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格羅方德14HP制程技術(shù)量產(chǎn) 為IBM量身打造

  •   半導(dǎo)體大廠格羅方德半導(dǎo)體(GLOBALFOUNDRIES,GF)表示,其14nmHighPerformance(HP)技術(shù)現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn),此技術(shù)將運(yùn)用于IBM新一代服務(wù)器系統(tǒng)的處理器。在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知運(yùn)算時(shí)代,這項(xiàng)由雙方共同研發(fā)的14HP制程,將協(xié)助IBM為其支援的云端、商務(wù)及企業(yè)級解決方案提供高效能及資料處理能力等兩大優(yōu)勢。14HP是業(yè)界唯一在絕緣層上硅(SOI)基板整合3DFinFET電晶體架構(gòu)的技術(shù)。此技術(shù)擁有17層的金屬堆疊,每片芯片具有超過80億個(gè)電晶體,并運(yùn)用內(nèi)嵌式DRAM和其他創(chuàng)新功能,提供
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格羅方德推出12nm制程 成都新廠也將于2018年底投產(chǎn)

  •   格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)于22日宣布推出全新12nm Leading-Performance (12LP) FinFET半導(dǎo)體制程計(jì)劃。格羅方德表示,此技術(shù)將可望超越格羅方德現(xiàn)行14nm FinFET技術(shù)的產(chǎn)品,提供密度及效能上提升,進(jìn)而滿足運(yùn)算密集型的應(yīng)用,例如包括人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)、高端智能手機(jī)以及網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)等的處理需求。   格羅方德指出,相較于現(xiàn)今市場上的16nm和14nm FinFET制程解決方案,全新12LP技術(shù)可提供高達(dá)15%的電路密度提升,以及超過10%的效能強(qiáng)化
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格羅方德成都廠10月底前封頂 多家企業(yè)已尋求合作

  •   備受電子信息行業(yè)關(guān)注的格羅方德12英寸晶圓成都制造基地項(xiàng)目又有新進(jìn)展。9月20日,記者從成都高新區(qū)獲悉,位于成都高新區(qū)西部園區(qū)的格羅方德Fab11晶圓代工廠項(xiàng)目近日舉行芯片廠房鋼桁架吊裝儀式,芯片廠房將在10月底前封頂。   今年2月,全球第二大晶圓代工廠格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司在成都高新區(qū)啟動累計(jì)投資超過100億美元的12英寸晶圓制造基地項(xiàng)目(即代號為“Fab11”的格羅方德晶圓代工廠),并發(fā)布公司在中國市場的全新中文名稱“格芯”。5月,格羅方德又
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格羅方德:AMD產(chǎn)品100%由GF制造

  •   早先于2017年初時(shí),AMD推出了Ryzen處理器,當(dāng)時(shí)外傳該公司將會放棄與多年戰(zhàn)友GLOBALFOUNDRIES合作,轉(zhuǎn)而交由三星或是臺積電代工生產(chǎn);不過, 當(dāng)時(shí)AMD對外聲明,其新一代處理器將仍由GLOBALFOUNDRIES代工。   對于此一傳言,GLOBALFOUNDRIES資深副總裁Thomas Caulfield也表示,AMD目前所有芯片產(chǎn)品代工服務(wù),無論是最新一代的Ryzen處理器、高端顯示適配器,以及CPU等, 都將百分之百由GLOBALFOUNDRIES所提供。   不過,Ca
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一張圖看懂三星/臺積電/格羅方德未來工藝進(jìn)展

  • 時(shí)間上都相差無幾,所以:我,代工廠,手機(jī)廠商請排隊(duì)打錢。
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傳格羅方德22FDX項(xiàng)目獲成都政府1億美元支持

  •   日前,有消息透露,Globalfounries 的22FDX 項(xiàng)目獲得成都政府1億美元的支持,這對Globalfounries或者FD-SOI來說,都有很重要的意義。   Globalfoundries是全球最大的半導(dǎo)體晶圓廠之一,擁有最負(fù)盛名的客戶,包括蘋果、AMD、 博通、IBM和高通。Globalfoundries在德國、新加坡、紐約和佛蒙特州設(shè)有制造中心,共有10家晶圓廠,甚至有單獨(dú)的200mm和300mm晶圓廠。Globalfoundries成立于2009年,當(dāng)時(shí)AMD將其晶圓廠從德累
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X30未能憑臺積電10nm“飛升” 聯(lián)發(fā)科或?qū)⒊鲎吒窳_方德

  • 對于聯(lián)發(fā)科來說,引入一個(gè)新的半導(dǎo)體代工企業(yè)也有助于它平衡與臺積電的關(guān)系,高通出走后臺積電其實(shí)也是相當(dāng)緊張的,去年就傳聞它希望吸引高通回歸采用它的10nm工藝,結(jié)果卻是高通進(jìn)一步將更多的芯片訂單轉(zhuǎn)往三星。
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客戶延遲訂單,又一晶圓代工巨頭宣布裁員!

