絕緣體上硅文章進入絕緣體上硅技術(shù)社區(qū)

550V無電壓折回逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設(shè)計

逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管（RC-LIGBT）由于高電流密度、小封裝成本等優(yōu)點，成為了功率器件領(lǐng)域內(nèi)主流器件之一，然而其會受到電壓折回現(xiàn)象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術(shù)的RCLIGBT器件，將續(xù)流二極管集成在位于埋氧層下的襯底，利用埋氧層的隔離特性實現(xiàn)了IGBT與續(xù)流二極管之間的電學隔離，進而實現(xiàn)了完全消除電壓折回現(xiàn)象。
關(guān)鍵字：逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管電壓折回現(xiàn)象絕緣體上硅導通壓降關(guān)斷損耗 202009

一種增大質(zhì)量塊的三軸MEMS加速度計的設(shè)計

　　馮?堃，張國俊，王姝婭，戴麗萍，鐘志親（電子科技大學?電子科學與工程學院，成都611731）　　摘?要：介紹了一種增大質(zhì)量塊設(shè)計的三軸MEMS加速度計。該加速度計基于絕緣體上硅（SOI）硅片，采用雙面光刻、干法刻蝕的工藝，利用了部分SOI硅片的底層硅部分來增大加速度計的質(zhì)量塊，設(shè)計了基于單一米字形質(zhì)量塊的三軸MEMS電容式微加速度計。根據(jù)不同的外界加速度對器件產(chǎn)生的不同位移，研究了在三個軸向的加速度計的靈敏度，同時分析了加速度計的交叉軸耦合的影響。最后結(jié)合Ansys仿真結(jié)果得出：所設(shè)計的微加速度計具有
關(guān)鍵字： 202005 微機械系統(tǒng) 三微加速度計高靈敏度絕緣體上硅

共2條 1/1 1

絕緣體上硅介紹

　　絕緣體上硅（SOI，Silicon-on-insulator）被業(yè)界公認為納米技術(shù)時代取代現(xiàn)有單晶硅材料的解決方案之一，是維持 Moore 定律走勢的一大利器。絕緣體上硅是指以“工程化的”基板代替?zhèn)鹘y(tǒng)的體型襯底硅的基板技術(shù)，應(yīng)用于諸如軍事和空間電子系統(tǒng)等一些專門場合已有20多年，由于SOI具有良好的抗輻射性和高速特性，使它在這些領(lǐng)域具有獨特的優(yōu)勢。　　SOI 材料是 SOI 技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，S [ 查看詳細 ]

国产亚洲精品AA片在线观看,丰满熟妇HD,亚洲成色www成人网站妖精,丁香五月天婷婷五月天男人天堂

絕緣體上硅文章進入絕緣體上硅技術(shù)社區(qū)

550V無電壓折回逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設(shè)計

一種增大質(zhì)量塊的三軸MEMS加速度計的設(shè)計

絕緣體上硅介紹

熱門主題

国产亚洲精品AA片在线观看,丰满熟妇HD,亚洲成色www成人网站妖精,丁香五月天婷婷五月天男人天堂

絕緣體上硅 文章 進入絕緣體上硅技術(shù)社區(qū)

550V無電壓折回逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管器件設(shè)計

一種增大質(zhì)量塊的三軸MEMS加速度計的設(shè)計

絕緣體上硅介紹

熱門主題

絕緣體上硅文章進入絕緣體上硅技術(shù)社區(qū)