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英飛凌SiC超結(jié)技術(shù)樹立新標(biāo)準(zhǔn)，加速電動(dòng)汽車普及與工業(yè)效率提升
- 英飛凌科技股份公司作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越性能與高可靠性相結(jié)合的解決方案引領(lǐng)行業(yè)。目前，CoolSiC?產(chǎn)品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲(chǔ)能及高功率牽引逆變器等?，F(xiàn)在，英飛凌又憑借豐富的SiC業(yè)務(wù)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及在硅基電荷補(bǔ)償器件（CoolMOS?）領(lǐng)域的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，推出了SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)。ID-PAK封裝MDIP-04-01英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter W
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sic超結(jié)技術(shù)介紹
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