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ST NAND閃存數(shù)據吞吐量創(chuàng)造世界記錄
- 單片多級單元NAND閃存內嵌功能強大的5位糾錯機制降低下傳時間50% 意法半導體公布了數(shù)據吞吐量創(chuàng)世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術細節(jié),ST新閃存芯片的數(shù)據吞吐量高達36MB/s, 比今天市場上的最好成績還高大約50%。 新芯片內嵌一個功能強大的糾錯處理器,每頁可以改正最多五個錯誤,為高度可靠性和高速數(shù)據傳輸提供了保證,同時還簡化了存儲系統(tǒng)的設計,在舊金山國際固態(tài)電路大會(ISSCC) 上,意法半導體和韓國現(xiàn)代海力士(Hynix)的研究人員
- 關鍵字: NAND ST 嵌入式系統(tǒng)
NAND閃存市場2009年將漲三倍
- 據市場研究機構In-Stat預測,到2009年時NAND閃存的市場規(guī)模將從2004年的50億美元增長到180億美元。 NAND閃存由于在存儲容量和價格上頗具優(yōu)勢,因此主要應用在存儲卡和U盤上面。據In-Stat稱,由于消費電子產品對于成本非常敏感,因此NAND閃存在存儲卡市場上仍將大有作為。 In-Stat高級研究員Frank Dickson表示:“由于市場需求旺盛,閃存市場發(fā)展非常迅速,NAND閃存當然也不例外?!?nbsp
- 關鍵字: NAND
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