今明兩年全球芯片產(chǎn)能將持續(xù)增長(zhǎng),AI與中國(guó)大陸廠商成重要推手
6月18日,國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))發(fā)布的最新季度《世界晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示,為跟上芯片需求持續(xù)增長(zhǎng)的步伐,全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2024年增長(zhǎng)6%,并在2025年實(shí)現(xiàn)7%的增長(zhǎng)。
行業(yè)習(xí)慣將7納米及以下的芯片劃分為先進(jìn)制程,28納米及以上芯片為成熟制程。而最新的一輪擴(kuò)產(chǎn)潮兩者均有涉及:一方面是來自AI算力需求的激增,以先進(jìn)制程芯片的擴(kuò)產(chǎn)最為明顯;另一方面是中國(guó)大陸廠商在成熟制程領(lǐng)域的集中擴(kuò)產(chǎn)。
報(bào)告統(tǒng)計(jì),5納米及以下先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能預(yù)計(jì)在2024年將增長(zhǎng)13%,主要受數(shù)據(jù)中心訓(xùn)練、推理和前沿設(shè)備的生成式AI的驅(qū)動(dòng)。到2025年時(shí),臺(tái)積電、三星、英特爾將著手準(zhǔn)備生產(chǎn)2納米芯片,先進(jìn)制程產(chǎn)能屆時(shí)將進(jìn)一步提高17%。
除了邏輯計(jì)算芯片外,從2022年開始,因市場(chǎng)供過于求陷入低谷的存儲(chǔ)芯片同樣因AI迎來一波產(chǎn)能擴(kuò)張,HBM是其中的代表。這種新方案使用3D堆疊技術(shù),將多個(gè)DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)芯片垂直堆疊在一起,可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量、更大的存儲(chǔ)帶寬和更低的延遲。
眼下HBM的產(chǎn)能正供不應(yīng)求,大客戶是英偉達(dá)、AMD、英特爾等AI芯片廠商。行業(yè)內(nèi)的擴(kuò)產(chǎn)投資主要由“存儲(chǔ)三巨頭”三星、SK海力士、美光領(lǐng)銜。其中,SK海力士、美光上半年都已宣布其2024年、2025年的HBM產(chǎn)能全部售罄,計(jì)劃重金投建新工廠用于生產(chǎn)更多HBM。三星此前也表示,計(jì)劃將HBM的產(chǎn)能比去年擴(kuò)增近三倍。
存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)主要由DRAM內(nèi)存(Memory)和 NAND Flash閃存(Flash Memory)兩大產(chǎn)品線構(gòu)成。按照SEMI報(bào)告預(yù)測(cè),由于HBM的投資需求直接刺激DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng),2024年和2025年DRAM產(chǎn)能都將增長(zhǎng)9%。相比之下,NAND Flash閃存市場(chǎng)的復(fù)蘇仍然緩慢,2024年的產(chǎn)能預(yù)計(jì)不會(huì)增長(zhǎng),2025年則增長(zhǎng)5%。
除海外廠商在先進(jìn)制程芯片上進(jìn)行布局外,中國(guó)大陸廠商在成熟制程領(lǐng)域的大舉擴(kuò)產(chǎn)是全球市場(chǎng)產(chǎn)能增長(zhǎng)的另一大動(dòng)力。
中國(guó)國(guó)內(nèi)的芯片產(chǎn)能目前以成熟芯片為主。據(jù)SEMI預(yù)測(cè),未來將在2024年增長(zhǎng)15%,2025年再增長(zhǎng)14%,占據(jù)行業(yè)總產(chǎn)能的三分之一。
華虹集團(tuán)、晶合集成、芯恩、中芯國(guó)際和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在內(nèi)的主要廠商正在大力投資建廠,產(chǎn)能幾乎全部鎖定成熟制程。
上半年的進(jìn)口數(shù)據(jù)也印證了這一點(diǎn)。中國(guó)海關(guān)總署的數(shù)據(jù)顯示,2024年1至4月,中國(guó)大陸半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的進(jìn)口總額達(dá)到了104.87億美元,同比增長(zhǎng)88%,其中絕大多數(shù)來自荷蘭、日本等地,主要用于成熟制程芯片的生產(chǎn)。
與中國(guó)大陸相比,其他大部分區(qū)域市場(chǎng)并未有大規(guī)模的擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作。按SEMI調(diào)查預(yù)測(cè),主要芯片制造地區(qū)的產(chǎn)能增長(zhǎng)率都不超過5%。其中,中國(guó)臺(tái)灣2025年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)4%,韓國(guó)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)7%,日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)能將分別增長(zhǎng)3%、5%、4%、4% 。
全球第一大芯片生產(chǎn)商臺(tái)積電對(duì)于擴(kuò)產(chǎn)的態(tài)度十分謹(jǐn)慎。此前,公司在一季度財(cái)報(bào)會(huì)上將2024年全球晶圓代工業(yè)產(chǎn)值增長(zhǎng)預(yù)期由20%下調(diào)至10%。據(jù)其判斷,今年仍然是市場(chǎng)需求緩慢回升的一年。
盡管存在擴(kuò)張產(chǎn)能未被及時(shí)消化的風(fēng)險(xiǎn),中國(guó)大陸廠商仍將繼續(xù)積極投資擴(kuò)產(chǎn),部分原因是為減輕美國(guó)對(duì)華出口管制的影響。
一家國(guó)際分析機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體研究主管告訴界面新聞?dòng)浾?,近兩年之?nèi)半導(dǎo)體行業(yè)整體需求低迷,但由于美對(duì)華出口管制升級(jí)使得國(guó)產(chǎn)化被提上緊急議程,國(guó)內(nèi)廠商集體選擇逆勢(shì)擴(kuò)產(chǎn),不少頭部晶圓廠都背負(fù)了不小的壓力,毛利潤(rùn)偏低,產(chǎn)能利用率下滑。雖然眼下正逐漸修復(fù),但行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)要滿足國(guó)產(chǎn)化的目標(biāo)依然有很長(zhǎng)的路要走。
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