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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> vishay intertechnology

Vishay推出符合IPC/JEDEC J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)的新款器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出滿(mǎn)足嚴(yán)格的IPC/JEDEC J-STD-020焊接指導(dǎo)的新款器件，擴(kuò)充了高溫140 CRH器件和低阻抗150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器。 　　新電容器提供最嚴(yán)格的回流焊曲線(xiàn)，具有從10mmx10mm到更大的18mmx18mm的7種外形尺寸。今天發(fā)布的140 CRH器件的高溫性能達(dá)+125℃，150 CRZ電容器具有超低的“Z”阻抗，或是在100kHz下提供0.035&
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Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。 　　隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因?yàn)榘存I和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
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Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二極管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三極管，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。器件采用1.8mm的鷗翼式和倒鷗翼式表面貼裝封裝，光探測(cè)器可檢測(cè)到可見(jiàn)光和近紅外輻射，采用2.3mmx2.3mmx2.8mm的緊湊占位。 　　今天發(fā)布的器件針對(duì)儀表、汽車(chē)和打印機(jī)應(yīng)用中的光幕、微型開(kāi)關(guān)、編碼器和光遮擋器進(jìn)行了優(yōu)化，探測(cè)器可在接近探測(cè)應(yīng)用中探測(cè)可見(jiàn)光和紅外發(fā)射源。
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Vishay推出具有75V電壓等級(jí)的固鉭貼片電容器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首類(lèi)具有高達(dá)75V的工業(yè)電壓等級(jí)的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D，增強(qiáng)了該公司TANTAMOUNT® 高可靠性電容器的性能，擴(kuò)大其在高壓固鉭貼片電容器領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 　　數(shù)十年來(lái)，50V電壓成了固鉭貼片電容器中額定電壓的極限。2008年，Vishay引入63V電壓等級(jí)，打破了這個(gè)性能障礙?，F(xiàn)在，Vishay在這個(gè)專(zhuān)利技術(shù)基礎(chǔ)上更進(jìn)一步，發(fā)布了業(yè)界首款75V固鉭貼片電容器。 　　憑借在“R
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Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。 　　這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)
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Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對(duì)更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下，該器件的典型導(dǎo)通電
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測(cè)量高頻開(kāi)關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器中熱應(yīng)力器件功率耗散的新方法

  • 　　引言 　　DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)?？梢詼y(cè)量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀(guān)方式進(jìn)行表達(dá)： 　　效率 = 輸出功率 / 輸入功率 (1) 　　功率損耗 = 輸入功率-輸出功率 (2) 　　但是對(duì)于每個(gè)元器件做為一個(gè)單獨(dú)熱源在損耗中所占的比重，這樣的結(jié)果沒(méi)有提供任何信息。我們的方法學(xué)能夠解決這個(gè)問(wèn)題，從而讓設(shè)計(jì)者能夠更好地選擇針對(duì)其應(yīng)用的最佳DC-DC實(shí)現(xiàn)方案。 　　降壓轉(zhuǎn)換器的實(shí)例 　　降壓轉(zhuǎn)換器中的主要熱源是高邊MOSFET、低邊MOSFET和電感器
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Vishay推出三款業(yè)界最佳的中距離紅外傳感器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用3種封裝類(lèi)型、具有數(shù)字和模擬輸出的系列中距離紅外傳感器 --- TSOP4038、TSOP58038和TSOP5038，充實(shí)了其光電產(chǎn)品組合。憑借300μs的快速響應(yīng)和0.85mA的低電流，這些業(yè)界最佳探測(cè)器用在斷續(xù)器時(shí)的探測(cè)距離是30米，用于反射傳感器時(shí)的探測(cè)距離為3米。 　　一些物體探測(cè)傳感器可根據(jù)環(huán)境光的亮度和環(huán)境中的光噪聲，調(diào)整探測(cè)閾值。為避免存在噪聲時(shí)出現(xiàn)誤探測(cè)，放大器的增益會(huì)自動(dòng)調(diào)整到可影響傳感器響應(yīng)特
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Vishay更新軍品級(jí)別的模擬開(kāi)關(guān)和復(fù)用器產(chǎn)品線(xiàn)

