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2022年傳感器和致動器成長15% 離散組件將回復(fù)正常水平

  • IC Insights日前發(fā)布報告指出，由于COVID-19造成的隔離和短缺因素，使得2021年全球光電組件產(chǎn)品、傳感器和致動器，以及離散組件 (O-S-D)的銷售額，均出現(xiàn)創(chuàng)紀錄的成長。但CMOS影像傳感器卻因美中對抗和某些系統(tǒng)因素，沒有相對應(yīng)的結(jié)果。 根據(jù)IC Insights一月半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報告，2021年OSD總收入首次突破1000億美元，與2020年的883億美元相比，增加18%至1042億美元，當時三個市場的總銷售額成長不到3 %。報告顯示，OSD總銷售額占2021年全球6139億美元半導(dǎo)體市場
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IC PARK 年度盛事圓滿收官！業(yè)界翹楚云端論劍，引爆中國“芯”思潮

  • 12月10日，第五屆“芯動北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開幕式以線上云會議的方式召開。今年是“十四五”規(guī)劃開局之年，本次會議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下，高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，邀請了來自國內(nèi)外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂，圍繞創(chuàng)“芯”機、育“芯”才等主題進行深入交流，探討當前形勢下我國集成電路產(chǎn)業(yè)如何應(yīng)對挑戰(zhàn)，共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍圖。 北京市委常委、副市長殷勇，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會設(shè)計分會理事長魏少軍，創(chuàng)“芯”大賽
  • 關(guān)鍵字： IC PARK  芯動北京  

新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計超收斂

  • 經(jīng)晶圓廠認證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計中的過度設(shè)計和昂貴的后期ECO（工程變更指令） 要點： ?   經(jīng)過驗證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標準的高性能可靠性分析?   與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析?   與PrimeWave?設(shè)計環(huán)境整合
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多家IC設(shè)計廠商證實：收到臺積電漲價通知

  • 　　原標題：多家IC設(shè)計廠商證實：收到臺積電漲價通知 強調(diào)不影響合作關(guān)系　　8月25日，市場幾度傳出臺積電即將全線漲價，從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進制程漲幅達10%，到全面漲價20%，并從即日起生效?！　Υ?，據(jù)中央社報道，多家IC設(shè)計廠商證實收到臺積電漲價通知，并表示不會因而影響與臺積電的合作關(guān)系?！　C設(shè)計業(yè)者指出，臺積電包含7納米及5納米的先進制程漲價約7%至9%，其余成熟制程代工價格漲幅約20%。　　此外，臺積電罕見未給客戶緩沖期，今天通知漲價隨即于今天生效，供應(yīng)鏈也緊急尋求因應(yīng)
  • 關(guān)鍵字： IC  臺積電  漲價  

媒體稱明年晶圓代工價漲定了，臺積電：不評論

  • 　　財聯(lián)社6月24日訊，據(jù)媒體報道，IC設(shè)計業(yè)者透露，明年初晶圓代工價格已經(jīng)敲定，不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價格續(xù)漲，晶圓代工龍頭臺積電也漲價，部分8英寸和12英寸制程價格上漲一到兩成，且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發(fā)言窗口表示，不評論價格問題。
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Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認證

  • 空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負載點轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  LET  IC  MCU  

中國臺灣IC產(chǎn)值雙位成長新常態(tài) 2021第一季整體較去年增長25%

  • 據(jù)WSTS統(tǒng)計，21Q1全球半導(dǎo)體市場銷售值1,231億美元，較上季(20Q4)成長3.6%，較2020年同期(20Q1)成長17.8%；銷售量達2,748億顆，較上季成長4.9%，較去年同期成長22.7%；ASP為0.448美元，較上季衰退1.2%，較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區(qū)域市場方面，中國大陸市場銷售值成長幅度最高，較上季(20Q4)成長8.9%，達到434億美元，較去年同期(20Q1)成長25.6%；歐洲市場次之，較上季(20Q4)成長8.8%，達到110億美元，較去年同期成長8.7%；
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Micro-LED顯示光學(xué)性能研究*

  • Micro-LED由于優(yōu)異的顯示特性已經(jīng)成為目前技術(shù)的熱點。由于其為芯片直顯技術(shù)，芯片的光學(xué)性能決定了顯示屏幕大部分的光學(xué)性能。Micro-LED燈板的封膠材料厚度對光學(xué)影響大，450 μm膠厚時比裸晶燈板色溫降低了2 800 K。因Micro-LED顯示為LED芯片直顯發(fā)光，紅光芯片本身發(fā)光角度比藍綠光芯片小，再加上芯片表面封膠后經(jīng)過一系列的折反射，紅光折射率比藍綠光小，藍綠光出光視角進一步放大，導(dǎo)致色溫偏差。
  • 關(guān)鍵字： Micro-LED顯示  色溫  光形圖  202009  PWM  

砥礪前行，推進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

  • 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點實驗室，圍繞中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，培養(yǎng)工程專業(yè)人才，搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然，在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
  • 關(guān)鍵字： 集成電路  微電子  氮化鎵器件  寬禁帶  IC  GaN  202103  

