電子設(shè)計基礎(chǔ):電容 文章 進(jìn)入電子設(shè)計基礎(chǔ):電容技術(shù)社區(qū)
去耦電容:原理、選型、容值計算、布局布線
- 電源完整性在現(xiàn)今的電子產(chǎn)品中相當(dāng)重要。有幾個有關(guān)電源完整性的層面:芯片層面、芯片封裝層面、電路板層面及系統(tǒng)層面。在電路板層面的電源完整性要達(dá)到以下三個需求:1、使芯片引腳的電壓噪聲+電壓紋波比規(guī)格要求要小一些(例如芯片電源管腳的輸入電壓要求1V之間的誤差小于+/-50 mV)2、控制接地反彈(地彈)(同步切換噪聲SSN、同步切換輸出SSO)3、降低電磁干擾(EMI)并且維持電磁兼容性(EMC):電源分布網(wǎng)絡(luò)(PDN)是電路板上最大型的導(dǎo)體,因此也是最容易發(fā)射及接收噪聲的天線?!暗貜棥?,是指芯片內(nèi)部“地”電
- 關(guān)鍵字: 電容 去耦電容 PCB設(shè)計
為什么是0.1uF電容?
- 旁路電容是電子設(shè)計中常用的電容器之一,主要用于過濾電源噪聲和穩(wěn)定電源電壓。在實際應(yīng)用中,0.1uF電容器是最常用的旁路電容值之一,那么為什么常用旁路電容是0.1uF而不是其他值?這個值又是怎么來的呢?本文將深入探討這個問題。旁路電容濾除電源輸出干擾在實際應(yīng)用中,旁路電容的選擇需要考慮多個因素,例如電源噪聲頻率、容值大小、ESR、EMI等。不同的電路設(shè)計可能需要不同的旁路電容值。但是,我們發(fā)現(xiàn)0.1uF電容器是最常用的旁路電容值之一。01容值大小旁路電容的大小需要根據(jù)電路的實際情況來選擇,電源噪聲的濾波電容
- 關(guān)鍵字: 電容 無源器件 旁路電容
MLCC制作工藝流程
- MLCC制作工藝流程:1、原材料——陶瓷粉配料關(guān)鍵的部分(原材料決定MLCC的性能);2、球磨——通過球磨機(jī)(大約經(jīng)過2-3天時間球磨將瓷份配料顆粒直徑達(dá)到微米級);3、配料——各種配料按照一定比例混合;4、和漿——加添加劑將混合材料和成糊狀;5、流沿——將糊狀漿體均勻涂在薄膜上(薄膜為特種材料,保證表面平整);6、印刷電極——將電極材料以一定規(guī)則印刷到流沿后的糊狀漿體上(電極層的錯位在這個工藝上保證,不同MLCC的尺寸由該工藝保證);對卷狀介電體板涂敷金屬焊料,以作為內(nèi)部電極。近年來,多層陶瓷電容器以N
- 關(guān)鍵字: 電容 無源器件 MLCC
微納電容測量挑戰(zhàn):如何精準(zhǔn)測量fF級超低電容?
