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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 垂直納米環(huán)柵晶體管

微電子所在新型垂直納米環(huán)柵器件研究中取得突破性進(jìn)展

  • 垂直納米環(huán)柵晶體管是集成電路2納米及以下技術(shù)代的主要候選器件,但其在提高器件性能和可制造性等方面面臨著眾多挑戰(zhàn)。在2018年底舉辦的國際集成電路會議IEDM上,來自IMEC的Ryckaert博士1將垂直納米器件的柵極長度及溝道與柵極相對位置的控制列為關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。
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垂直納米環(huán)柵晶體管介紹

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