圖 8 “采用緊湊式 SIP 的 QFN 封裝”封裝設(shè)計(jì)與市場(chǎng)中現(xiàn)有的 SIP 封裝的細(xì)小差異

　　采用緊湊式 SIP 的 QFN 封裝：

　　+ 突破靈活性和封裝/產(chǎn)品可擴(kuò)展性的限制 à 可使用更大、更厚的無(wú)源元件尺寸，利于擴(kuò)展產(chǎn)品和改善性能。

　　+ 產(chǎn)品性能和應(yīng)用 à 無(wú)源元件能夠盡可能地靠近有源芯片進(jìn)行安裝，從而獲得最佳的產(chǎn)品性能。例如，DrMOS 要求元件盡可能地靠近 HS 芯片的漏極和 LS 芯片的源極。

　　+ 上市時(shí)間 à 可快速制造出產(chǎn)品擴(kuò)展或使用更厚元件的樣品

　　+ 可靠性 à 未采用復(fù)合物成型封裝，避免無(wú)源元件與引腳框之間形成封裝氣孔類似于印刷電路板上的無(wú)源元件

　　圖 9 采用緊湊式 SIP 的 QFN 封裝

　　市場(chǎng)中現(xiàn)有的 SIP：

　　- 封裝/產(chǎn)品的靈活性和可擴(kuò)展性差 à 受限于封裝厚度，無(wú)法使用較大、較厚的無(wú)源元件，不適于產(chǎn)品擴(kuò)展。

　　- 導(dǎo)電路徑較長(zhǎng)，電阻較大。信號(hào)傳輸質(zhì)量/效率必然因此受到影響。

　　- 由于需要構(gòu)建新封裝平臺(tái)和引進(jìn)成型模具，上市時(shí)間較長(zhǎng)。

　　- 可靠性 à 由于無(wú)源元件與引腳框表面間的間隙會(huì)導(dǎo)致形成封裝氣孔，在壓力測(cè)試過(guò)程中可能存在“爆米花”效應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)。

　　對(duì)于高發(fā)熱量芯片應(yīng)用，可在有源芯片的背面涂覆額外的高性能導(dǎo)熱膏，從而增強(qiáng)熱性能（圖 10）。

　　圖 10 對(duì)于高發(fā)熱量芯片應(yīng)用，可在有源芯片的背面涂覆額外的高性能導(dǎo)熱膏，從而增強(qiáng)熱性能

　　工藝流程：

　　“采用緊湊式 SIP 的 QFN 封裝”可簡(jiǎn)化裝配工藝。下圖展示裝配工藝流程的諸多概念之一（圖 11）。