- 典型的半導(dǎo)體電容在pF或nF范圍內(nèi)。許多商業(yè)上可用的LCR表或電容計補(bǔ)償后可以使用適當(dāng)?shù)臏y量技術(shù)來測量這些值,然而,一些應(yīng)用需要在飛秒法(fF)或1e-15范圍內(nèi)進(jìn)行非常靈敏的電容測量。這些應(yīng)用包括測量金屬到金屬的電容,晶片上的互連電容,MEMS器件,如:開關(guān),納米器件端子之間的電容。如果沒有使用適當(dāng)?shù)膬x器和測量技術(shù),這些非常小的電容很難進(jìn)行測量。使用4200A-SCS參數(shù)分析儀配備的4215-CVU(CVU),用戶能夠測量大范圍的電容,<1pF非常低的電容值也能測到。CVU采用獨特的電路設(shè)計,并由
- 關(guān)鍵字: 電容 測量
芯片附近0.1uF電容的作用
- 電容思維導(dǎo)圖如下:電容有四大作用:去耦、耦合(隔直通交)、濾波、儲能。今天我們主要談?wù)撊ヱ钭饔?。電容封裝相信大家都用過這幾種電容,板子上最多的是多層陶瓷電容。鉭電容:主要用在電源電路中,博主被它炸過很多次......去耦電容這是 STM32F103 最小系統(tǒng)原理圖,STM32F103VET6 需要五路 3.3V 供電,他的 3.3V 一般來源于 LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器),比如 LM1117。5V轉(zhuǎn)3.3V的電路:LDO 比 DC-DC 的方式(TPS5430)更能提供穩(wěn)定的電壓,但對芯片來說依舊不夠,我
- 關(guān)鍵字: 電容 選型推薦 濾波
開關(guān)電源輸入電容
- 輸入電容紋波電流有效值計算相信很多人都知道Buck電路中輸入電容紋波電流有效值,在連續(xù)工作模式下可以用以下公式來計算:然而,相信也有很多人并不一定知道上面的計算公式是如何推導(dǎo)出來的,下文將完成這一過程。眾所周知,在BuckConverter電路中Q1的電流(IQ1)波形基本如圖1所示:0~DTs期間為一半梯形,DTs~Ts期間為零。當(dāng)0~DT期間Iq1 ⊿I足夠小時(不考慮輸出電流紋波的影響),則Iq1波形為近似為一個高為Io、寬為DTs的矩形,則有:Iin=(Vo/Vin)*Io=DIo (Iin,只要
- 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源 電容
電容電壓分隔器
- 我們看到一個電容器由兩個平行的導(dǎo)電板組成,該電導(dǎo)板由絕緣體分離,并且在一塊板上具有正( + )電荷,另一個板上的負(fù)電荷( -)電荷在另一個板上?! ∥覀冞€看到,當(dāng)連接到DC(直流電流)電源時,一旦電容器充滿電,絕緣體(稱為介電)會阻止電流通過它的流動。 電容器像電阻一樣反對電流流動,但與電阻器以熱的形式消散其不必要的能量,當(dāng)電荷充電和釋放時,電容器將能量存儲在其板上,或者在放電時將能量歸還到連接的電路中。 電容器通過將電荷在其板上存儲在電流中反向或“反應(yīng)”的能力稱為“電抗”,因此,由于該電抗與電容器有
- 關(guān)鍵字: 電容 電壓 分隔器
說說電容噪聲嘯叫的問題
- MLCC——多層片式陶瓷電容器,簡稱貼片電容,會引起噪聲嘯叫問題,這是為什么了?聲音源于物體振動,振動頻率為20Hz~20 kHz的聲波能被人耳識別。MLCC發(fā)出嘯叫聲音,即是說,MLCC在電壓作用下發(fā)生幅度較大的振動(微觀的較大,小于1nm)。MLCC為什么會振動?在了解MLCC為什么要振動之前,我們要先了解一種自然現(xiàn)象,在外電場作用下,所有的物質(zhì)都會產(chǎn)生伸縮形變——電致伸縮。對于某些高介電常數(shù)的鐵電材料,電致伸縮效應(yīng)劇烈,稱為——壓電效應(yīng)。壓電效應(yīng)的定義:在沒有對稱中心的晶體上施加壓力、張力和切向力時
- 關(guān)鍵字: 電容 無源器件 電路設(shè)計
誰會關(guān)心高速串行信號中的隔直電容器到底放到哪呢?
