st-bus總線協(xié) 文章 進入st-bus總線協(xié)技術(shù)社區(qū)
意大利和法國:歐洲投資銀行向意法半導體提供6億歐元貸款,加強歐洲半導體產(chǎn)業(yè)實力
- ●? ?這筆貸款旨在為全球排名前列的半導體企業(yè)研發(fā)(R&D)活動和創(chuàng)新生產(chǎn)線運營提供資金●? ?這筆資金符合歐盟及成員國加強歐洲半導體產(chǎn)業(yè)實力的發(fā)展政策●? ?這筆資金還有助于歐洲半導體行業(yè)實現(xiàn)技術(shù)自主的戰(zhàn)略目標歐洲投資銀行 (EIB)為意法半導體提供巨資支持：為該半導體集團在歐洲的研發(fā) (R&D) 和產(chǎn)前活動提供 6 億歐元貸款。這筆融資業(yè)務涉及對創(chuàng)新技術(shù)產(chǎn)品研發(fā)活動以及先進半導體試制生產(chǎn)線的投資。這筆投資將投放到意法半導體在意
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意法半導體先進的MEMS傳感器助您開啟Onlife時代
- 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日推出其第三代MEMS傳感器。新一代傳感器助力消費類移動產(chǎn)品、智能工業(yè)、智能醫(yī)療和智能零售產(chǎn)品實現(xiàn)性能和功能新飛躍。MEMS 技術(shù)實現(xiàn)是穩(wěn)健可靠的芯片級運動和環(huán)境傳感器的基礎技術(shù)，今天的智能手機和可穿戴設備依靠MEMS傳感器實現(xiàn)直觀的環(huán)境感知功能。現(xiàn)在，意法半導體新一代 MEMS 傳感器將性能提升到了一個新的水平，輸出數(shù)據(jù)準確度和功耗都突破了現(xiàn)有技術(shù)限制。新傳感器可讓活動檢測、室內(nèi)導航、精密工業(yè)感測
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躋身第三代半導體市場 ST助力全球碳中和
- 隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩(wěn)定，應用在工業(yè)和電動汽車上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者，意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優(yōu)勢作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業(yè)領域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會，介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下，如何通過創(chuàng)新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻。 據(jù)調(diào)查，工業(yè)領域中將電力利用效率提升1%，就能節(jié)約95.6億千瓦時的能源。這意味著節(jié)約了
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用于檢測裸硅圓芯片上少量金屬污染物的互補性測量技術(shù)
- 就產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)環(huán)境的清潔度而言，半導體產(chǎn)業(yè)是一個要求很高的產(chǎn)業(yè)。金屬污染對芯片有害，所以應避免裸晶圓芯片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓芯片上金屬污染問題的經(jīng)驗，介紹如何使用互補性測量方法檢測裸硅圓芯片上的少量金屬污染物并找出問題根源，解釋從多個不同的檢測方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測量技術(shù)檢測污染物對熱處理的依賴性。前言本文旨在解決硅襯底上的污染問題，將討論三種不同的金屬污染。第一個是鎳擴散，又稱為快速擴散物質(zhì)[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個污點開始擴散的金屬污染。第二個是鉻污染，
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導入NFC卷標功能實作 全球連網(wǎng)香水首見現(xiàn)身
- Phantom是全球第一款連網(wǎng)香水，噴頭內(nèi)裝有ST25TV02K近場通信（NFC）標簽，讓Paco Rabanne可為顧客提供獨特功能。運作機制其實很簡單：使用者將手機靠近瓶身，就會跳出通知并傳送一個連結(jié)網(wǎng)址。瓶身做成機器人形狀，有如顧客進入香水世界及相關(guān)服務的門戶。目前Paco Rabanne提供顧客一份播放列表，里面有特定日期或月份的排行榜暢銷歌曲。舉例來說，顧客可以找出歷年來自己生日時所有流行曲目。該公司還提供一款機器人形狀的IG貼紙，為自拍增添天馬行空的創(chuàng)意。Paco Rabanne已在8月時全球
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適用于電池供電設備的熱感知高功率高壓板
- 電池供電馬達控制方案為設計人員帶來多項挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱效能至今仍十分棘手且耗時；但現(xiàn)在，應用設計人員可利用現(xiàn)代化電熱仿真器輕松縮短上市時間。如今，電池供電馬達驅(qū)動解決方案通?？捎脴O低的工作電壓提供數(shù)百瓦的功率。在此類應用中，為確保整個系統(tǒng)的效能和可靠性，必須正確管理馬達驅(qū)動設備的電流。事實上，馬達電流可能會超過數(shù)十安培，導致變流器內(nèi)部耗散功率提升。為變流器組件施加較高的功率將會導致運作溫度升高，效能下降，如果超過最額定功率，甚至會突然停止運作。優(yōu)化熱效能同時縮小大小，是變流器設計過程中的重要一
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ST與Sierra Wireless合作 簡化加速物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機方案部署
- 意法半導體（ST）與全球領先的物聯(lián)網(wǎng)服務供貨商Sierra Wireless宣布合作協(xié)議，讓STM32微控制器（MCU）開發(fā)社群能夠使用Sierra Wireless彈性的蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機和邊緣至云端解決方案。 STM32 MCU與Sierra Wireless彈性的全球蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機和邊緣至云端解決方案，簡化物聯(lián)網(wǎng)設備部署。該協(xié)議可協(xié)助開發(fā)者解決建立和部署物聯(lián)網(wǎng)解決方案所涉及的各種挑戰(zhàn)，包含裝置設計研發(fā)、蜂巢式網(wǎng)絡安裝和與云端服務聯(lián)機，以加速產(chǎn)品上市。意法半導體部門副總裁暨微控制器事業(yè)部總經(jīng)
