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功率MOSFET的保護(hù)

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作者: 時(shí)間:2007-12-13 來(lái)源:電子元器件網(wǎng) 收藏

  的薄弱之處是柵極絕緣層易被擊穿損壞,柵源間電壓不得超過(guò)



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