- 在高速串行電路中,隔直電容放到哪里好呢?一些工程師的回答無非會是兩種情況:放到驅(qū)動端或者是放到接收端。有人說放到接收端,原因是:由于信號從驅(qū)動端通過傳輸線到接收端,期間會造成衰減,上升時間也會延長,當(dāng)信號最終到達(dá)接收端的電容時,大部分的高頻分量已經(jīng)沒有了,反射減少了,因此能有更多的信號到達(dá)接收端。(時域)一個SI工程師可能會告訴你:對于所有的無源鏈路,鏈路中所有的元素都是互相影響的,整個拓?fù)湟彩怯嘘P(guān)聯(lián)的,不管信號是向前傳還是向后傳都是一樣的。因此,跟電容放哪沒關(guān)系。(頻域)為了解決這個問題,下邊用簡單的方
- 關(guān)鍵字: 電容 無源器件 電路設(shè)計
一文讀懂 MLCC 電應(yīng)力擊穿,硬件工程師必備知識
- 在電子設(shè)備的硬件設(shè)計中,多層陶瓷電容器(MLCC)是極為常見且關(guān)鍵的電子元件。它以其體積小、容量大、等效串聯(lián)電阻低等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于各類電路。然而,MLCC 在工作過程中可能會遭遇電應(yīng)力擊穿問題,這不僅影響設(shè)備的性能,還可能導(dǎo)致嚴(yán)重的失效。對于硬件工程師而言,深入了解 MLCC 電應(yīng)力擊穿機(jī)理,掌握失效分析方法和可靠性設(shè)計要點,是確保電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵。一、陶瓷電容的基本結(jié)構(gòu)片式多層陶瓷電容器的結(jié)構(gòu)主要包括三大部分:陶瓷介質(zhì),金屬內(nèi)電極,金屬外電極。在 其內(nèi)部,金屬電極層與陶瓷介質(zhì)層交替堆疊;金屬內(nèi)電
- 關(guān)鍵字: 電容 無源器件 電路設(shè)計
一顆電容引發(fā)的血案
- 在硬件設(shè)計這個看似平靜的江湖中,實則每一個決策都暗藏洶涌。每一個元器件的選擇,都可能成為項目成敗的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點。就像今天要講的這個故事,一顆小小的電容,差點引發(fā)一場 “血案”。一、背景與問題暴露在神秘的以全志T527為核心芯片的“算力智能終端”的項目里,設(shè)計初期,Buck 電路的輸入電容選用的是鋁電解電容,直接參考全志的Demo板。這顆鋁電解電容雖然具備大容量、低成本的特點,但其缺點也十分明顯。它體積龐大,在電路板這個狹小的空間里,嚴(yán)重影響布局的合理性,如同巨人在狹窄巷道中艱難前行;等效串聯(lián)電阻(ESR)過
- 關(guān)鍵字: 電容 無源器件
去耦電容,是“耦”了什么?非要“去”了?
- “去耦” 中的 “耦” 原指耦合,在電路里,耦合表示兩個或多個電路部分之間存在相互影響、相互干擾的電氣連接關(guān)系。去耦電容名字里的 “去耦”,意在減少電路不同部分之間不必要的耦合干擾,具體原理如下:切斷高頻干擾傳導(dǎo)路徑:在電子電路系統(tǒng)中,不同的電路模塊、器件各自工作,由于共用電源線路,一個模塊產(chǎn)生的高頻噪聲很容易順著電源線 “串門”,干擾到其他正常工作的模塊,這就是一種耦合現(xiàn)象。去耦電容利用自身特性,為高頻信號提供一條低阻抗的旁路通道,讓高頻噪聲優(yōu)先通過電容流入地,而非沿著電源線亂竄,切斷了高頻干擾在電路各
- 關(guān)鍵字: 電路設(shè)計 去耦 電容
貼片電感失效原因分析
- 電感器失效模式:電感量和其他性能的超差、開路、短路。貼片功率電感失效原因:1.磁芯在加工過程中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力較大,未得到釋放;2.磁芯內(nèi)有雜質(zhì)或空洞磁芯材料本身不均勻,影響磁芯的磁場狀況,使磁芯的磁導(dǎo)率發(fā)生了偏差;3.由于燒結(jié)后產(chǎn)生的燒結(jié)裂紋;4.銅線與銅帶浸焊連接時,線圈部分濺到錫液,融化了漆包線的絕緣層,造成短路;5.銅線纖細(xì),在與銅帶連接時,造成假焊,開路失效。一、耐焊性低頻貼片功率電感經(jīng)回流焊后感量上升<20%。由于回流焊的溫度超過了低頻貼片電感材料的居里溫度,出現(xiàn)退磁現(xiàn)象。貼片電感退磁后,
- 關(guān)鍵字: 電容 無源器件 失效分析
電子設(shè)計基礎(chǔ):電容介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條電子設(shè)計基礎(chǔ):電容!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對電子設(shè)計基礎(chǔ):電容的理解,并與今后在此搜索電子設(shè)計基礎(chǔ):電容的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對電子設(shè)計基礎(chǔ):電容的理解,并與今后在此搜索電子設(shè)計基礎(chǔ):電容的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
