qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)

先進(jìn)封裝推動(dòng) NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來越重要。
關(guān)鍵字：封裝 NAND DRAM

預(yù)估第二季NAND Flash均價(jià)續(xù)跌5~10%，能否止跌端看下半年需求

即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服務(wù)器、智能手機(jī)、筆電等需求仍未見起色，NAND Flash市場(chǎng)仍處在供給過剩狀態(tài)，故TrendForce集邦咨詢預(yù)估，第二季NAND Flash均價(jià)仍將持續(xù)下跌，環(huán)比下跌幅度收斂至5~10%。而后續(xù)恢復(fù)供需平衡的關(guān)鍵在于原廠是否有更大規(guī)模的減產(chǎn)，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為若目前需求端未再持續(xù)下修，NAND Flash均價(jià)有機(jī)會(huì)在第四季止跌反彈，反之，若旺季需求端持續(xù)疲弱，均價(jià)反彈時(shí)間恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件庫存去化已見成
關(guān)鍵字：集邦 NAND Flash

2023年內(nèi)存芯片趨勢(shì)

2023 年，存儲(chǔ)芯片的跌勢(shì)仍在延續(xù)，何時(shí)止跌還是未知數(shù)。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)芯片 DRAM NAND

NAND Flash 大降價(jià)，固態(tài)硬盤取代機(jī)械硬盤指日可待

相信有很多小伙伴已經(jīng)注意到了，目前市場(chǎng)上很多固態(tài)硬盤的價(jià)格相比去年又降低了不少。這是由于制造固態(tài)硬盤所需的 NAND 芯片降價(jià)導(dǎo)致的。根據(jù)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，NAND Flash 市場(chǎng)自 2022 年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季 NAND Flash 合約價(jià)格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤）是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約 23-28%。這對(duì)于 NAND 芯片廠商來說并不是什么好消息，但對(duì)于普通消費(fèi)者來說，我們確實(shí)能買到更便宜的固態(tài)
關(guān)鍵字： NAND Flash

內(nèi)存雙雄：市況否極泰來

華邦消費(fèi)性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞－莫大康

半導(dǎo)體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號(hào)器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎(jiǎng)人員代表頒獎(jiǎng)，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號(hào)器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因?yàn)橛辛藝a(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒有停步。
關(guān)鍵字：莫大康半導(dǎo)體華為光刻機(jī) NAND

存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫存水位過高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致營收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導(dǎo)
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存儲(chǔ)大廠展示300層NAND Flash，預(yù)計(jì)最快2024年問世

近日，在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器預(yù)定兩年內(nèi)上市，有望打破紀(jì)錄。外媒報(bào)導(dǎo)，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲(chǔ)存等級(jí)的第八代3D NAND Flash開發(fā)，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
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(2023.3.20)半導(dǎo)體周要聞-莫大康

半導(dǎo)體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號(hào)器件的替代開發(fā)近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻(xiàn)的獲獎(jiǎng)人員代表頒獎(jiǎng)，華為總裁任正非發(fā)表了講話，部分參與座談的大學(xué)發(fā)布了座談紀(jì)要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號(hào)器件的替代開發(fā)、4000 + 電路板的反復(fù)換板開發(fā)等，直到現(xiàn)在電路板才穩(wěn)定下來，因?yàn)橛辛藝a(chǎn)的零部件供應(yīng)。任正非表示，華為現(xiàn)在還屬于困難時(shí)期，但在前進(jìn)的道路上并沒有停步
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體莫大康華為 NAND 光刻機(jī)

均價(jià)跌幅擴(kuò)大，2022年第四季NAND Flash總營收環(huán)比下跌25%

TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，NAND Flash市場(chǎng)自2022年下半年以來面臨需求逆風(fēng)，供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對(duì)，此情況導(dǎo)致第四季NAND Flash合約價(jià)格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產(chǎn)品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價(jià)求量的同時(shí)，客戶為避免零部件庫存再攀高，備貨態(tài)度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環(huán)比增長(zhǎng)僅5.3%，平均銷售單價(jià)環(huán)比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比下跌25.0%，達(dá)
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
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分區(qū)存儲(chǔ)助力QLC應(yīng)用到嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備

目前應(yīng)用在移動(dòng)終端的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備（這里主要指UFS/eMMC等，以下統(tǒng)稱“嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備”）中主流介質(zhì)還是TLC。但更高存儲(chǔ)密度的QLC也已經(jīng)產(chǎn)品化，比如一些數(shù)據(jù)中心（讀密集型應(yīng)用）已經(jīng)在部署QLC存儲(chǔ)設(shè)備。QLC可以給存儲(chǔ)設(shè)備帶來更低的成本，作為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備，未來引入QLC也是勢(shì)在必行。但和當(dāng)前主流TLC相比，QLC在性能和壽命上都相差很大，從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個(gè)對(duì)比可見一斑。（Table 1:某原廠TLC和QLC性能和壽命對(duì)比）因此，QLC要應(yīng)用在
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西部數(shù)據(jù)宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進(jìn)一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jī)電話會(huì)議上表示，2023 財(cái)年設(shè)備投資總額將達(dá)到 23 億美元（當(dāng)前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當(dāng)前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
關(guān)鍵字： NAND 內(nèi)存西部數(shù)據(jù)

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

消費(fèi)性固態(tài)硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍，未來消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路，靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理，并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊壞塊檢測(cè) 202212