  • 由于部分客戶延遲了相關(guān)訂單,造成公司業(yè)務(wù)量縮減。因此,格羅方德不得不在這個(gè)時(shí)間點(diǎn)上進(jìn)行相關(guān)的裁員動作。
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莫大康:中國半導(dǎo)體這場力量的博弈要堅(jiān)持不懈努力

  •   全球半導(dǎo)體業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移加劇,勢不可擋。面對新的形勢下,中國半導(dǎo)體業(yè)試圖借助“肩膀”,迅速提升自已,但是能否“如愿以償“,尚不好下最后的定論??峙逻@是一場力量的博弈,關(guān)鍵在于自身要努力。   回顧剛開始芯片生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移中國時(shí),外方都采用獨(dú)資模式,因?yàn)樗鼈冏陨聿蝗辟Y金,更多方面是擔(dān)心IP的洩漏。本來西方的“瓦圣約條約”對于芯片生產(chǎn)線的轉(zhuǎn)移中國是有嚴(yán)格的限止,然而經(jīng)過實(shí)踐的證明,它們的疑慮消失。因此海力士,英特爾,三星,之后的臺積電都
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如何看待格羅方德來中國設(shè)工廠?

  • 與格羅方德成立合資公司并非重復(fù)引進(jìn)淘汰技術(shù),也不會對國內(nèi)中芯國際、華力微等廠商造成多大沖擊。
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格羅方德“入川” 中美半導(dǎo)體領(lǐng)域博弈日趨激烈

  •   “用美國貨,雇美國人”,美國總統(tǒng)特朗普在他“Make America Great Again”的口號中反復(fù)強(qiáng)調(diào)將工作機(jī)會轉(zhuǎn)移回美國本土的決心和意志,而大批的制造型企業(yè)在這一過程中就成了首要針對的目標(biāo)。而政府的施壓顯然也起到了一定的作用,英特爾和富士康先后傳出將投入70億美元在美國建立工廠。   然而,一切也顯然并非都如特朗普所預(yù)期。2月10日,全球第二大晶圓代工廠商格羅方德(Global Foundries)宣布以百億美元在中國成都建立12英寸晶圓制造
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英特爾、富士康轉(zhuǎn)向美國 格羅方德卻在中國投百億建廠

  •   特朗普上臺后,一個(gè)顯著的執(zhí)政特點(diǎn)就是增加了對大公司的壓力。這一措施可謂立竿見影:富士康等一批公司宣布計(jì)劃在美國建廠,英特爾也重申了早期的建廠計(jì)劃。這些似乎表明美國正在獲得高端制造業(yè)巨頭的支持。   但周五(2月10日),全球第二大晶圓代工廠芯片制造商格羅方德(GlobalFoundries)卻宣布在中國成都建立12英寸晶圓制造基地,項(xiàng)目價(jià)值近百億美元。   據(jù)報(bào)道,總投資約90.53億美元的格芯12英寸晶圓項(xiàng)目簽約及奠基儀式,于10日上午在成都市高新西區(qū)隆重舉行。   對此,四川省委書記王東
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格羅方德在成都建立12英寸晶圓生產(chǎn)基地 投資超百億美元

  •   新年春節(jié)剛過,2月10日,從成都傳來重磅消息,全球第二大晶圓代工廠格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司(GlobalFoundries)在此宣布,正式啟動建設(shè)12英寸晶圓成都制造基地,推動實(shí)施成都集成電路生態(tài)圈行動計(jì)劃,投資規(guī)模累計(jì)超過100億美元?! 「窳_方德是全球領(lǐng)先的集成電路企業(yè),致力于為全球最出色的科技公司提供獨(dú)一無二的設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造服務(wù)。  當(dāng)天,格羅方德?12英寸晶圓成都制造基地項(xiàng)目在成都高新區(qū)正式簽約并舉行開工儀式?! 〗陙恚啥及央娮有畔a(chǎn)業(yè)作為“突出發(fā)展”的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)來抓,采
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格羅方德業(yè)務(wù)拓展以滿足全球客戶需求

  •   格羅方德今日公布其全球制造業(yè)務(wù)版圖的擴(kuò)展計(jì)劃,以滿足客戶對其專有尖端技術(shù)的迫切增長的需求。公司不僅在美國和德國繼續(xù)投資其現(xiàn)有的先進(jìn)晶圓制造廠,在中國成都設(shè)立全新工廠以積極發(fā)展中國市場,并在新加坡擴(kuò)充其成熟技術(shù)產(chǎn)品的產(chǎn)能。  格羅方徳首席執(zhí)行官Sanjay?Jha表示:“為滿足全球客戶群的需求,我們將不斷在產(chǎn)能和技術(shù)上進(jìn)行投資。從應(yīng)用于無線互聯(lián)設(shè)備的世界頂級?RF-SOI?平臺,到占據(jù)科技前沿的?FD-SOI?和FinFET工藝路線圖,這些均見證了市場對
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格羅方德展示基于先進(jìn)14nm FinFET工藝技術(shù)的業(yè)界領(lǐng)先56Gbps長距離SerDes

  •   格羅方德公司今天宣布,已證實(shí)運(yùn)用14納米FinFET工藝在硅芯片上實(shí)現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分,F(xiàn)X-14? 具有56Gbps SerDes,致力于為提高功率和性能的客戶需求而生,亦為應(yīng)對最嚴(yán)苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準(zhǔn)備?! 「窳_方德56Gbps SerDes 內(nèi)核同時(shí)支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導(dǎo),可補(bǔ)償超過35dB的插入損耗,因而無須在目前極
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格羅方德介紹

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