碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

SiC開(kāi)始加速批量上車

在新能源汽車技術(shù)的演進(jìn)歷程中，碳化硅（SiC）技術(shù)已成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。作為第三代半導(dǎo)體的代表材料，SiC 憑借其卓越的性能優(yōu)勢(shì)，已深度融入新能源汽車的核心系統(tǒng)，開(kāi)啟了新能源汽車性能提升與技術(shù)創(chuàng)新的新篇章。從高端豪華車型到大眾普及款，從純電動(dòng)到混合動(dòng)力，SiC 技術(shù)的應(yīng)用范圍不斷拓展，正以前所未有的速度實(shí)現(xiàn)批量上車，重塑新能源汽車的技術(shù)格局與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。碳化硅實(shí)現(xiàn)多價(jià)格區(qū)間車型覆蓋SiC 技術(shù)已成為車企在新能源汽車賽道上差異化競(jìng)爭(zhēng)的核心要素，如今已廣泛覆蓋 10 萬(wàn)至 150 萬(wàn)元價(jià)格區(qū)間的車型
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SiC襯底市場(chǎng) 去年?duì)I收減9%

TrendForce最新研究，2024年汽車、工業(yè)需求走弱，SiC基板出貨量成長(zhǎng)放緩，與此同時(shí)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，產(chǎn)品價(jià)格大幅下跌，導(dǎo)致2024年全球N-type（導(dǎo)電型）SiC基板產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年減9%，為10.4億美元。進(jìn)入2025年，即便SiC基板市場(chǎng)持續(xù)面臨需求疲軟、供給過(guò)剩的雙重壓力，然而，長(zhǎng)期成長(zhǎng)趨勢(shì)依舊不變，隨著成本逐漸下降、半導(dǎo)體元件技術(shù)不斷提升，未來(lái)SiC應(yīng)用將更為廣泛，特別是在工業(yè)領(lǐng)域的多樣化。同時(shí)，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的環(huán)境下，加速企業(yè)整合，重新塑造產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局。TrendForce分析各供應(yīng)商營(yíng)收
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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽(yáng)能系統(tǒng)采用

全球先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電及儲(chǔ)能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡(jiǎn)稱“SMA”）在其太陽(yáng)能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽(yáng)能發(fā)電設(shè)施、儲(chǔ)能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計(jì)的模塊化平臺(tái)，旨在進(jìn)一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實(shí)
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英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現(xiàn)更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開(kāi)發(fā)了用于固態(tài)保護(hù)和配電設(shè)計(jì)的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。JFET 通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)來(lái)控制電導(dǎo)率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場(chǎng)。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss）和 2.3 mΩ （1200 V BDss）的超低 R DS（ON），可顯著降低導(dǎo)通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路
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利用 SMFA 系列非對(duì)稱 TVS 二極管實(shí)現(xiàn)高效 SiC MOSFET 柵極保護(hù)

引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，開(kāi)關(guān)損耗也在不斷降低。隨著開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人員應(yīng)更加關(guān)注MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路，確保對(duì)MOSFET的安全控制，防止寄生導(dǎo)通，避免損壞功率半導(dǎo)體。必須保護(hù)敏感的MOSFET柵極結(jié)構(gòu)免受過(guò)高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護(hù)解決方案，有助于最大限度地延長(zhǎng)電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)措施關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)器電路的穩(wěn)健性，有幾個(gè)問(wèn)題值得考慮。除了驅(qū)動(dòng)器安全切換半導(dǎo)
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電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

以Vishay SiE848DF的數(shù)據(jù)手冊(cè)圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí)，這包括施加的電壓加上任何感性感應(yīng)電壓。對(duì)于感性負(fù)載，MOSFET 兩端的電壓實(shí)際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過(guò)最大漏源電壓并且電流沖
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新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達(dá)到業(yè)界頂級(jí)水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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格力家用空調(diào)搭載SiC芯片突破100萬(wàn)臺(tái)

4月22日下午，格力電器召開(kāi)2025年第一次臨時(shí)股東大會(huì)，相比過(guò)往歷次股東大會(huì)都被安排在格力地產(chǎn)總部辦公樓，本次股東大會(huì)首次被安排在格力電器珠海碳化硅芯片工廠舉行。據(jù)悉，該工廠自2024年投產(chǎn)以來(lái)，其碳化硅功率芯片在家用空調(diào)中的裝機(jī)量已經(jīng)突破100萬(wàn)臺(tái)。SiC材料具有高耐壓、高頻率、高效率等優(yōu)勢(shì)，能夠顯著提升空調(diào)的能效。搭載SiC芯片后，空調(diào)的電能轉(zhuǎn)換效率得到優(yōu)化，制冷制熱效果增強(qiáng)，實(shí)現(xiàn)能耗降低，同時(shí)可以提升產(chǎn)品性能、降低能耗，增強(qiáng)格力空調(diào)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。格力該工廠是全球第二座、亞洲首座全自動(dòng)化6英寸碳化硅
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碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相

