據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利，授權公告號CN116631469B，申請日期為2023年7月。

專利摘要顯示，本公開提供了時鐘信號生成電路、方法及存儲器，涉及半導體技術領域。該電路包括：命令預解碼電路，用于對命令中的部分命令位進行解碼得到預解碼命令信號；命令解碼電路，用于對所述命令進行解碼得到內部命令信號；計數(shù)電路，用于基于初始時鐘信號進行時鐘周期的計數(shù)，生成第一計數(shù)信號和第二計數(shù)信號；時鐘信號截取電路，與所述命令預解碼電路、所述命令解碼電路和所述計數(shù)電路連接，用于根據所述預解碼命令信號、所述內部命令信號、所述第一計數(shù)信號和第二計數(shù)信號對所述初始時鐘信號進行截取，得到目標時鐘信號。根據本公開實施例，能夠降低存儲器的動態(tài)損耗。

值得注意的是近日，據長鑫存儲官網顯示，長鑫存儲推出了最新LPDDR5 DRAM 存儲芯片，是國內首家推出自主研發(fā)生產的 LPDDR5 產品的品牌，實現(xiàn)了國內市場零的突破，同時也令長鑫存儲在移動終端市場的產品布局更為多元。

南京證券發(fā)布研報稱，從國內半導體需求的周期反轉順序來看，射頻>存儲、CIS>模擬>功率，目前國內優(yōu)質的射頻公司2H23庫存已經消化到1H21水平，接下來需求反轉會輪動到存儲板塊，目前存儲板塊近期已經出現(xiàn)漲價現(xiàn)象。隨著下半年國內手機品牌陸續(xù)推新以及iPhone15系列發(fā)布，上游出貨壓力將逐步緩解，存儲芯片調整周期尾聲將至，整個存儲市場有望迎來拐點。

來源：芯榜