3 TIP41C晶體管的設計參數(shù)

　　TIP41C的縱向和橫向結構參數(shù)如表2所列。該芯片的工藝流程如下：

　　N型外延片→一次氧化→一次光刻→干氧氧化→B離子注入→深基區(qū)擴散→二次光刻→磷預淀積→發(fā)射區(qū)擴散→特性光刻→特性hFE測試→P吸雜(PSG) →PLTO(低溫氧化)→H2處理→三次光刻→QC檢測(hFE、BVCBO、BVCEO)→蒸鋁→四次光刻→鋁合金→QC檢測VBESAT→五次光刻 →PI膠鈍化→中測抽檢電參數(shù)→背面減薄(220μm)→蒸銀→中測測試電參數(shù)→入庫

　　圖2所示是TIP41C的縱向結構圖。

　　由于作者所在單位的生產(chǎn)車間設計比較簡單，車間環(huán)境凈化程度不高，因此，在一次氧化、基區(qū)擴散工藝中采用TCA工藝來對一次氧化、二次氧化過程中Na +的污染進行有效控制，發(fā)射區(qū)擴散采用P-吸雜工藝來控制三次氧化過程中Na+的產(chǎn)生，表面鈍化則采用PI膠工藝來保證外界環(huán)境不影響芯片表面，同時進一步吸收、穩(wěn)定氧化層正電中心的移動，從而使芯片ICEO漏電大大減少，目前，TIP41C的電參數(shù)達到國際先進水平。

4 結束語

　　大量生產(chǎn)數(shù)據(jù)表明，我司設計的TIP41C晶體管芯片生產(chǎn)成本低，芯片尺寸1.78×1.78 mm2(為目前市場最小)，生產(chǎn)原材料完全采用國產(chǎn)材料，目前，該芯片的關鍵電參數(shù)(大電流特性和飽和壓降)已達到國際先進水平，因而具有極強的市場競爭力。