  • 　　日前，長(zhǎng)期為軍工和航天客戶(hù)提供高可靠性分立和IC器件的供應(yīng)商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠(chǎng)已經(jīng)通過(guò)了DSCC的再次認(rèn)證，所生產(chǎn)的模擬開(kāi)關(guān)和復(fù)用器將按照MIL-PRF-38535標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行篩選。 　　首先投產(chǎn)的新認(rèn)定產(chǎn)品是DG409的高可靠性版本，即雙線(xiàn)4通道差分模擬復(fù)用器：DG409將4個(gè)差分輸入中的一個(gè)連到一個(gè)共用的雙線(xiàn)輸出上，具有44V的最大供電等級(jí)、100Ω的低導(dǎo)通電阻
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Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。新的VOM452T和VOM453T的波特率為1MBd，采用厚度為2.0mm的低外形封裝，其封裝較DIP-8 SMD封裝可節(jié)約75%的PCB面積。這些器件還具有1μs的超短傳播延遲，這一點(diǎn)對(duì)需要比標(biāo)準(zhǔn)光電晶體管光耦更快開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用是非常重要的。 　　波特率達(dá)1MBd的VOM452T和VOM453T光耦可用于工業(yè)通信總線(xiàn)的信號(hào)隔離，例如C
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Vishay推出光通量高達(dá)2160流明的新款LED照明面板

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于道路和工業(yè)高架照明應(yīng)用的新款LED照明面板 --- VLSL30和VLSL31，擴(kuò)大了其光電產(chǎn)品組合。兩款開(kāi)發(fā)套件為設(shè)計(jì)者提供了所需的全部材料，使他們能夠借助Vishay的固態(tài)照明解決方案加快設(shè)計(jì)進(jìn)程。 　　除了4x6 LED面板，開(kāi)發(fā)套件還包括反射鏡和驅(qū)動(dòng)器模塊，為設(shè)計(jì)者提供了設(shè)計(jì)所需的基本工具，讓開(kāi)發(fā)者可以集中精力將照明產(chǎn)品快速上市，同時(shí)采用高能效、符合環(huán)保要求、長(zhǎng)壽命的LED照明技術(shù)。 　　Vishay提供了兩款面板
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Vishay發(fā)布可靠性極高的高性能新系列薄膜包封式貼片電阻

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過(guò)ESCC-4001/023認(rèn)證、達(dá)到R級(jí)失效率的新系列薄膜包封式貼片電阻 --- PFRR。PFRR電阻是業(yè)界首款具有低至10ppm/℃的TCR、容差為0.05%的此類(lèi)器件。 　　Vishay Sfernice電阻專(zhuān)門(mén)針對(duì)對(duì)性能有著嚴(yán)格要求的軍工、航天和醫(yī)療應(yīng)用等對(duì)可靠性要求極高的領(lǐng)域，在±70℃下以額定功率工作8000小時(shí)后的負(fù)載壽命穩(wěn)定率為0.25%。通過(guò)100%的篩選和廣泛的環(huán)境抽簽測(cè)試，確保了器件的可靠
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Vishay發(fā)布助客戶(hù)進(jìn)一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

  • 　　日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶(hù)了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個(gè)流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET解決方案。 　　傳統(tǒng)上，設(shè)計(jì)者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換
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節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

  • 日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶(hù)了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊...
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Vishay發(fā)布新款TFU厚膜扁平貼片式

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款TFU 0603厚膜扁平貼片式保險(xiǎn)絲，器件在更小的芯片尺寸內(nèi)提供了超快動(dòng)作的熔斷特性。器件的額定電流值高達(dá)4.0A，在32V額定電壓下的分?jǐn)嗄芰?5A。 　　Vishay Beyschlag TFU 0603保險(xiǎn)絲采用標(biāo)準(zhǔn)RR 1608M公制外形尺寸(91.55mmx85mmx45mm)，可對(duì)DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電器和便攜式消費(fèi)電子設(shè)備中的低壓電源提供次級(jí)側(cè)的過(guò)流保護(hù)。通過(guò)嚴(yán)格控制的制造工藝和Vishay先進(jìn)的厚膜技術(shù)
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