解讀各種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和IGBT保護(hù)方法
2SD315A內(nèi)部主要有三大功能模塊構(gòu)成,分別是LDI(Logic To Driver Interface,邏輯驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換接口)、IGD(Intelligent Gate Driver,智能門(mén)極驅(qū)動(dòng))和輸入與輸出相互絕緣的DC/DC轉(zhuǎn)換器。當(dāng)外部輸入PWM信號(hào)后,由LDI進(jìn)行編碼處理,為保證信號(hào)不受外界條件的 干擾,處理過(guò)的信號(hào)在進(jìn)入IGD前需用高頻隔離變壓器進(jìn)行電氣隔離。從隔離變壓器另一側(cè)接收到的信號(hào)首先在IGD單元進(jìn)行解碼,并把 解碼后的PWM信號(hào)進(jìn)行放大(±15V/±15A)以驅(qū)動(dòng)外接大功率IGBT.當(dāng)智能門(mén)極驅(qū)動(dòng)單元IGD內(nèi)的過(guò)流和短路保護(hù)電路檢測(cè)到IGBT發(fā)生過(guò) 流和短路故障時(shí),由封鎖時(shí)間邏輯電路和狀態(tài)確認(rèn)電路產(chǎn)生相應(yīng)的響應(yīng)時(shí)間和封鎖時(shí)間,并把此時(shí)的狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行編碼送到邏輯控制單 元LDI.LDI單元對(duì)傳送來(lái)的IGBT工作狀態(tài)信號(hào)進(jìn)行解碼處理,使之在控制回路中得以處理。為防止2SD315A的兩路輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)相互干擾 ,由DC/DC轉(zhuǎn)換器提供彼此隔離的電源供電。

2SD315使用時(shí)注意事項(xiàng):
a、工作模式
驅(qū)動(dòng)模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源,輸入引腳RC1和RC2接地,為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V,信號(hào)輸入管腳InA、InB連 接在一起接收來(lái)自單片機(jī)的脈沖信號(hào)。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳輸出通道的工作狀態(tài)。當(dāng)MOD接地時(shí),MOD接地。通常半橋模式都是驅(qū)動(dòng)一個(gè)直流母線(xiàn)上的一個(gè)橋臂,為避免上下橋臂直通必須設(shè)置死區(qū)時(shí)間,在死區(qū)時(shí)間里兩個(gè) 管子同時(shí)關(guān)斷。因此,RC 1, RC2端子必須根據(jù)要求外接RC網(wǎng)絡(luò)來(lái)產(chǎn)生死區(qū)時(shí)間,死區(qū)時(shí)間一般可以從100n,到幾個(gè)ms.圖中所示的RC 1, RC2分別連接lOk.的電阻和100pF的電容,這樣產(chǎn)生的死區(qū)時(shí)間大約是500ns.
b、端口VL/Reset
這個(gè)端子是用來(lái)定義具有施密特性質(zhì)的輸入InA和InB的,使得輸入在2/3VL時(shí)開(kāi)通,在I/3 VL時(shí)作為關(guān)斷信號(hào)。當(dāng)PWM信號(hào)是TTL電平時(shí), 該端子連接如圖3-5所示,當(dāng)輸入InA和InB信號(hào)為15V的時(shí)候,該端子應(yīng)該通過(guò)一個(gè)大約1K左右的電阻連接到++15V電源上,這樣開(kāi)啟和關(guān) 斷電壓分別應(yīng)該是lov和5V.另外,輸入U(xiǎn)L/Reset端還有另外的功能:如果其接地,則邏輯驅(qū)動(dòng)接口單元l.DI001內(nèi)的錯(cuò)誤信息被清除。
c、門(mén)極輸出端
門(mén)極輸出Gx端子接電力半導(dǎo)體的門(mén)極,當(dāng)SCALE驅(qū)動(dòng)器用15V供電的時(shí)候,門(mén)極輸出土15V.負(fù)的門(mén)極電壓由驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部產(chǎn)生。使用如圖3-6 結(jié)構(gòu)的電路可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)通和關(guān)斷的速度的不一樣,增加了用戶(hù)使用的靈活性。
d、布局和布線(xiàn)
