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x-gan 文章 進(jìn)入x-gan技術(shù)社區(qū)
GaN可靠性里程碑突破硅天花板
- 半導(dǎo)體行業(yè)正處于性能、效率和可靠性必須同步發(fā)展的階段。AI 基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車、電源轉(zhuǎn)換和通信系統(tǒng)的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來(lái)越受到關(guān)注，因?yàn)樗梢詽M足這些需求。該行業(yè)已經(jīng)到了這樣一個(gè)地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規(guī)模地部署它。二十多年來(lái)，我專注于外延生長(zhǎng)，見(jiàn)證了 GaN 從一種利基研究驅(qū)動(dòng)型材料轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏﹄娮宇I(lǐng)域的領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)者。進(jìn)展是穩(wěn)定的，不是一蹴而就的?，F(xiàn)在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統(tǒng)定位自己的公司。設(shè)備性能從外延開(kāi)始對(duì)于 G
- 關(guān)鍵字： GaN 可靠性 硅
通過(guò)集成驅(qū)動(dòng)器和高級(jí)保護(hù)功能簡(jiǎn)化GaN電源設(shè)計(jì)
- 高效率和高功率密度是為當(dāng)今產(chǎn)品設(shè)計(jì)電源時(shí)的關(guān)鍵特性。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，開(kāi)發(fā)人員正在轉(zhuǎn)向氮化鎵 （GaN），這是一種可實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的功率半導(dǎo)體技術(shù)相比，GaN 最大限度地減少了所需無(wú)源元件的尺寸，同時(shí)降低了柵極驅(qū)動(dòng)和反向恢復(fù)損耗。此外，半導(dǎo)體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時(shí)簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈。GaN 應(yīng)用在 650 V AC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，變壓器外形無(wú)鉛 （TOLL） 封裝是電源設(shè)計(jì)的有效選擇。采用此封
- 關(guān)鍵字： 集成驅(qū)動(dòng)器 高級(jí)保護(hù) GaN 電源設(shè)計(jì)
GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用
- 引言人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源
- 關(guān)鍵字： GaN FET 人形機(jī)器人
【對(duì)話前沿專家】香港科技大學(xué)黃文海教授談氧化鎵器件的突破與展望
- _____在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。我們有幸與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀、應(yīng)用前景及測(cè)試測(cè)量挑戰(zhàn)展開(kāi)深入交流。香港科技大學(xué)在氧化鎵研究領(lǐng)域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、性能優(yōu)化和應(yīng)用開(kāi)發(fā)等多個(gè)方面。通過(guò)與國(guó)際科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)的合作，港科大團(tuán)隊(duì)不僅推動(dòng)了氧化鎵技術(shù)的發(fā)展，也為相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用提供了重要的技術(shù)支持。黃文海教授的團(tuán)隊(duì)主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長(zhǎng)方面，聚焦優(yōu)化晶體生長(zhǎng)工藝，通過(guò)改進(jìn)熔體生長(zhǎng)技術(shù)，成
- 關(guān)鍵字： 香港科技大學(xué) 氧化鎵器件 GaN
英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
- 英飛凌科技股份公司近日推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過(guò)減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD?）較大，基于GaN的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可能產(chǎn)生較高的功率損耗。如果控制器的死區(qū)時(shí)間較長(zhǎng)，那么這種情況就會(huì)更加嚴(yán)重，導(dǎo)致效率低于目標(biāo)值。目前功率器件設(shè)
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德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平
- 新聞亮點(diǎn)：新款發(fā)布的具有電源路徑保護(hù)功能的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，助力設(shè)計(jì)人員達(dá)到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管外形無(wú)引線 (TOLL) 封裝，將德州儀器的 GaN 和高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與先進(jìn)的保護(hù)功能相結(jié)合。中國(guó)上海（2025 年4 月 9 日）— 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長(zhǎng)的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工智能 (AI) 的采用率越來(lái)越高，數(shù)據(jù)中心需要更
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN 數(shù)據(jù)中心 電源管理芯片 保險(xiǎn)絲
Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求
- Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來(lái)，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計(jì)人員在應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)過(guò)程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET
芯向未來(lái)，2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)成功舉辦
- 3月14日，?“2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”（ICIC 2025，以下同）在深圳舉行。本屆大會(huì)匯聚600多位業(yè)界精英，就AI、機(jī)器人、邊緣計(jì)算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開(kāi)了精彩探討，首次在國(guó)內(nèi)展示了英飛凌兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并解讀最新產(chǎn)品與解決方案，為行業(yè)注入新動(dòng)能，助力企業(yè)在低碳數(shù)字變革的浪潮中把握先機(jī)。2025英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)（ICIC 2025）在深圳舉行2024年，
