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簡(jiǎn)介 文章 進(jìn)入簡(jiǎn)介技術(shù)社區(qū)
LDO原理結(jié)構(gòu)及應(yīng)用簡(jiǎn)介
- LDO的種類 LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器,它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點(diǎn)在于,LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)?! DO按其靜態(tài)耗流來(lái)分,分為OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產(chǎn)品?! mn
- 關(guān)鍵字: 簡(jiǎn)介 應(yīng)用 結(jié)構(gòu) 原理 LDO
非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)介
- 開發(fā)太陽(yáng)能電池的兩個(gè)關(guān)鍵問題就是:提高轉(zhuǎn)換效率和 降低成本。由于非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池的成本低,便于大規(guī)模生產(chǎn),普遍受到人們的重視并得到迅速發(fā)展,其實(shí)早在70年代初,Carlson等就已經(jīng)開始了對(duì)非晶硅電池的研制
- 關(guān)鍵字: 簡(jiǎn)介 太陽(yáng)能電池 薄膜 非晶
多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)介
- 通常的晶體硅太陽(yáng)能電池是在厚度350-450mu;m的高質(zhì)量硅片上制成的,這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料,人們從70年代中期就開始在廉價(jià)襯底上沉積多晶硅薄膜,但由于生
- 關(guān)鍵字: 簡(jiǎn)介 太陽(yáng)能電池 薄膜 多晶硅
集成電路簡(jiǎn)介及其設(shè)計(jì)
- 一、集成電路及其特點(diǎn)
集成電路是利用氧化,光刻,擴(kuò)散,外延,蒸鋁等集成工藝,把晶體管,電阻,導(dǎo)線等集中制作在一小塊半導(dǎo)體(硅)基片上,構(gòu)成一個(gè)完整的電路。按功能可分為模擬集成電路和數(shù)字集成電路兩大類, - 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 及其 簡(jiǎn)介 集成電路
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