驅(qū)動(dòng)器應(yīng)該盡可能近的和功率半導(dǎo)體放在一起,這樣從驅(qū)動(dòng)器到電力晶體管的引線(xiàn)就會(huì)盡可能的短,一般來(lái)說(shuō)驅(qū)動(dòng)器的連線(xiàn)盡量不要長(zhǎng) 過(guò)10厘米。同時(shí)一般要求到集電極和發(fā)射極的引線(xiàn)采用絞合線(xiàn),還有可以在IGBT的門(mén)極和發(fā)射極之間連接一對(duì)齊納穩(wěn)壓二極管(15~18V) 來(lái)保護(hù)IGBT不會(huì)被擊穿。

驅(qū)動(dòng)模塊的模式選擇端MOD外接+15V電源,輸入引腳RC1和RC2接地,為直接工作模式。邏輯控制電平采用+15V,信號(hào)輸入管腳InA、InB連 接在一起接收來(lái)自單片機(jī)的脈沖信號(hào),進(jìn)行同步控制。2SD315A的SO1和SO2兩只管腳外接三極管和光耦用來(lái)向單片機(jī)輸出兩輸出通道的 工作狀態(tài),其輸出端結(jié)構(gòu)皆為集電極開(kāi)路輸出,可以通過(guò)外接上拉電阻以適用于各種電平邏輯。在管腳SO1、SO2和電源之間,以及VisoX 和LSX之間加發(fā)光二極管進(jìn)行故障指示。正常情況下SO1和SO2輸出皆為高電平,上電后D3和D4先亮,延時(shí)幾秒后熄滅,同時(shí)D8和D15發(fā)亮。
當(dāng)檢測(cè)到故障信號(hào)時(shí),SO1和SO2的輸出電平被拉低到地,即D3和D4發(fā)亮,同時(shí)D8和D15閃爍。2SD315A是通過(guò)監(jiān)測(cè)UCE(sat)來(lái)判斷回路是否 短路和過(guò)流,當(dāng)檢測(cè)到一路或兩路發(fā)生過(guò)流現(xiàn)象時(shí),檢測(cè)電路會(huì)把異常狀態(tài)回饋到驅(qū)動(dòng)模塊,驅(qū)動(dòng)模塊內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生一個(gè)故障信號(hào)并將它 鎖存,鎖存時(shí)間為1s,在這段時(shí)間內(nèi),驅(qū)動(dòng)模塊不再輸出信號(hào),而是將兩組IGBT及時(shí)關(guān)斷予以保護(hù)。同時(shí),狀態(tài)輸出管腳SO1和SO2的高電平 被拉低,光耦TLP521導(dǎo)通,兩路狀態(tài)信號(hào)通過(guò)或門(mén)74LS32送給單片機(jī)。為防止因關(guān)斷速度太快在IGBT的集電極上產(chǎn)生很高的反電動(dòng)勢(shì),在 門(mén)極輸出端采用如圖3.11所示的電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)開(kāi)通和關(guān)斷速度的不同。開(kāi)通時(shí)門(mén)極電阻為3.4Ω,關(guān)斷時(shí)電阻為6.8Ω,二極管采用快恢 復(fù)型,這樣就使關(guān)斷速度下降到安全水平。這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放
IGBT短路失效機(jī)理
IGBT負(fù)載短路下的幾種后果
(1) 超過(guò)熱極限:半導(dǎo)體的本征溫度極限為250℃,當(dāng)結(jié)溫超過(guò)本征溫度,器件將喪失阻斷能力,IGBT負(fù)載短路時(shí),由于短路電流時(shí)結(jié)溫升 高,一旦超過(guò)其熱極限時(shí),門(mén)級(jí)保護(hù)也相應(yīng)失效。
(2) 電流擎住效應(yīng):正常工作電流下,IGBT由于薄層電阻Rs很小,沒(méi)有電流擎住現(xiàn)象,但在短路狀態(tài)下,由于短路電流很大,當(dāng)Rs上的壓降 高于0.7V時(shí),使J1正偏,產(chǎn)生電流擎住,門(mén)級(jí)便失去電壓控制。
(3) 關(guān)斷過(guò)電壓:為了抑制短路電流,當(dāng)故障發(fā)生時(shí),控制電路立即撤去正門(mén)級(jí)電壓,將IGBT關(guān)斷,短路電流相應(yīng)下降。由于短路電流大, 因此,關(guān)斷中電流下降率很高,在布線(xiàn)電感中將感生很高的電壓,尤其是在器件內(nèi)封裝引線(xiàn)電感上的這種感應(yīng)電壓很難抑制,它將使器件 有過(guò)電流變?yōu)殛P(guān)斷過(guò)電壓而失效
IGBT過(guò)流保護(hù)方法
(1) 減壓法:是指在故障出現(xiàn)時(shí),降低門(mén)級(jí)電壓。由于短路電流比例于外加正門(mén)級(jí)電壓Ug1,因此在故障時(shí),可將正門(mén)級(jí)電壓降低。
(2) 切斷脈沖方法:由于在過(guò)流時(shí),Uce電壓升高,我們利用檢測(cè)集電極電壓的方法來(lái)判斷是否過(guò)流,如果過(guò)流,就切斷觸發(fā)脈沖。同時(shí)盡 量采用軟關(guān)斷方式,緩解短路電流的下降率,避免產(chǎn)生過(guò)電壓造成對(duì)IGBT的損壞。
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