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MCU GaN
GaN HEMT為開(kāi)關(guān)應(yīng)用帶來(lái)低噪聲功率
- 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時(shí)結(jié)合了高水平的性能和低噪聲系數(shù)。不過(guò)，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)結(jié)或 MOSFET。這些獨(dú)特的器件在微波射頻 （RF） 應(yīng)用中表現(xiàn)出色。來(lái)自 n 型區(qū)域的電子穿過(guò)晶格，許多電子保持在異質(zhì)結(jié)附近（異質(zhì)結(jié)是指通過(guò)兩個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體的接觸耦合形成的界面區(qū)域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開(kāi)關(guān)能量 （Esw） 是在硬開(kāi)關(guān)條
- 關(guān)鍵字： GaN HEMT 開(kāi)關(guān)應(yīng)用 低噪聲功率
CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)
- 無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開(kāi)發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場(chǎng)超過(guò)100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個(gè)模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
- 關(guān)鍵字： CGD GAN 電動(dòng)汽車 驅(qū)動(dòng)逆變器
基于GaN的汽車應(yīng)用的最新進(jìn)展是什么？
- 電動(dòng)汽車 （EV） 越來(lái)越受歡迎，因?yàn)榫鞯南M(fèi)者，尤其是在加利福尼亞州，認(rèn)識(shí)到出色的加速性能的優(yōu)勢(shì)，例如，當(dāng)紅綠燈變綠時(shí)，汽油動(dòng)力汽車可能會(huì)被塵土甩砸。這是因?yàn)殡妱?dòng)機(jī)在駕駛員踩下油門的那一刻就會(huì)產(chǎn)生峰值扭矩。然而，與內(nèi)燃機(jī) （ICE） 汽車相比，電動(dòng)汽車的主要?jiǎng)訖C(jī)是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器 （OBC） 完全能夠?yàn)閬?lái)自交流電網(wǎng)的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車輛插入 EV 1 級(jí)和 2 級(jí)交流充電站之一，這些充電站出現(xiàn)在停車場(chǎng)、家庭、公司、購(gòu)
- 關(guān)鍵字： GaN 汽車應(yīng)用 OBC 高壓 DC-DC轉(zhuǎn)換器
氮化鎵（GaN）賦能D類音頻放大器的未來(lái)
- 了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術(shù)應(yīng)用于D類音頻放大器，可以提高信號(hào)保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強(qiáng)大、沉浸式聲音的核心設(shè)備。這些設(shè)備將低功率音頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為豐富、高功率的輸出，從而驅(qū)動(dòng)從便攜式揚(yáng)聲器到專業(yè)音響系統(tǒng)的一切設(shè)備。在過(guò)去十年中出現(xiàn)的各種放大器設(shè)計(jì)中，有一種脫穎而出：D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類技術(shù)主導(dǎo)了現(xiàn)代音頻領(lǐng)域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當(dāng)前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類放大器
- 關(guān)鍵字： GaN 放大器
GaN功率FET及背后柵極驅(qū)動(dòng)器在LiDAR傳感器中的作用
- 氮化鎵 （GaN） 功率器件因其超快的開(kāi)關(guān)速度和有限的寄生效應(yīng)而成為 LiDAR 傳感器的核心構(gòu)建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實(shí)現(xiàn)高峰值電流。為了迎來(lái)自動(dòng)駕駛汽車的未來(lái)，必須在車輛系統(tǒng)內(nèi)使用更先進(jìn)的傳感器。LiDAR 是檢測(cè)自動(dòng)駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測(cè)和測(cè)距的縮寫，它從激光射出光并測(cè)量場(chǎng)景中的反射，有點(diǎn)像基于光的雷達(dá)。車輛的車載計(jì)算機(jī)可以使用這些數(shù)據(jù)來(lái)解釋汽車與周圍環(huán)境的關(guān)系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個(gè)非常快速的開(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)為
- 關(guān)鍵字： GaN 功率FET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LiDAR 傳感器
50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開(kāi)關(guān)特性，因此在工業(yè)設(shè)備、車載設(shè)備以及需要支持大功率的應(yīng)用領(lǐng)域被越來(lái)越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導(dǎo)體后道工序供應(yīng)商（OSAT）擁有豐富業(yè)績(jī)的日月新半導(dǎo)體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡(jiǎn)稱“ATX”）。
- 關(guān)鍵字： GaN HEMT GaN ROHM
日本電裝開(kāi)發(fā)出GaN 三電平汽車電驅(qū)方案
- 據(jù)日媒報(bào)道，名古屋大學(xué)和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT，合作開(kāi)發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器（三相、三電平），主要用于驅(qū)動(dòng)使用的電動(dòng)汽車牽引電機(jī)（圖 1）。據(jù)了解，名古屋大學(xué)與松下控股、豐田合成、大阪大學(xué)和電裝合作，參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來(lái)實(shí)施的項(xiàng)目“加速實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新 CO? 減排材料的社會(huì)實(shí)施和傳播項(xiàng)目”。新開(kāi)發(fā)的高壓三電平逆變器是該項(xiàng)目努力的結(jié)果。圖1 ：電裝橫向 GaN HEMT 電驅(qū)逆變器（左）、單相降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器運(yùn)行時(shí)的開(kāi)關(guān)波形（右）。提高電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（
- 關(guān)鍵字： 日本電裝 GaN 三電平 汽車電驅(qū)
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