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TI將嵌入式FRAM作為新非易失存儲器技術
- 德州儀器公司 (TI) 已在標準 CMOS 邏輯工藝中生產(chǎn)出64兆位鐵電存儲器 (FRAM) 芯片，從而將該技術在各種應用領域中確定為嵌入式閃存及嵌入式 DRAM 的經(jīng)濟高效型替代技術。與處理器、外設及其它器件一樣，在同一芯片上嵌入內存不僅會降低系統(tǒng)芯片數(shù)目及復雜性，而且還能夠提高系統(tǒng)性能與數(shù)據(jù)的安全性。為了降低制造成本、實現(xiàn)超低功耗，TI 在眾多的嵌入式內存中選擇了 FRAM。TI 生產(chǎn)的64兆位 FRAM 器件還擁有迄今為止業(yè)界最小的 FRAM 單元，僅為 0.54um2。 FRAM 所具有的
- 關鍵字： 存儲器技術 存儲器
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存儲器技術介紹
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