12月11日消息，根據(jù)日本兩大芯片制造商羅姆半導體（ROHM）和東芝電子設備與存儲公司上周五發(fā)布的聯(lián)合聲明透露，雙方在功率半導體制造和增加批量生產(chǎn)方面的合作計劃已得到日本經(jīng)濟部的支持，雙方將共計獲得 1,294 億日元（9.02 億美元）的補貼，以支持其在日本國內的功率半導體的生產(chǎn)。

根據(jù)聲明顯示，羅姆和東芝將分別對碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件進行密集投資，有效增強其供應能力，并實現(xiàn)互補利用對方的生產(chǎn)能力。

其中，羅姆計劃將大部分投資（總計 19.9 億美元）將用于其主導的 SiC（碳化硅） 晶圓生產(chǎn)。東芝則計劃投入 6.84億美元開發(fā)更傳統(tǒng)的硅基功率芯片。羅姆和東芝兩家公司的總投資將達3883 億日元（26.7 億美元，其中包括補貼），將有助于日本擴大功率半導體產(chǎn)能。

羅姆表示：“我們專注于電力和模擬解決方案，通過滿足客戶對節(jié)能和產(chǎn)品小型化的需求來解決社會問題”，并加快實現(xiàn)無碳目標。SiC功率器件是節(jié)能的關鍵。自全球首次大規(guī)模生產(chǎn)SiC MOSFET以來，羅姆一直在不斷開發(fā)行業(yè)領先的技術。其中包括羅姆最新的第4代SiC MOSFET，它將被用于許多電動汽車和工業(yè)設備。作為其優(yōu)先項目之一，羅姆正在致力于SiC業(yè)務，其中包括積極和持續(xù)的投資，以提高SiC的生產(chǎn)能力和滿足強勁的需求增長。

東芝電子設備與存儲公司也表示，過去多年來，其一直提供硅功率器件，主要用于汽車和工業(yè)市場，這有助于確保節(jié)能解決方案和設備小型化。該公司去年開始生產(chǎn)300毫米晶圓生產(chǎn)線，并正在加快投資，以提高產(chǎn)能和滿足強勁的需求增長。它還充分利用其在鐵路車輛應用方面培養(yǎng)的專業(yè)知識，推動了更廣泛的SiC功率器件的開發(fā)，特別是用于汽車、輸電和配電應用。

值得注意的是，羅姆已經(jīng)宣布參與東芝的私有化，但這項投資并不是雙方制造業(yè)合作的起點。在半導體行業(yè)日益激烈的國際競爭下，羅姆和東芝電子設備與存儲公司一段時間以來一直在考慮在電力設備業(yè)務上進行合作，這導致了聯(lián)合應用。雙方將通過對SiC和Si功率器件的密集投資，在制造功率器件方面進行合作，分別致力于提升兩家公司的國際競爭力。兩家公司還將尋求為加強日本半導體供應鏈的彈性做出貢獻。

日本經(jīng)濟再生大臣西村康稔在上周五的新聞發(fā)布會上也稱贊，LOMO和東芝的此次合作是鞏固日本半導體領導者地位的一步，并表示政府將計劃對本地生產(chǎn)進行類似投資。他表示：“國內功率半導體制造商之間的合作對于提高日本產(chǎn)業(yè)的國際競爭力至關重要?！?/p>

與標準硅功率器件相比，SiC芯片在更高電壓下往往效率更高。因此，SiC 組件越來越多地應用于電動汽車中大量使用的牽引逆變器和 DC-DC 逆變器。這種更高的效率對汽車制造商產(chǎn)生了連鎖反應，從而可以減輕重量、減少電池磨損并延長電動汽車的續(xù)航里程。

目前，美國、歐洲和日本的幾家芯片制造商集體宣布投資數(shù)十億美元建設新的碳化硅晶圓廠和研發(fā)設施，以增加國內供應。根據(jù)主要碳化硅元件生產(chǎn)商安森美半導體預計，到 2023 年，SiC 芯片的出貨量將超過 8 億美元，主要用于汽車市場，收入是去年的 4 倍。

與此同時，博世宣布收購美國芯片制造商TSI Semiconductor，以增強其在美洲的碳化硅供應鏈。雖然交易條款尚未披露，但博世已承諾向 TSI 羅斯維爾園區(qū)投資約 15 億美元。

意法半導體還透露了將 SiC 晶圓生產(chǎn)引入內部的計劃，據(jù)稱此舉將在本世紀末帶動 50 億美元的年收入。

當然，還有美國北卡羅來納州的 Wolfspeed，該公司獲得了12.5 億美元的融資，用于擴大其碳化硅和氮化鎵產(chǎn)能。

編輯：芯智訊-浪客劍