意法半導(dǎo)體(st) 文章進(jìn)入意法半導(dǎo)體(st)技術(shù)社區(qū)

STPay-Topaz-Bio: 意法半導(dǎo)體指紋卡榮獲CES 2022 創(chuàng)新獎(jiǎng)，攻克兩大難關(guān)

STPayBio概念驗(yàn)證原型是STPay-Topaz-Bio?卡上生物識(shí)別系統(tǒng)平臺(tái)的核心組件，不久前獲得 CES 2022 創(chuàng)新獎(jiǎng)，被譽(yù)為指紋銀行卡的基石，為消費(fèi)者和金融機(jī)構(gòu)開啟一個(gè)新的支付途徑。但是，應(yīng)用場(chǎng)景遠(yuǎn)不止于支付，確實(shí)已有團(tuán)隊(duì)在研究利用這項(xiàng)技術(shù)開發(fā)醫(yī)療設(shè)備和門禁系統(tǒng)。用戶指紋身份驗(yàn)證為業(yè)界提供一個(gè)更可靠、更安全的隱私保護(hù)方式，例如，服務(wù)器要求用戶必須提供指紋才能解密生物特征信息，并使用只在卡上保存的生物特征信息驗(yàn)證用戶身份。此外，醫(yī)療專業(yè)人員還可以通過指紋驗(yàn)證患者身份，打擊醫(yī)保詐騙。S
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意大利和法國(guó):歐洲投資銀行向意法半導(dǎo)體提供6億歐元貸款,加強(qiáng)歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)力

●? ?這筆貸款旨在為全球排名前列的半導(dǎo)體企業(yè)研發(fā)(R&D)活動(dòng)和創(chuàng)新生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)提供資金●? ?這筆資金符合歐盟及成員國(guó)加強(qiáng)歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)力的發(fā)展政策●? ?這筆資金還有助于歐洲半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主的戰(zhàn)略目標(biāo)歐洲投資銀行 (EIB)為意法半導(dǎo)體提供巨資支持：為該半導(dǎo)體集團(tuán)在歐洲的研發(fā) (R&D) 和產(chǎn)前活動(dòng)提供 6 億歐元貸款。這筆融資業(yè)務(wù)涉及對(duì)創(chuàng)新技術(shù)產(chǎn)品研發(fā)活動(dòng)以及先進(jìn)半導(dǎo)體試制生產(chǎn)線的投資。這筆投資將投放到意法半導(dǎo)體在意
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的MEMS傳感器助您開啟Onlife時(shí)代

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)近日推出其第三代MEMS傳感器。新一代傳感器助力消費(fèi)類移動(dòng)產(chǎn)品、智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能零售產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)性能和功能新飛躍。MEMS 技術(shù)實(shí)現(xiàn)是穩(wěn)健可靠的芯片級(jí)運(yùn)動(dòng)和環(huán)境傳感器的基礎(chǔ)技術(shù)，今天的智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備依靠MEMS傳感器實(shí)現(xiàn)直觀的環(huán)境感知功能。現(xiàn)在，意法半導(dǎo)體新一代 MEMS 傳感器將性能提升到了一個(gè)新的水平，輸出數(shù)據(jù)準(zhǔn)確度和功耗都突破了現(xiàn)有技術(shù)限制。新傳感器可讓活動(dòng)檢測(cè)、室內(nèi)導(dǎo)航、精密工業(yè)感測(cè)
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躋身第三代半導(dǎo)體市場(chǎng) ST助力全球碳中和

　　隨著第三代半導(dǎo)體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應(yīng)用在工業(yè)和電動(dòng)汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導(dǎo)體行業(yè)中的佼佼者，意法半導(dǎo)體同樣重視第三代半導(dǎo)體帶來的優(yōu)勢(shì)作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動(dòng)了第三代半導(dǎo)體在電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域上的應(yīng)用發(fā)展。2022年2月意法半導(dǎo)體召開媒體交流會(huì)，介紹了意法半導(dǎo)體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻(xiàn)?！　?jù)調(diào)查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時(shí)的能源。這意味著節(jié)約了
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NFC為汽車車門把手賦予無線鑰匙功能