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ST：以可持續(xù)方式為世界創(chuàng)新技術(shù)
- ST以可持續(xù)方式為可持續(xù)世界創(chuàng)造技術(shù)，實際上，這并不是新鮮事，ST自1987 年成立時就開始這樣做了。這個理念已深入我們的商業(yè)模式和企業(yè)文化 30余年，ST的創(chuàng)新技術(shù)讓客戶能夠因應各種環(huán)境和社會挑戰(zhàn)。 意法半導體集團副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX現(xiàn)今，新冠疫情還在世界各處肆虐，為加速推動各種可持續(xù)發(fā)展行動創(chuàng)造了條件，CTIMES特別訪問了意法半導體集團副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負責人Jean-Louis CHAMPSEIX，了解該公司可持續(xù)發(fā)展的策略。Jean-Louis指出，對
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Rosenberger與ST合作 開發(fā)獨特60GHz高速非接觸式連接器
- 意法半導體（STMicroelectronics）和Rosenberger合作，開發(fā)非接觸式連接器，用于工業(yè)和醫(yī)療設備的超可靠近距離點對點全雙工數(shù)據(jù)交換。 Rosenberger創(chuàng)新的非接觸式連接器 RoProxCon利用意法半導體的60GHz射頻收發(fā)器ST60A2高速傳輸數(shù)據(jù)，不受連接器的移動、震動、旋轉(zhuǎn)和污物（濕氣和灰塵）之影響，若為傳統(tǒng)的插銷與插座則可能導致聯(lián)機故障。ST60A2兼具Bluetooth?藍牙低功耗和高數(shù)據(jù)傳輸速率，打造出不再受線纜羈絆的新型醫(yī)療和工業(yè)應用。Rosenberg
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ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)
- 氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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為技術(shù)找到核心 多元化半導體持續(xù)創(chuàng)新
- 觀察2021年主導半導體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢，可以從新的半導體技術(shù)來著眼。基本上半導體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術(shù)，基礎技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎 長跑35年第十代即將量產(chǎn)
- 意法半導體（ST）宣布，電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰ST在超級整合硅閘半導體制程技術(shù)領域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復雜度、大功率應用的需求。多年來，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動器、打印機和汽車系統(tǒng)等終端應用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導體Agrate工廠的實時／
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意法半導體發(fā)布面向高性能汽車應用的下一代MEMS加速度計
- 意法半導體 AIS2IH三軸線性加速度計為汽車防盜、遠程信息處理、信息娛樂、傾斜/側(cè)傾測量、車輛導航等非安全性汽車應用帶來更高的測量分辨率、溫度穩(wěn)定性和機械強度，還為性能要求很高的新興汽車、醫(yī)療和工業(yè)應用鋪平了道路。借助意法半導體在MEMS技術(shù)和汽車技術(shù)方面的領先地位，AIS2IH具有市場領先的可靠性，在-40oC至+115oC的寬工作溫度范圍內(nèi)提供高性能的運動測量功能。此外，新加速度計采用超低功耗技術(shù)和緊湊的LGA-12柵格陣列封裝，售價具有極高的市場競爭力。新產(chǎn)品有五個不同的工作模式：一個高性能模式(
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DC充電站：ST在功率與控制層面所遇到之挑戰(zhàn)
- 預計到2027年，全球電動汽車充電站市場規(guī)模迅速擴展，而亞太地區(qū)電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場的成長。意法半導體（ST）產(chǎn)品可支持此一市場／應用。本文介紹主要系統(tǒng)架構(gòu)以及主要適用的ST產(chǎn)品。預計到2027年，全球電動汽車充電站市場規(guī)模將從2020年估計的2,115,000個成長至30,758,000個，復合年均成長率高達46.6%。該報告的基準年為2019年，預測期為2020年至2027年。[1] 從地理位置來看，亞太地區(qū)（尤其是中國）電動汽車銷量的迅速成長推動了全球電動汽車充電站市場
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意法半導體和OQmented聯(lián)合研制、銷售先進的MEMS微鏡激光束掃描解決方案
- 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)與專注于MEMS[1]微鏡技術(shù)的深度科技創(chuàng)業(yè)公司OQmented，宣布合作推動MEMS微鏡技術(shù)在增強現(xiàn)實 (AR) 和3D感測市場的發(fā)展。雙方合作旨在利用兩家公司的專業(yè)知識，推動MEMS微鏡激光束掃描(LBS)解決方案市場領先背后的技術(shù)產(chǎn)品的發(fā)展。意法半導體是全球領先的MEMS器件廠商，設計、制造和銷售各種MEMS傳感器、致動器，以及相關(guān)組件，包括驅(qū)動器、控制器和激光二極管驅(qū)動器，為此次合作貢獻其龐大的
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st-bus總線協(xié)介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對st-bus總線協(xié)的理解，并與今后在此搜索st-bus總線協(xié)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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