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FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少

- 由于航天應用對可靠性提出了更高的要求,這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時,撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據(jù),使系統(tǒng)運行到無法預知的狀態(tài),從而引起整個系統(tǒng)失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比,在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢,可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務,包括基于反熔絲和閃存技術的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設計服務,定位
- 關鍵字: FPGA FLASH 反熔絲
終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長
- TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示,由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務器與數(shù)據(jù)中心的需求增加,而物聯(lián)網(wǎng)應用也將逐漸導入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產(chǎn)品開始導入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
- 關鍵字: NAND Flash 穿戴性裝置
基于ARM7軟中斷程序的設計

- 摘要:本文以ARM7內核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時,采用SWI軟中斷的方法實現(xiàn)同時寫片外FLASH的例子,詳細講述ARM7內核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。 1 背景描述 筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核,帶512K字節(jié)的片內FLASH,98k字節(jié)的片內RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關鍵字: ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用

- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設備中,常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時鐘信號,即可保持數(shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關鍵字: SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
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