NFC Forum推出第13版NFC認(rèn)證（NFC Forum CR13），使NFC Forum裝置要求之3.0版規(guī)范正式生效。相較第12版NFC認(rèn)證，新版增加了支持國(guó)際汽車聯(lián)機(jī)聯(lián)盟（Car Connectivity Consortium；CCC）數(shù)字車門鑰匙讀取器和手機(jī)數(shù)字鑰匙卡仿真（Card Emulation；CE）等多項(xiàng)功能，簡(jiǎn)言之，13版NFC認(rèn)證將確保車商能提供可互操作的NFC鑰匙系統(tǒng)。至于其它新功能便不逐一贅述，本文僅探討13版NFC認(rèn)證為汽車產(chǎn)業(yè)及其消費(fèi)者帶來哪些影響。現(xiàn)今的非接觸式車鑰匙完
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用于檢測(cè)裸硅圓芯片上少量金屬污染物的互補(bǔ)性測(cè)量技術(shù)

就產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)環(huán)境的清潔度而言，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)要求很高的產(chǎn)業(yè)。金屬污染對(duì)芯片有害，所以應(yīng)避免裸晶圓芯片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓芯片上金屬污染問題的經(jīng)驗(yàn)，介紹如何使用互補(bǔ)性測(cè)量方法檢測(cè)裸硅圓芯片上的少量金屬污染物并找出問題根源，解釋從多個(gè)不同的檢測(cè)方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測(cè)量技術(shù)檢測(cè)污染物對(duì)熱處理的依賴性。前言本文旨在解決硅襯底上的污染問題，將討論三種不同的金屬污染。第一個(gè)是鎳擴(kuò)散，又稱為快速擴(kuò)散物質(zhì)[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個(gè)污點(diǎn)開始擴(kuò)散的金屬污染。第二個(gè)是鉻污染，
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導(dǎo)入NFC卷標(biāo)功能實(shí)作全球連網(wǎng)香水首見現(xiàn)身

Phantom是全球第一款連網(wǎng)香水，噴頭內(nèi)裝有ST25TV02K近場(chǎng)通信（NFC）標(biāo)簽，讓Paco Rabanne可為顧客提供獨(dú)特功能。運(yùn)作機(jī)制其實(shí)很簡(jiǎn)單：使用者將手機(jī)靠近瓶身，就會(huì)跳出通知并傳送一個(gè)連結(jié)網(wǎng)址。瓶身做成機(jī)器人形狀，有如顧客進(jìn)入香水世界及相關(guān)服務(wù)的門戶。目前Paco Rabanne提供顧客一份播放列表，里面有特定日期或月份的排行榜暢銷歌曲。舉例來說，顧客可以找出歷年來自己生日時(shí)所有流行曲目。該公司還提供一款機(jī)器人形狀的IG貼紙，為自拍增添天馬行空的創(chuàng)意。Paco Rabanne已在8月時(shí)全球
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適用于電池供電設(shè)備的熱感知高功率高壓板

電池供電馬達(dá)控制方案為設(shè)計(jì)人員帶來多項(xiàng)挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱效能至今仍十分棘手且耗時(shí)；但現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計(jì)人員可利用現(xiàn)代化電熱仿真器輕松縮短上市時(shí)間。如今，電池供電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)解決方案通?？捎脴O低的工作電壓提供數(shù)百瓦的功率。在此類應(yīng)用中，為確保整個(gè)系統(tǒng)的效能和可靠性，必須正確管理馬達(dá)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電流。事實(shí)上，馬達(dá)電流可能會(huì)超過數(shù)十安培，導(dǎo)致變流器內(nèi)部耗散功率提升。為變流器組件施加較高的功率將會(huì)導(dǎo)致運(yùn)作溫度升高，效能下降，如果超過最額定功率，甚至?xí)蝗煌Ｖ惯\(yùn)作。優(yōu)化熱效能同時(shí)縮小大小，是變流器設(shè)計(jì)過程中的重要一
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ST與Sierra Wireless合作簡(jiǎn)化加速物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)方案部署

