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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率??放大器

放大器設計：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

  • 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有
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基于 Richtek RT9119 的音效放大器之 家庭娛樂音效產(chǎn)品方案

  • 隨著電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，功率放大器的性能對產(chǎn)品質(zhì)量有著重要的影響。傳統(tǒng)的線性功放（A、B、AB類）雖然有良好的線性度和THD等性能，但都有共同的缺陷，如效率都低于50%、功耗大，制約其在可攜式產(chǎn)品上的應用[1]，而高效率、節(jié)能、低失真、體積小的D類功放應用日益廣泛D類放大利用的原理為PWM(Pulse Width Modulation)，作用方式類似于主機板上交換式電源概念，即利用數(shù)位頻率波型的疏密來輸出類比振幅的高低大小，頻率密則振幅高，反之頻率疏時則振幅降低。也因此運作模式，D類放大意被稱為數(shù)位式功率
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如何為寬帶的精密信號鏈設計可編程增益儀表放大器

  • 本文旨在幫助硬件設計人員設計寬帶可編程增益儀表放大器(PGIA)，從選擇現(xiàn)成的分立式組件到性能評估，以及如何節(jié)省時間和減少設計迭代次數(shù)。展示的PGIA架構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化，可以全速驅(qū)動基于高精度逐次逼近寄存器(SAR)架構(gòu)的ADC。本文還展示了PGIA在各種增益選項下驅(qū)動寬帶寬信號鏈的精密性能。簡介精密數(shù)據(jù)采集子系統(tǒng)通常由高性能的分立式線性信號鏈模塊組成，用于測量和保護、調(diào)節(jié)和獲取，或者合成和驅(qū)動。硬件設計人員在開發(fā)這些數(shù)據(jù)采集信號鏈時，通常需要高輸入阻抗，以直接連接多種傳感器。在這種情況下，通常需要利用可編程增
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如何在更寬帶寬應用中使用零漂移放大器

  • 本文簡短介紹了斬波、自穩(wěn)零和零漂移偽像來源，并概述了放大器設計人員可以用來降低其影響的一些技術(shù)。本文還闡釋了如何最大程度地減少精密信號鏈中這些殘余交流偽像的影響，包括匹配輸入源阻抗、濾波和頻率規(guī)劃。簡介零漂移運算放大器使用斬波、自穩(wěn)零或這兩種技術(shù)的結(jié)合來消除不需要的低頻誤差源，例如失調(diào)和1/f噪聲。傳統(tǒng)上，此類放大器僅用于低帶寬應用中，因為這些技術(shù)在較高頻率時會產(chǎn)生偽像。只要系統(tǒng)設計時考慮了高頻誤差，例如紋波、毛刺和交調(diào)失真(IMD)等，較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運算放大器的出色直流性能。零漂移
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如何利用間接電流模式儀表放大器放大具有大直流偏移的交流信號？

  • 在電磁流量計和生物電測量等應用中，小差分信號與大得多的差分偏移串聯(lián)。這些偏移通常會限制電路在前端設計中可以獲得的增益，進而影響整體動態(tài)范圍。當使用較低電源電壓時，例如在電池供電的信號鏈中，增益限制更具挑戰(zhàn)性。解決這個大差分偏移問題的一種方案是使用交流耦合測量信號鏈。典型的交流耦合信號鏈包括一個低增益儀表放大器，其后是一個高通濾波器和額外的增益級(請參閱 "放大具有大直流偏移的交流信號以支持低功耗設計")。問題:如何支持存在大差分偏移電壓的應用而不需要增加增益級？答案:這可以通過在一級中
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基于英飛凌SIC MOSFET 和驅(qū)動器的11kW DC-DC變換器方案

  • REF-DAB11KIZSICSYS是一個CLLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性價比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關(guān)特性，是電動汽車和能量存儲系統(tǒng)（ESS）等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統(tǒng)，電動汽車快速充電，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) （PCS）?場景應用
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素

  • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
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功率可擴展的V2G充放電系統(tǒng)設計及實現(xiàn)

  • 摘要：針對目前電動汽車V2G充電樁單接口的充放電功率恒定、無法擴展的問題，設計一種雙回路雙接口的 V2G充放電系統(tǒng)，采用在功率模塊直流側(cè)進行功率投切控制的方式，使得充放電系統(tǒng)突破單接口額定功率的限 制，有效進行充放電功率擴展。樣機的實驗數(shù)據(jù)表明，充放電系統(tǒng)能夠根據(jù)后臺指令，控制相應的接觸器投切 動作，完成回路間功率模塊調(diào)用，準確響應后臺功率需求，輸出擴展后的充放電功率。關(guān)鍵詞：V2G；充電樁；功率；擴展；設計0 引言我國新能源電動汽車保有量日益增多，作為“新基 建”之一的充電樁是連接電動汽車和電網(wǎng)
  • 關(guān)鍵字： 202208  V2G  充電樁  功率  擴展  設計  

耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

  • 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
  • 關(guān)鍵字： 意法半導體  功率  MOSFET  耐用性  

終端綜測儀自動校準研究與實現(xiàn)

  • 終端測試儀是通信測試領(lǐng)域的重要環(huán)節(jié)，本文對此類儀器的校準方法進行了分析和研究，闡述了一種利用數(shù)字穩(wěn)幅電路校準終端測試儀內(nèi)部信號源的功率，利用內(nèi)置信號源校準內(nèi)部接收機功率的自動校準的方法，同時給出終端綜測儀硬件平臺總體方案及自動校準軟件流程圖，提供了一套針對該類型儀表功率的自動校準的可行方案做為參考。
  • 關(guān)鍵字： 數(shù)字穩(wěn)幅  功率  自動校準  202108  

模擬電子電路基礎：耦合、放大、振蕩、調(diào)幅和檢波

  • 在電子電路中，電源、放大、振蕩和調(diào)制電路被稱為模擬電子電路，因為它們加工和處理的是連續(xù)變化的模擬信號。1. 反饋反饋是指把輸出的變化通過某種方式送到輸入端，作為輸入的一部分。如果送回部分和原來的輸入部分是相減的，就是負反饋。2. 耦合一個放大器通常有好幾級，級與級之間的聯(lián)系就稱為耦合。放大器的級間耦合方式有三種：①RC 耦合(見圖a): 優(yōu)點是簡單、成本低。但性能不是最佳。② 變壓器耦合(見圖b):優(yōu)點是阻抗匹配好、輸出功率和效率高，但變壓器制作比較麻煩。③ 直接耦合(見圖c): 優(yōu)點是頻帶寬，可作直流放
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DC充電站：ST在功率與控制層面所遇到之挑戰(zhàn)

  • 預計到2027年，全球電動汽車充電站市場規(guī)模迅速擴展，而亞太地區(qū)電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場的成長。意法半導體（ST）產(chǎn)品可支持此一市場／應用。本文介紹主要系統(tǒng)架構(gòu)以及主要適用的ST產(chǎn)品。預計到2027年，全球電動汽車充電站市場規(guī)模將從2020年估計的2,115,000個成長至30,758,000個，復合年均成長率高達46.6%。該報告的基準年為2019年，預測期為2020年至2027年。[1] 從地理位置來看，亞太地區(qū)（尤其是中國）電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場
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手機趨向于沉浸式音效，智能升壓放大器來搞定

  • 1? ?音效成為選購手機的重要因素如今，消費者購買手機時非?？粗負P聲器模式下的音頻質(zhì)量，希望得到更好的沉浸式體驗。尤其疫情期間消費者對于手機揚聲器的使用越來越頻繁，使揚聲器的音質(zhì)和音效成為了選購手機的重要考慮因素。?據(jù)SAR Insight ＆?Consulting所做的一項最新用戶調(diào)查顯示，用戶越來越看重智能設備的音頻質(zhì)量，而且人們對智能設備揚聲器模式的使用也越來越頻繁。例如，在2020年4月—2021年3月的為期12個月的調(diào)查樣品中，40％的受訪者增加了對揚聲器
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共模信號有多重要？如何正確對放大器前端進行電平轉(zhuǎn)換？

  • 　　目前，在轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域風頭正盛的是 GSPS ADC—也稱 RF ADC。憑借市場上采樣速率如此高的轉(zhuǎn)換器，奈奎斯特頻率與五年前相比提高了 10 倍。關(guān)于使用 RF ADC 的優(yōu)勢，以及如何使用它們進行設計并以如此高的速率捕獲數(shù)據(jù)，人們進行了大量的討論?！　「咝阅苣?shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)之前的輸入配置或者前端設計，對于實現(xiàn)所需的系統(tǒng)性能非常關(guān)鍵。通常重點在于捕獲寬帶頻率，例如大于 1 GHz 的寬帶頻率。然而，在某些應用中，也需要直流或近直流信號，并且受到最終用戶的歡迎，因為它們也可以傳輸重要信息。因此，通過
  • 關(guān)鍵字： 轉(zhuǎn)換器  放大器  GSPS  高性能模數(shù)轉(zhuǎn)換器  模擬電源    

超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET輸出電容特性

  • 本文主要分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關(guān)系，最后討論了新一代超結(jié)技術(shù)工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉(zhuǎn)折點電壓，降低開關(guān)損耗，同時產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
  • 關(guān)鍵字： 202008  功率  MOSFET  超結(jié)結(jié)構(gòu)  輸出電容  橫向電場  
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