一種V波段近距探測毫米波功率放大器設計
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當合成網絡中所有功率器件均處于飽和工作狀態(tài)時，對單級損耗為0．3 dB，3級功率合成，由損耗引起的合成效率為80％；若計合成支路間最大幅度和相位不平衡程度分別為3 dB、30°，引起相應合成效率為90％；對8路功率合成，總的合成效率為
當器件飽和工作時，8路合成輸出為17+7．07=24.07 dBm或255 mW，滿足技術指標要求。電路各部分損耗為4 8 dB，整個合成放大器小信號增益約為29.2 dB。
1．3．2 兩路功率分配／合成網絡
在毫米波固態(tài)集成功率合成技術的研究中，有一種兩路波導微帶集成功率分配／合成網絡，如圖3所示。該結構由兩路面對面微帶探針經波導E面插入，實現同相寬帶功率分配／合成，同時又完成波導與微帶間的過渡轉換。兩微帶線處于面對面位置，當集成固態(tài)功率器件時，可提供良好的散熱通道，保證器件可靠工作和性能發(fā)揮。為獲得足夠的固態(tài)功率器件安裝空間，適當增加合成網絡部分波導尺寸，為滿足標準波導端口條件，根據工作帶寬要求，選擇適當的波導阻抗變換段。電磁場分析表明，在55～60 GHz范圍內，該結構損耗2 dB，與單個波導微帶過渡結構相當；由于結構對稱原因，兩微帶端口具有良好的幅度和相位平衡特性。本文引用地址：http://www.ljygm.com/article/187366.htm
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