意法半導(dǎo)體（ST）與全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)供貨商Sierra Wireless宣布合作協(xié)議，讓STM32微控制器（MCU）開發(fā)社群能夠使用Sierra Wireless彈性的蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)和邊緣至云端解決方案。 STM32 MCU與Sierra Wireless彈性的全球蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)和邊緣至云端解決方案，簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備部署。該協(xié)議可協(xié)助開發(fā)者解決建立和部署物聯(lián)網(wǎng)解決方案所涉及的各種挑戰(zhàn)，包含裝置設(shè)計(jì)研發(fā)、蜂巢式網(wǎng)絡(luò)安裝和與云端服務(wù)聯(lián)機(jī)，以加速產(chǎn)品上市。意法半導(dǎo)體部門副總裁暨微控制器事業(yè)部總經(jīng)
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ST：以可持續(xù)方式為世界創(chuàng)新技術(shù)

ST以可持續(xù)方式為可持續(xù)世界創(chuàng)造技術(shù)，實(shí)際上，這并不是新鮮事，ST自1987 年成立時(shí)就開始這樣做了。這個(gè)理念已深入我們的商業(yè)模式和企業(yè)文化 30余年，ST的創(chuàng)新技術(shù)讓客戶能夠因應(yīng)各種環(huán)境和社會(huì)挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體集團(tuán)副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負(fù)責(zé)人Jean-Louis CHAMPSEIX現(xiàn)今，新冠疫情還在世界各處肆虐，為加速推動(dòng)各種可持續(xù)發(fā)展行動(dòng)創(chuàng)造了條件，CTIMES特別訪問了意法半導(dǎo)體集團(tuán)副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負(fù)責(zé)人Jean-Louis CHAMPSEIX，了解該公司可持續(xù)發(fā)展的策略。Jean-Louis指出，對(duì)
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Rosenberger與ST合作開發(fā)獨(dú)特60GHz高速非接觸式連接器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和Rosenberger合作，開發(fā)非接觸式連接器，用于工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備的超可靠近距離點(diǎn)對(duì)點(diǎn)全雙工數(shù)據(jù)交換。 Rosenberger創(chuàng)新的非接觸式連接器 RoProxCon利用意法半導(dǎo)體的60GHz射頻收發(fā)器ST60A2高速傳輸數(shù)據(jù)，不受連接器的移動(dòng)、震動(dòng)、旋轉(zhuǎn)和污物（濕氣和灰塵）之影響，若為傳統(tǒng)的插銷與插座則可能導(dǎo)致聯(lián)機(jī)故障。ST60A2兼具Bluetooth?藍(lán)牙低功耗和高數(shù)據(jù)傳輸速率，打造出不再受線纜羈絆的新型醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用。Rosenberg
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意法半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel AB 強(qiáng)化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

近年隨著電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國(guó)際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅(qū)使SiC爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導(dǎo)體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料，因?yàn)橛锰蓟柚瞥傻男酒词购穸认鄬?duì)小也能夠經(jīng)受得起相對(duì)高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，GaN功率開關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
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意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級(jí)到8吋代表著ST針對(duì)汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導(dǎo)體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對(duì)于芯片良率和晶體位錯(cuò)誤之缺陷非常低。其低缺
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為技術(shù)找到核心多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新

觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢(shì)，可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來著眼?；旧习雽?dǎo)體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨(dú)立電子、計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺(tái)積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會(huì)看到一種新的突破，因?yàn)樗麄冏钣锌赡苻D(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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