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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國(guó)CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對(duì)他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　　　Leti位于法國(guó)格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶　　不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
關(guān)鍵字： FD-SOI 物聯(lián)網(wǎng)

越快越好：GSPS ADC實(shí)現(xiàn)寬帶寬RF數(shù)字化儀

本文討論即將來(lái)臨的3.3V控制器局域網(wǎng) (CAN) 收發(fā)器在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用，敬請(qǐng)關(guān)注。
關(guān)鍵字： ADC GSPS RF 數(shù)字化儀 201508

中國(guó)石墨烯技術(shù)重大突破——石墨烯層數(shù)可調(diào)控

可控石墨烯薄膜制備方面取得新進(jìn)展：設(shè)計(jì)了Ni/Cu體系，利用離子注入技術(shù)引入碳源，通過(guò)精確控制注入碳的劑量，成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)石墨烯層數(shù)的調(diào)控，有助于實(shí)現(xiàn)石墨烯作為電子材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域真正的應(yīng)用。　
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哪些半導(dǎo)體公司會(huì)成為22nm FD-SOI的嘗鮮者？

　　美國(guó)時(shí)間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，成為全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。　　　　FD- SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o(wú)論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一
關(guān)鍵字： FD- SOI FinFET

Wi-Fi系統(tǒng)效能大躍進(jìn)的秘密-802.11ac Wave 2

多輸入多輸出，更高的效率Wi-Fi系統(tǒng)的效能與容量將邁入新境界。
關(guān)鍵字： Wi-Fi RF

格羅方德半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm FD-SOI工藝平臺(tái)

　　格羅方德半導(dǎo)體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿(mǎn)足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。　　雖然某些設(shè)備對(duì)三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無(wú)線設(shè)備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)(FD-SOI)工
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GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝

　　GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺(tái)，全球第一家實(shí)現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專(zhuān)為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術(shù)仍然采用平面型晶體管，目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因?yàn)闊o(wú)論Intel還是三星、臺(tái)積電，22n時(shí)代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術(shù)實(shí)力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術(shù)，22nm上只能繼續(xù)改進(jìn)平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。　　
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只能FinFET或FD-SOI？二合一也行！

　　在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術(shù);不過(guò)既然像是臺(tái)積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時(shí)提供以上兩種制程產(chǎn)能服務(wù)客戶(hù)，有越來(lái)越多半導(dǎo)體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術(shù)。　　例如飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節(jié)點(diǎn)采用
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手機(jī)增加一個(gè)NFC功能會(huì)對(duì)價(jià)格影響多少

手機(jī)終端增加移動(dòng)支付芯片不只是簡(jiǎn)單的芯片硬件成本，還有更多其他配套成本，但是增加一個(gè)功能可以帶來(lái)差異化，差異化可以給手機(jī)帶來(lái)的溢價(jià)。
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FD-SOI制程技術(shù)已到引爆點(diǎn)？

　　身為記者，我有時(shí)候會(huì)需要經(jīng)過(guò)一系列的資料收集──通常包含非正式評(píng)論、隨機(jī)事實(shí)(random facts)、推特文章、研討會(huì)/座談會(huì)資料或是公關(guān)宣傳稿，然后才能把許多線索串聯(lián)在一起;全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)就是一個(gè)例子。　　我從美國(guó)旅行到中國(guó)接著又到歐洲，在與電子產(chǎn)業(yè)人士討論技術(shù)的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)FD-SOI從一個(gè)不容易了解的名詞，逐漸變得越來(lái)越“有形”。關(guān)于這個(gè)技術(shù)，我在最近這幾個(gè)星期所收集到的隨機(jī)
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手機(jī)RF和混合信號(hào)集成設(shè)計(jì)

　　一直以來(lái)，蜂窩電話都使用超外差接收器和發(fā)射器。但是，隨著對(duì)包含多標(biāo)準(zhǔn)(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長(zhǎng)，直接轉(zhuǎn)換接收器和發(fā)射器架構(gòu)變得日趨流行。在過(guò)去十年中，集成電路技術(shù)取得長(zhǎng)足發(fā)展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號(hào)和基帶處理功能成為可能。　　一個(gè)典型的蜂窩收發(fā)器(見(jiàn)圖)包括RF前端、混合信號(hào)部分和實(shí)際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構(gòu)選擇包括直接轉(zhuǎn)換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉(zhuǎn)換到直流的方法會(huì)受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
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RF和混合信號(hào)設(shè)計(jì)的藝術(shù)與科學(xué)

