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MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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拯救EMI輻射超標，開關(guān)電源能做點啥？

  • 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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為IC設計減少天線效應

  • 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結(jié)束，只是不知道當這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應變得原來越重要且難以控制，天線效應便是其中之一。
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DC-DC電路當中同步與非同步的差異講解

  • 在開關(guān)電源電路設計當中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設計。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個電壓值轉(zhuǎn)化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設計在開關(guān)電源當中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設計，本篇文章將為大家介紹這種電路當中非同步與同步的區(qū)別。
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高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動電路基礎總結(jié)

  • 　　在使用MOS管設計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。 　　下面是我對MOS及MOS驅(qū)動電路基礎的一點總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應用電路。 　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，
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恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務出售給中國公司

  • 　　半導體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導體等產(chǎn)品的標準產(chǎn)品業(yè)務部門出售給中國的投資公司(英文發(fā)布資料)。 　　標準產(chǎn)品業(yè)務部門2015年財年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名，約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬)的2.5成。 　　出售金額約為27.5億美元，購買方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
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【E問E答】MOS管為什么會被靜電擊穿？

  • 　　MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高?！　§o電放電形成
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一種簡單的防短路的保護方法

  • 　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。　　雖然MOS管導通內(nèi)阻非常小，但所流過的電流也有最大限制，如果電流過大，比如外接負載短路，同樣會被燒毀。短路都是非正常工
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場效應晶體管的幾點使用知識

  • 　　我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管.　　1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿　　由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應出來的
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深度分析MOS場效應管在消費類電子中的電路設計

  • 　　當我們還是學生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學習NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計算、動態(tài)信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會說MOS管和三極管的不同就是一個是電壓控制，一個是電流控制，一個Ri大，一個Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實戰(zhàn)的角度進行MOS場效應管的分析。　　首先我們來看下經(jīng)常使用的增強型mos場效應管：N溝道和P溝道m(xù)os場效應管?！　≡谙M類電子設計中由于對功耗要求比較嚴格，通常使用N溝道和P溝道MOS
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怎樣正確使用MOS 集成電路

  • 　　所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡進行保護，雖然如此，器件內(nèi)的保護網(wǎng)絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
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到底什么是fmax講解

  • 　　簡介： 今天一個剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f，他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數(shù)，就寫個短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關(guān)。 　　這兩個頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當然這個最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個頻率其實離得不遠，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
  • 關(guān)鍵字： MOS  fmax  

一種簡單的防短路保護方法

  • 　　簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。 　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。 　　雖然MOS管導通內(nèi)阻非常小，但所流過的電
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低待機功耗電源方案選擇

  • 　　歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。 　　2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設計要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設計管理委員會批準的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達到第一階段的要求，2013年1月6日達到第二階段要求。 　　   　　圖1 Eup圖標 　　我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求， 　　1、產(chǎn)品在關(guān)機或待機
  • 關(guān)鍵字： MOS  AC-DC  

怎樣用最小的代價降低MOS的失效率？

  • 　　【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實際應用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。 　　【問題分析】 　　   　　上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續(xù)流，導致VS端產(chǎn)生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負壓會把驅(qū)動的電位拉到負電位，導致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
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