基于LCC拓撲的2相輸入300W AC-DC LED電源

  • 近年來，諧振變換器的熱度越來越高，被廣泛用于計算機服務(wù)器、電信設(shè)備、燈具和消費電子等各種應(yīng)用場景。諧振變換器可以很容易地實現(xiàn)高能效，其固有的較寬的軟開關(guān)范圍很容易實現(xiàn)高頻開關(guān)，這是一個關(guān)鍵的吸引人的特性。本文著重介紹一個以半橋LCC諧振變換數(shù)字控制和同步整流為特性的300W電源。圖1所示的STEVAL-LLL009V1是一個數(shù)控300W電源。原邊組件包括PFC級和DC-DC功率級(半橋LCC諧振變換器)，副邊組件包括同步整流電路和STM32F334微控制器，其中STM32F334微控制器對DC-DC功率級
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IC  

西門子和日月光推出新一代高密度先進封裝設(shè)計的支持技術(shù)

  • 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件宣布與日月光（ASE）合作推出新的設(shè)計驗證解決方案，旨在幫助雙方共同客戶更便捷地建立和評估多樣復(fù)雜的集成電路（IC）封裝技術(shù)與高密度連接的設(shè)計，且能在執(zhí)行物理設(shè)計之前和設(shè)計期間使用更具兼容性與穩(wěn)定性的物理設(shè)計驗證環(huán)境。新的高密度先進封裝（HDAP）支持解決方案源于日月光參與的西門子半導(dǎo)體封裝聯(lián)盟 （Siemens OSAT Alliance），該聯(lián)盟旨在推動下一代IC設(shè)計更快地采用新的高密度先進封裝技術(shù)，包括2.5D、3D IC 和扇出型晶圓級封裝（FOWLP）。日月光是半導(dǎo)體封裝和測
  • 關(guān)鍵字： IC  ASE  

在可再生能源應(yīng)用的逆變器設(shè)計中使用SPWM發(fā)生器

  • 可再生能源仍然是世界范圍內(nèi)的大趨勢。隨著捕獲風能、太陽能和其他形式的可再生能源的方法不斷發(fā)展，可再生能源系統(tǒng)的成本和效率對公司和消費者都越來越有吸引力。實際上，2016年，全球?qū)稍偕茉吹馁Y本投資跌到了多年來最低水平，但是卻創(chuàng)下了一年內(nèi)可再生能源設(shè)備安裝數(shù)量最多的記錄。在用于可再生能源系統(tǒng)的組件中，逆變器是一項尤其關(guān)鍵的系統(tǒng)組件。由于大多數(shù)可再生能源都是通過直流電（DC）產(chǎn)生的，因此逆變器在將直流電（DC）轉(zhuǎn)換為交流電（AC）以有效整合到現(xiàn)有電網(wǎng)中起著關(guān)鍵作用。在混合了不同可再生能源的混合動力系統(tǒng)和微電
  • 關(guān)鍵字： PWM  AC  DC  MOSFET  SPWM  

氮化鎵晶體管的并聯(lián)配置應(yīng)用

  • 引言在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產(chǎn)工藝限制，單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為設(shè)計工程師可以考慮的選項之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時，也帶來了電路設(shè)計層面的挑戰(zhàn)。并聯(lián)晶體管的
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新思科技IC Compiler II技術(shù)助力Graphcore一次性成功實現(xiàn)數(shù)百億門級AI處理器的硅晶設(shè)計

  • 要點： 作為新思科技Fusion Platform的一部分，IC Compiler II憑借其行業(yè)領(lǐng)先的容量和吞吐量，加速實現(xiàn)了包含超過590億個晶體管的超大規(guī)模Colossus IPU新思科技RTL-to-GDS流程中針對AI硬件設(shè)計的創(chuàng)新優(yōu)化技術(shù)提供了同類最佳的性能、功率和區(qū)域（PPA）指標集成式黃金簽核技術(shù)帶來可預(yù)測且收斂的融合設(shè)計，同時實現(xiàn)零裕度流程新思科技（Synopsys, Inc., 納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，其行業(yè)領(lǐng)先的IC Compiler? II布局布線解決方案成
  • 關(guān)鍵字： 新思科技  IC Compiler II  Graphcore  

KLA針對先進封裝發(fā)布增強系統(tǒng)組合

  • 日前，  KLA公司 宣布推出Kronos? 1190晶圓級封裝檢測系統(tǒng)、ICOS? F160XP芯片分揀和檢測系統(tǒng)以及下一代的ICOS? T3 / T7系列封裝集成電路（IC）組件檢測及量測系統(tǒng)。這些新系統(tǒng)具有更高的靈敏度和產(chǎn)量，并包含下一代增強算法，旨在應(yīng)對特征尺寸縮小、3D結(jié)構(gòu)和異構(gòu)集成所帶來的復(fù)雜性，從而在封裝階段推進半導(dǎo)體元件制造。憑借更可靠地實施這些先進封裝技術(shù)，KLA的客戶將無需依賴縮小硅設(shè)計節(jié)點就能夠提高產(chǎn)品性能。該產(chǎn)品組合的性能提升將提供良率和質(zhì)量保證，幫助
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pwm ic介紹

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