro 技術提供進一步的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進入量產(chǎn)，但沒有背面供電。計劃于 14 年推出具有背面供電功能的 A2029 版本?！癆14 是我們的全節(jié)點下一代先進芯片技術，”臺積電業(yè)務發(fā)展和全球銷售高級副總
  • 關鍵字： 臺積電  1.4nm  GAA  晶體管  

日本半導體巨頭Rapidus加速推進2nm工藝 預計2027年實現(xiàn)量產(chǎn)

  • 新興半導體公司 Rapidus 計劃在未來幾年大幅擴大其 2nm 研發(fā)力度，因為它看到了科技巨頭的巨大興趣。Rapidus 的 2nm 工藝采用 BSPDN 和 GAA 技術，使其成為業(yè)內獨一無二的實現(xiàn)。半導體供應鏈長期以來一直被臺積電等公司主導，而英特爾和三星代工廠等競爭對手也在努力鞏固自己的市場份額，因此還有很長的路要走。不過，據(jù)說日本領先的芯片制造公司 Rapidus 已加入尖端節(jié)點的競爭，據(jù)DigiTimes報道，該公司已經(jīng)在日本北海道開發(fā)了一個專用設施，以盡快進入量產(chǎn)階段。據(jù)稱，Rapidu
  • 關鍵字： 日本半導體  Rapidus  2nm工藝  量產(chǎn)  BSPDN  GAA  

拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

  • 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術的極限。這款最新型號承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進行拆解和詳細的技術分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內部結構的深入分析，我們將揭示這款設備在智能手表領域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
  • 關鍵字： 三星  Galaxy Watch 7  Exynos W1000  處理器  3nm  GAA  

拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術

  • 美中貿易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經(jīng)媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術，進而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術，但確切狀況仍得等官方進一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進半導體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術，臺積電則從2納米
  • 關鍵字： GAA  臺積電  三星  

三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷

  • 最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產(chǎn)階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
  • 關鍵字： 三星  Exynos  芯片  3nm  GAA  

消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號

  •  2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
  • 關鍵字： 三星  3nm GAA  Exynos 2500 芯片  

臺積電2nm制程進展順利 晶圓廠最快4月進機

  • 臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產(chǎn)。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱，位于新竹科學園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構工程，并正在進行無塵室等內部工程 —— 最快4月啟動設備安裝工作，相關動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  制程  晶圓廠  GAA  

臺積電2納米驚爆大弱點？三星搶訂單

  • 臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶，但臺積電在技術與訂單仍保持一定優(yōu)勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉進GAA技術，三星還是得向臺積電看齊學習。即使如此，三星也打算透過低價策略搶市，與臺積電做出差別。綜合外媒報導，三星雖在3納米就開始使用GAA技術，量產(chǎn)時間也比臺積電早數(shù)個月，但在良率與技術上無法獲得客戶青睞，蘋果、輝達等科技巨頭的大單仍在臺積電手上，臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術。三星不甘示弱，希望能在2納米領域上扭
  • 關鍵字： 臺積電  2納米  三星  GAA  

日立高新技術公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)

  • 日立高新技術公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術在CD-SEM*1方面的技術和專業(yè)知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠實現(xiàn)高級半導體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來越小型化和復雜化，并有助
  • 關鍵字： 日立高新  測試測量  GAA  CFET  

GAA技術才開始，半導體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術

  • 外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進展，這有望使CFET成為十年內最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實現(xiàn)更高的密度。該項技術最初由比利時微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學術界為主，但英特爾和臺積電等半導體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進晶體管技術。英特爾表示，研究員建構一個單片3DCFET，
  • 關鍵字： GAA  CFET  

三星向外界公布 GAA MBCFET 技術最新進展

  • 三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導體展會 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術的最新進展以及對 SRAM 設計的影響。3納米GAA MBCFET的優(yōu)越性GAA指的是晶體管的結構。晶體管是電子電路的組成部分，起到開關的作用，也就是當門極施加電壓時，電流在源極和漏極之間通過通道流動。在晶體管設計的優(yōu)化過程中，有三個關鍵變量：性能、功耗和面積（PPA）。晶體管制造商一直在不斷追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面積。隨著晶體管尺寸的縮小，它們的結構也從平面晶
  • 關鍵字： 三星  GAA  MBCFET  

三星電子：目標到 2027 年將芯片代工廠產(chǎn)能提高三倍以上

  • IT之家 10 月 21 日消息，據(jù) BusinessKorea 報道，三星電子 10 月 20 日在首爾江南區(qū)舉行了 2022 年三星代工論壇。該公司代工業(yè)務部技術開發(fā)部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，三星電子今年在世界范圍內首次成功地量產(chǎn)了基于 GAA 技術的 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，3 納米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面積減少了 16%。三星電子還計劃不遺余力地擴大其芯片代工廠的生產(chǎn)能力，其目標是到 2027 年將其生產(chǎn)能力提高三倍以上。為此，這家芯片
  • 關鍵字： 三星  GAA 技術  

三星公布3納米GAA架構制程技術芯片開始生產(chǎn)

  • 2022年6月30日，作為先進的半導體技術廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節(jié)點的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%三星電子首次實現(xiàn)GAA"多橋-通道場效應晶體管"（簡稱: MBCFETTM  Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高
  • 關鍵字： 三星  3納米  GAA  

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結構

臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術

  • 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。臺積電臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以
  • 關鍵字： 臺積電  2nm  GAA  
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