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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 失效

汽車氧傳感器工作原理及其失效原因

  • 汽車氧傳感器是汽車電子控制系統(tǒng)中一個(gè)重要的組成部分，它能夠有效地提高發(fā)動(dòng)機(jī)性能及整車的經(jīng)濟(jì)性。了解汽車氧傳感器工作原理以及汽車氧傳感器的失效原因，對(duì)于整體把握汽車控制系統(tǒng)有很大的幫助。本文介紹汽車氧傳
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VRLA電池模擬停電試驗(yàn)的研究

  • 1引言隨著鉛酸蓄電池在生產(chǎn)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，蓄電池在惡劣環(huán)境下的使用壽命已成為很多用戶判斷電池性能的...
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蓄電池持續(xù)監(jiān)測(cè)保證不間斷電源（UPS）可以隨時(shí)啟用

IGBT安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理

  • 摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc1、
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IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要：本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關(guān)鍵字： 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。

    關(guān)鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

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DC/DC電源模塊高溫失效原因分析

  • 引言　　DC／DC電源模塊(以下簡(jiǎn)稱模塊)，是一種運(yùn)用功率半導(dǎo)體開關(guān)器件實(shí)現(xiàn)DC／DC功率變換的開關(guān)電源。它廣泛應(yīng)用于遠(yuǎn)程及數(shù)據(jù)通信、計(jì)算機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、工業(yè)儀器儀表、軍事、航天等領(lǐng)域，涉及到國民經(jīng)擠的各行
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電容使用注意事項(xiàng)與失效解決方案

  • 電容使用注意事項(xiàng)與失效解決方案： 電容的選用注意事項(xiàng)　　在確認(rèn)使用及安裝環(huán)境時(shí)，作為按產(chǎn)品樣本設(shè)計(jì)說明書所規(guī)定的額定性能范圍內(nèi)使用的電容器，應(yīng)當(dāng)避免在下述情況下使用：
    　　a、高溫(溫度超過最高使
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經(jīng)驗(yàn)之談：電容使用注意事項(xiàng)以及失效解決辦法

  • 電容的選用注意事項(xiàng)在確認(rèn)使用及安裝環(huán)境時(shí)，作為按產(chǎn)品樣本設(shè)計(jì)說明書所規(guī)定的額定性能范圍內(nèi)使用的電...
  • 關(guān)鍵字： 電容  注意事項(xiàng)  失效  

LED主要失效模式分析

  • LED是一種直接將電能轉(zhuǎn)換為可見光和輻射能的發(fā)光器件，具有耗電量小、發(fā)光效率高、體積小等優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)逐漸成為了一種新型高效節(jié)能產(chǎn)品，并且被廣泛應(yīng)用于顯示、照明、背光等諸多領(lǐng)域。近年來，隨著LED技術(shù)的不斷
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深度剖析LED失效問題

  • LED的發(fā)光源是由所謂的III-V化合物所構(gòu)成，即大家熟知的磊晶晶粒(chip)，該固態(tài)化合物本身性質(zhì)很安定，在產(chǎn)品...
  • 關(guān)鍵字： LED  LED芯片  失效    

LED機(jī)械應(yīng)力失效分析

  • 1 、失效模式：

    　　產(chǎn)品中相同結(jié)構(gòu)手插件 LED 的失效位號(hào)隨機(jī)分布，失效比例高的 LED 集中在近離 PCB 板面的 LED 。 LED 的結(jié)構(gòu)參考 figure 1 。

    　　2 、失效機(jī)理：

    　　組裝時(shí)的機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致 LED 引腳移
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DC /DC電源模塊高溫失效原因

  • 摘 要： 為了得到一款軍品級(jí)模塊因?yàn)閷?dǎo)致高溫失效的原因， 通過對(duì)模塊內(nèi)部元件加熱測(cè)試， 觀測(cè)模塊電學(xué)參數(shù)的變化， 并與模塊整體加熱電學(xué)參數(shù)變化的結(jié)果做比較。得到影響模塊輸出電學(xué)參數(shù)變化的最主要的元件，
  • 關(guān)鍵字： 失效  原因  高溫  模塊  /DC  電源  DC  

DC／DC電源模塊高溫失效原因

  • 為了得到一款軍品級(jí)模塊因?yàn)閷?dǎo)致高溫失效的原因，通過對(duì)模塊內(nèi)部元件加熱測(cè)試，觀測(cè)模塊電學(xué)參數(shù)的變化，并與模塊整體加熱電學(xué)參數(shù)變化的結(jié)果傲比較。得到影響模塊輸出電學(xué)參數(shù)變化的最主要的元件，同時(shí)對(duì)該元件特性分析，獲得元件隨溫度變化失效的原理。測(cè)得其輸出電壓隨環(huán)境溫度的上升，而緩慢下降的主要原因來自于光耦的溫度特性。環(huán)境溫度達(dá)到150℃左右時(shí)，模塊內(nèi)變壓器磁芯溫度將達(dá)到居里點(diǎn)附近，使模塊輸出電壓幾乎為零。
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FPGA與PCB板焊接連接失效

  • 　　問題描述：　　81%的電子系統(tǒng)中在使用FPGA，包括很多商用產(chǎn)品和國防產(chǎn)品，并且多數(shù)FPGA使用的是BGA封裝形式。BGA封裝形式的特點(diǎn)是焊接球小和焊接球的直徑小。當(dāng)FGPA被焊在PCB板上時(shí)，容易造成焊接連接失效。焊接
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