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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對比

  • CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后,以電荷的方
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)對比

  • CCD(ChargeCoupledDevice)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOSImageSensor以下簡稱CIS)的主要...
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威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

  •   威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器,這是USB3.0技術(shù)時(shí)代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。   USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps,是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外,該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動(dòng)功能,包括能耗管理上的重要改進(jìn)。   VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā),它實(shí)現(xiàn)在一個(gè)USB接口上連接多個(gè)設(shè)備從而擴(kuò)展了計(jì)算機(jī)的USB性能。一個(gè)輸出接口及四個(gè)輸入接口不僅支持高
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基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺(tái)式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計(jì)方法,1. 引言

    對于需要大的片上存儲(chǔ)器的各種不同的應(yīng)用,F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲(chǔ)器陣列。通過不同的配置選擇,嵌入式存儲(chǔ)器陣列可以被合并從而達(dá)到位寬或字深的擴(kuò)展并且可以作為單端口,雙端口
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一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護(hù)電路

  • 0 引 言
    隨著集成電路技術(shù)的廣泛應(yīng)用及集成度的不斷增加,超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高,溫度保護(hù)電路已經(jīng)成為了眾多芯片設(shè)計(jì)中必不可少的一部分。本文在CSMC 0.5/μm CMOS工藝下,
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

  •   IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù),面向22nm及以下節(jié)點(diǎn)。   在IEDM會(huì)議上,IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長,非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管,IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。   該ETSOI技術(shù)包含了幾項(xiàng)工藝創(chuàng)新,包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入),以及提高的源漏架構(gòu)。   該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
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兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計(jì)與研究

  • 鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位,在調(diào)制、解調(diào)、時(shí)鐘恢復(fù)、頻率合成中都扮演著不可替代的角色??煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近,鑒于對集成電路低功耗和高集成度的追求,越來越多的研究人員投人到基于CMOS工
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10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計(jì)

東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破

  •   東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會(huì)議上宣布,其20nm級CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破,開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門,成為業(yè)界首個(gè)能夠投入實(shí)際生產(chǎn)的20nm級CMOS工藝。東芝表示,他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善,實(shí)現(xiàn)了這次突破。   在傳統(tǒng)工藝中,由于電子活動(dòng)性降低,通常認(rèn)為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經(jīng)很難實(shí)現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料,解決了這一問題,成功實(shí)現(xiàn)了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
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高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)

  • 0 引言
    電源管理技術(shù)近幾年已大量應(yīng)用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對低壓差線性穩(wěn)壓器進(jìn)行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個(gè)基
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0.6μm CMOS工藝全差分運(yùn)算 放大器的設(shè)計(jì)

  • 0 引言
    運(yùn)算放大器是數(shù)據(jù)采樣電路中的關(guān)鍵部分,如流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器等。在此類設(shè)計(jì)中,速度和精度是兩個(gè)重要因素,而這兩方面的因素都是由運(yùn)放的各種性能來決定的。
    本文設(shè)計(jì)的帶共模反饋的兩級高增益運(yùn)
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賽普拉斯高精度CMOS圖像傳感器助歐洲航天局Proba-2衛(wèi)星順利升空

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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美國半導(dǎo)體協(xié)會(huì)副總裁解讀國際技術(shù)路線圖

  •   創(chuàng)新與變革是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主旋律。集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天,不斷表現(xiàn)出新的趨勢和特征:一方面繼續(xù)專注于CMOS技術(shù),沿著摩爾定律前進(jìn)(moreMoore’s);另一方面,產(chǎn)品多功能化(morethanMoore’s)趨勢日益明顯。國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)是被業(yè)界廣泛認(rèn)同的對未來15年內(nèi)半導(dǎo)體研發(fā)需求的最佳預(yù)測。在國際金融危機(jī)沖擊半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體技術(shù)變化更加迅速、產(chǎn)業(yè)競爭更加激烈的狀況下,ITRS會(huì)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來做出怎樣的指導(dǎo)和預(yù)測?在日前舉辦的ICCHINA20
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Cypress CMOS圖像傳感器助Proba-2衛(wèi)星順利升空

  •   賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,其專為航天應(yīng)用而開發(fā)的三款重量級CMOS圖像傳感器由歐洲航天局(EAS)的Proba-2衛(wèi)星搭載于十一月二日成功發(fā)射升空。賽普拉斯的新型HAS2圖像傳感器專為高精度行星跟蹤而設(shè)計(jì),被意大利的SELEX Galileo公司設(shè)計(jì)的新型行星跟蹤器所選用。HAS2圖像傳感器還被用于一個(gè)超紫外望遠(yuǎn)鏡科學(xué)設(shè)備,以便觀測日冕。此外,賽普拉斯的STAR-250圖像傳感器還被荷蘭TNO公司用于其新型數(shù)字太陽傳感器。HAS2 和 STAR-250器件均由位于比利時(shí)的賽普拉斯圖像傳感器事業(yè)部為E
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