全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型，而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu) 中，相比于從前，一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的，但是這種多層級(jí)的能源轉(zhuǎn)換，每一步都會(huì)帶來(lái)一定的能耗損失，因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。SiC正是功率半導(dǎo)體的能效提升技術(shù) ，它的出現(xiàn)滿足了低碳化時(shí)代兩大全新的市場(chǎng)需求：1能效創(chuàng)新： SiC技術(shù)在光伏、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心等大功率電源管理領(lǐng)域，能夠顯著
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清純半導(dǎo)體和微碧半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品

近日，清純半導(dǎo)體和VBsemi（微碧半導(dǎo)體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體技術(shù)在快充效率、高功率密度應(yīng)用等領(lǐng)域取得了重大突破。01清純半導(dǎo)體推出第3代SiC MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)4月21日，清純半導(dǎo)體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，比導(dǎo)通電阻系數(shù)Rsp達(dá)到2.1 mΩ·cm2，處于國(guó)際領(lǐng)先水平。source：清純半導(dǎo)體（圖為清純半導(dǎo)體1、2、3代產(chǎn)品比電阻Rs
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SiC為數(shù)據(jù)中心的冷卻風(fēng)扇提供高密度電源

碳化硅（SiC）正在接管電動(dòng)汽車中的三相牽引逆變器，將電池中的直流電轉(zhuǎn)換為用于控制電機(jī)的交流電。但是，由于 SiC 能夠處理更高的電壓、更好的散熱和更快的開(kāi)關(guān)頻率，因此也適用于更緊湊的電動(dòng)機(jī)中的三相逆變器。其中包括數(shù)據(jù)中心的電子換向（EC）冷卻風(fēng)扇，這些風(fēng)扇消耗了更多的電力來(lái)運(yùn)行 AI 訓(xùn)練和推理，并在此過(guò)程中產(chǎn)生了更多的熱量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模塊（IPM），與 IGBT 相比，為這些冷卻風(fēng)扇帶來(lái)了更高的功率密度和效率。1,200 V 模塊基
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碳化硅急需開(kāi)辟電動(dòng)汽車之外的第二條戰(zhàn)線

電能與智能是現(xiàn)代社會(huì)發(fā)展的兩大主題，電能如同工業(yè)文明的血液系統(tǒng)，提供物理世界運(yùn)行的能量基礎(chǔ)，智能恰似數(shù)字文明的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，構(gòu)建數(shù)字空間的決策中樞。作為電能轉(zhuǎn)換的智能開(kāi)關(guān)，功率半導(dǎo)體在構(gòu)建現(xiàn)代社會(huì)能源體系中發(fā)揮著關(guān)鍵性的樞紐作用，通過(guò)對(duì)電壓、電流和頻率的精準(zhǔn)調(diào)控，功率半導(dǎo)體可以有效地提升電能轉(zhuǎn)換效率。經(jīng)過(guò)七十年的發(fā)展，功率半導(dǎo)體經(jīng)歷了兩次大的技術(shù)升級(jí)，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS為代表的第二代功率器件替代以可控硅晶閘管和MOSFET為代表的第一代功率器件，由于同屬硅基材料體系，第二代功率器件兼具成
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SiC MOSFET如何提高AI數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

如今所有東西都存儲(chǔ)在云端，但云究竟在哪里？答案是數(shù)據(jù)中心。我們對(duì)圖片、視頻和其他內(nèi)容的無(wú)盡需求，正推動(dòng)著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。國(guó)際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計(jì)在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。這不僅增加了運(yùn)營(yíng)成本，還給早已不堪重負(fù)的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)施帶來(lái)了巨大的壓力，亟需大規(guī)模的投資升級(jí)。隨著數(shù)據(jù)中心耗電量急劇增加，行業(yè)更迫切地需要能夠高效轉(zhuǎn)換電力的功率半導(dǎo)體。這種需求的增長(zhǎng)一方面是為了降低運(yùn)營(yíng)成本
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是什么讓SiC開(kāi)始流行？

碳化硅是一種眾所周知的堅(jiān)硬和復(fù)雜的材料。用于制造 SiC 功率半導(dǎo)體的晶圓生產(chǎn)利用制造工藝、規(guī)格和設(shè)備的密集工程來(lái)實(shí)現(xiàn)商業(yè)質(zhì)量和成本效益。必要性與發(fā)明寬禁帶半導(dǎo)體正在改變電力電子領(lǐng)域的游戲規(guī)則，使系統(tǒng)級(jí)效率超越硅器件的實(shí)際限制，并帶來(lái)額外的技術(shù)特定優(yōu)勢(shì)。在碳化硅（SiC）的情況下，導(dǎo)熱性、耐溫能力和擊穿電壓與通道厚度的關(guān)系優(yōu)于硅，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并確保了更高的可靠性。由于它們的簡(jiǎn)單性，SiC 的孕育使二極管領(lǐng)先于 MOSFET 進(jìn)入市場(chǎng)。現(xiàn)在，隨著技術(shù)進(jìn)步收緊工藝控制、提高良率并
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢(shì)。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過(guò)三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開(kāi)篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu)，更對(duì)關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢(shì)及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其
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