　　在過(guò)去的幾十年中，混合信號(hào)集成電路(IC)設(shè)計(jì)一直是半導(dǎo)體行業(yè)最令人興奮、且在技術(shù)上最具挑戰(zhàn)的設(shè)計(jì)之一。在這期間，盡管半導(dǎo)體行業(yè)取得了不少的進(jìn)步，但是一個(gè)永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運(yùn)算的數(shù)字世界實(shí)現(xiàn)無(wú)縫對(duì)接，當(dāng)前無(wú)處不在的移動(dòng)環(huán)境和迅速崛起的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)“再創(chuàng)新”的要求尤為如此。　　當(dāng)今全球半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額約為3，200億美元，數(shù)字和存儲(chǔ)器IC約占這個(gè)市場(chǎng)的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進(jìn)的CMOS處理技術(shù)驅(qū)動(dòng)著這些IC
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實(shí)現(xiàn)模擬/RF設(shè)計(jì)復(fù)用？ADI實(shí)驗(yàn)室電路開(kāi)始大顯身手

　　在電子設(shè)計(jì)中，模擬/RF設(shè)計(jì)一直是最讓設(shè)計(jì)師頭疼的部分，傳統(tǒng)上，模擬射頻器件供應(yīng)商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設(shè)計(jì)，但是，要讓器件運(yùn)轉(zhuǎn)正常，設(shè)計(jì)師需要更多實(shí)際電路的評(píng)估和測(cè)試，這方面需要時(shí)間和經(jīng)驗(yàn)的積累，也是非常耗費(fèi)精力財(cái)力的，有沒(méi)有什么辦法讓設(shè)計(jì)師可以加快這方面的設(shè)計(jì)呢?或者能實(shí)現(xiàn)模擬射頻電路的復(fù)用?ADI的實(shí)驗(yàn)室電路給出了一些探索。　　“ADI的實(shí)驗(yàn)室電路不同于參考設(shè)計(jì)，是更接近實(shí)際應(yīng)用的電路?！盇DI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪時(shí)表示，
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RF電路與天線的EMC研究

　　當(dāng)射頻電路一切都按預(yù)先設(shè)定的方案設(shè)計(jì)完成之后，其性能不一定就會(huì)完全達(dá)標(biāo)，其中會(huì)導(dǎo)致射頻性能不達(dá)標(biāo)的一個(gè)重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因?yàn)樯漕l范疇內(nèi)電路布局、布線不合理造成，亦可能是因?yàn)槠渌椒矫婷娴脑?。大多?shù)情況導(dǎo)致干擾出現(xiàn)都是當(dāng)和其它電路，如數(shù)字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。　　處理干擾問(wèn)題是做設(shè)計(jì)工作必須的、更是射頻設(shè)計(jì)、預(yù)研工作重點(diǎn)之一。在此簡(jiǎn)單談?wù)勎覀儗?duì)射頻方面電磁干擾的理解與認(rèn)識(shí)。　　電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無(wú)處不在，在射頻領(lǐng)域表現(xiàn)卻特別突出
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千兆采樣ADC確保直接RF變頻

　　隨著模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的設(shè)計(jì)與架構(gòu)繼續(xù)采用尺寸更小的過(guò)程節(jié)點(diǎn)，一種新的千兆赫ADC產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。能以千兆赫速率或更高速率進(jìn)行直接RF采樣且不產(chǎn)生交織偽像的ADC為通信系統(tǒng)、儀器儀表和雷達(dá)應(yīng)用的直接RF數(shù)字化帶來(lái)了全新的系統(tǒng)解決方案。　　最先進(jìn)的寬帶ADC技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)直接RF采樣。就在不久前，唯一可運(yùn)行在GSPS (Gsample/s)下的單芯片ADC架構(gòu)是分辨率為6位或8位的Flash轉(zhuǎn)換器。這些器件能耗極高，且通常無(wú)法提供超過(guò)7位的有效位數(shù)(ENOB)，這是由于Flash架構(gòu)的幾何尺寸與功耗限
關(guān)鍵字： ADC RF 轉(zhuǎn)換器 LVDS FPGA