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LDO穩(wěn)壓器的PSRR和輸出噪聲在RF電路中的選擇

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: LDO  

超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

  • 本文將對(duì)超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析,并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述,從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
  • 關(guān)鍵字:   CMOS    TTL    單片機(jī)  

MCU 中輸入/輸出口的使用

  • 本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
  • 關(guān)鍵字: 掩膜  CMOS  電阻  

基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

  • 引言 隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展,射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO),是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件,然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小,這將影響到電路的性能。于是,人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管,MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏,源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容,其電容值隨柵極與襯底之間
  • 關(guān)鍵字: CMOS  RF專(zhuān)題  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  射頻  振蕩器  

集成多路模擬開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技巧

  • 集成多路模擬開(kāi)關(guān)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)多路開(kāi)關(guān))是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件,其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。  關(guān)于多路開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技術(shù),些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足:一是對(duì)器件自身介紹較多,而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少;二是原則性的東西介紹較多,而操作性的東西介紹較少。研究表明:只有正確選擇多路開(kāi)關(guān)的種類(lèi),注意多路開(kāi)關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào),保證各電路單元有合適的工作狀態(tài),才能充分發(fā)揮多路開(kāi)關(guān)的性能,甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺,收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
  • 關(guān)鍵字: CMOS  電源技術(shù)  放大器  模擬技術(shù)  模擬開(kāi)關(guān)  

ADI發(fā)布具有亞吉赫茲窄帶CMOS收發(fā)器IC

  •  ——全新高性能ADF7021可滿(mǎn)足AMR、無(wú)線家庭自動(dòng)化和多種無(wú)線連接應(yīng)用要求, 提供比同類(lèi)產(chǎn)品提高7dB靈敏度,最低發(fā)射器功耗電流和最少外部元件。 美國(guó)模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市(Norwood, Mass.)發(fā)布推出ADF7021窄帶收發(fā)器集成電路(IC)擴(kuò)展了其業(yè)界領(lǐng)先的射頻(RF)IC產(chǎn)品種類(lèi)。ADF7021適合于工作在80 MHz~650 MHz和862 MHz~940 MHz多個(gè)頻帶。ADF7021完全符合歐洲ETSI-300
  • 關(guān)鍵字: ADI  CMOS  IC  單片機(jī)  電源技術(shù)  工業(yè)控制  接收器  靈敏度  模擬技術(shù)  嵌入式系統(tǒng)  收發(fā)器  亞吉赫茲窄帶  工業(yè)控制  

具有排序及跟蹤功能的LDO

  • 本文介紹了一種具有排序及跟蹤功能的低壓差(LDO)線性穩(wěn)壓器IC及其應(yīng)用電路,它就是MICREL公司最近推出的MIC68200。 主要特點(diǎn) MIC68200是一種低壓差線性穩(wěn)壓器IC。該IC主要特點(diǎn):有輸出固定電壓(1.2V、1.5V、1.8V等固定電壓)及輸出電壓可設(shè)定的品種;多個(gè)MIC68200可組成主、從電源系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)主、從電源輸出電壓的排序及跟蹤的要求;輸入電壓范圍1.65~5.5V;輸出可設(shè)定的電壓范圍0.5~5.0V;輸出固定電壓的電壓精度典型值為
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Microchip推出新型單芯片1.5A LDO

  • 穩(wěn)定的陶瓷輸出電容器(LDO)可進(jìn)一步降低設(shè)計(jì)成本,并縮小占板空間 Microchip Technology(美國(guó)微芯科技公司)日前推出業(yè)界首個(gè)集關(guān)斷、電源正常指示、可編程的電源正常指示延遲和綁定線補(bǔ)償?shù)裙δ苡谝惑w的單芯片1.5A LDO。MCP1727是一種高效的低功耗LDO,在一個(gè)小型散熱封裝(8引腳SOIC或3 mm x 3 mm DFN)中可提供高輸出電流和低輸出電壓。憑借以上特性,MCP1727成為各種高性能嵌入式處理器和新一
  • 關(guān)鍵字: LDO  Microchip  單片機(jī)  嵌入式  嵌入式系統(tǒng)  微處理器  

集成CMOS對(duì)稱(chēng)式收/發(fā)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)

  • 本文分析了影響對(duì)稱(chēng)式射頻收/發(fā)開(kāi)關(guān)性能的因素,包括柵寬、導(dǎo)通電阻、襯底電阻、柵極電阻等。采用TSMC 0.35m CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  開(kāi)關(guān)  對(duì)稱(chēng)  CMOS  集成  

一種新型雙極型LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)

思比科開(kāi)發(fā)CMOS手機(jī)攝像芯片實(shí)現(xiàn)本土化

  •  北京思比科微電子自主研發(fā)了可廣泛用于汽車(chē)電子、手機(jī)、筆記本攝像頭、醫(yī)療電子等行業(yè)的CMOS攝像芯片。該項(xiàng)技術(shù)擁有6項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利的200萬(wàn)像素CMOS攝像芯片,已通過(guò)了技術(shù)測(cè)試。   思比科200萬(wàn)像素?cái)z像芯片,基于上海中芯國(guó)際0.18微米工藝,從設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)到芯片制造的全部工作均在國(guó)內(nèi)完成,完全實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)化。   思比科表示:“目前,公司已經(jīng)成功研發(fā)出30萬(wàn)像素、130萬(wàn)像素、200萬(wàn)像素等多種CMOS圖像傳感器,300萬(wàn)和500萬(wàn)像素的CMOS圖像傳感器芯片現(xiàn)在已經(jīng)申請(qǐng)國(guó)內(nèi)專(zhuān)利8項(xiàng),準(zhǔn)備申請(qǐng)9項(xiàng)國(guó)內(nèi)專(zhuān)利,出
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靜脈認(rèn)證相機(jī)采用1/6英寸CMOS傳感器

Sirific推出小尺寸 CMOS多頻段收發(fā)器

  •  3G手機(jī)收發(fā)器的設(shè)計(jì)需要小巧、低功耗、性能優(yōu)良,但也必須能夠以高產(chǎn)量大規(guī)模生產(chǎn)。日前,Sirific Wireless開(kāi)發(fā)單片HSDPA/WCDMA+EDGE(WEDGE)RF收發(fā)器,且在CMOS上完成。   從外型尺寸來(lái)看,Sirific Wireless的設(shè)計(jì)人員滿(mǎn)足了功能不斷加強(qiáng)的3G手機(jī)需求,在芯片上集成眾多功能的同時(shí),將尺寸縮小到7
  • 關(guān)鍵字: CMOS  Sirific  多頻段收發(fā)器  嵌入式系統(tǒng)  
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