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SiC晶體生長進入電阻爐時代!

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2022-06-18 來源:工程師 發(fā)布文章

來源: 化合物半導(dǎo)體市場


2022年6月,恒普科技推出新一代2.0版SiC電阻晶體生長爐,本次量產(chǎn)推出的爐型是基于恒普上一代6、8英寸電阻爐的全新版本,積極對應(yīng)市場對SiC電阻晶體生長爐的行業(yè)需求。


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Source:恒普科技


據(jù)了解,國內(nèi)SiC晶體生長爐基本都是采用感應(yīng)發(fā)熱的方式,感應(yīng)發(fā)熱晶體生長爐設(shè)備具有投資低、結(jié)構(gòu)簡單、維護便利、熱效率高等優(yōu)點,已被行業(yè)廣泛使用。但是,受制于有些技術(shù)難點,其性能難以進一步提高,主要包括:由于趨膚效應(yīng),均勻熱場建立難度高,熱場的溫度容易受到外部環(huán)境的擾動,難以修正由于晶體生長和原料分解等參數(shù)變化帶來的內(nèi)部擾動,并且工藝參數(shù)強深度耦合,控制難度高。


在碳化硅8英寸時代到來之際,隨著坩堝的直徑增長,感應(yīng)線圈只能加熱坩堝的表面,不同位置的徑向溫度梯度都會隨之增大,而這樣的參數(shù)變化不適合大直徑的晶體生長,對于原料分解、晶體面型、熱應(yīng)力帶來的復(fù)雜缺陷的調(diào)節(jié)方面都面臨挑戰(zhàn)。


為解決行業(yè)痛點,恒普科技推出了以【軸徑分離】*為核心技術(shù),石墨發(fā)熱的SiC晶體生長技術(shù)平臺,與【新工藝】* 組合,更優(yōu)化地解決晶體的長大、長快、長厚的行業(yè)核心需求。


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Source:恒普科技


據(jù)介紹,新一代石墨發(fā)熱晶體生長爐,在籽晶徑向區(qū)域主動調(diào)節(jié)其區(qū)域溫度,軸向溫度通過料區(qū)熱場調(diào)節(jié)其區(qū)域溫度,從而實現(xiàn)【軸徑分離】。


晶體生長時,隨著厚度的增加,籽晶區(qū)域熱容發(fā)生變化,熱導(dǎo)也會發(fā)生很大的變化,這些參數(shù)的變化都會影響到籽晶區(qū)域的溫度,由于籽晶區(qū)域有徑向平面的發(fā)熱體,可以主動調(diào)節(jié)徑向平面的溫度,實現(xiàn)徑向平面的可控?zé)崃可⑹?。隨著原料分解,料的導(dǎo)熱率發(fā)生變化(注:二次傳質(zhì)的舊工藝),且在料的上部結(jié)晶,料區(qū)熱場根據(jù)料的狀態(tài)可以主動調(diào)節(jié)料區(qū)溫度。


設(shè)定生長工藝時,只需要直接設(shè)定籽晶區(qū)域溫度曲線,和軸向溫度梯度溫度曲線,“所見即所得”,降低了工藝耦合的難度和避免了工藝黑箱。


并且,實現(xiàn)【軸徑分離】需要精準(zhǔn)對溫度進行控制,而不能采用傳統(tǒng)的功率控制,所以新爐型標(biāo)準(zhǔn)配備了【溫度閉環(huán)控制】,全程長晶工藝采用溫度控制。


【軸徑分離】【新工藝】完美結(jié)合,是新一代2.0版SiC電阻晶體生長爐的技術(shù)亮點,【新工藝】采用一次傳質(zhì)熱場,讓物質(zhì)流實現(xiàn)基本恒定,配合【軸徑分離】的精準(zhǔn)區(qū)域溫度控制技術(shù),更優(yōu)化地解決晶體的長大、長快、長厚的行業(yè)需求。


另值得關(guān)注的是,石墨熱場發(fā)熱的晶體生長爐具有一些天然的優(yōu)勢:a、溫度的穩(wěn)定性;b、過程的重復(fù)性;c、溫度場的可控性,因此更適合于大尺寸碳化硅SiC晶體的生長,如:8英寸。


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Source:恒普科技



新技術(shù)平臺部分功能詳解


軸徑分離


是指軸向溫度梯度與徑向溫度不存在強耦合,可以對軸向溫度梯度和徑向溫度分別進行高精度控制。是解決晶體快速生長的核心技術(shù)一。

新工藝


采用一次傳質(zhì)的新熱場,傳質(zhì)效率提高且穩(wěn)定,降低再結(jié)晶影響(避免二次傳質(zhì)),有效降低了微管或其它晶體缺陷。生長后期,降低碳包裹物的影響,在滿足晶體質(zhì)量的前提下,將晶體厚度大幅增加。

溫度閉環(huán)控制


SiC晶體在2000℃以上的高溫下生長,對溫度的穩(wěn)定性要求極高,但由于SiC粉料揮發(fā)等原因,無法做到對溫度的精準(zhǔn)測量,導(dǎo)致晶體生長時無法進行溫度控制,而是采用功率控制,恒普科技采用創(chuàng)新的溫度測量方法,能將溫度的測量精度大幅度提高并保持高度穩(wěn)定,能夠在晶體生長的全周期采用溫度控制。

高精度壓力控制


SiC晶體在2000℃以上的高溫下生長,對溫度的穩(wěn)定性要求極高,但由于SiC粉料揮發(fā)等原因,無法做到對溫度的精準(zhǔn)測量,導(dǎo)致晶體生長時無法進行溫度控制,而是采用功率控制,恒普科技采用創(chuàng)新的溫度測量方法,能將溫度的測量精度大幅度提高并保持高度穩(wěn)定,能夠在晶體生長的全周期采用溫度控制。

其他特點


全尺寸(6英寸和8英寸);緊湊熱場設(shè)計,能耗大幅降低;占地面積小,適合于大批量擺放。


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