12月18日，長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目舉行首批設(shè)備搬入儀式，標(biāo)志著長飛先進(jìn)武漢基地即將邁入工藝驗(yàn)證新階段，全面投產(chǎn)正式進(jìn)入倒計(jì)時(shí)。本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，較原定設(shè)備搬入時(shí)間大幅提前。

長飛先進(jìn)總裁陳重國表示，首批設(shè)備的進(jìn)駐，標(biāo)志著武漢基地項(xiàng)目正式進(jìn)入產(chǎn)能建設(shè)新階段，接下來還將面臨工藝驗(yàn)證、產(chǎn)品通線等更多、更難的挑戰(zhàn)。目前，長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正加快推進(jìn)建設(shè)并對設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。

資料顯示，長飛先進(jìn)與2023年8月與武漢東湖高新區(qū)管委會簽署第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目，該項(xiàng)目聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過200億元，其中項(xiàng)目一期總投資80億元，規(guī)劃年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓。

當(dāng)前SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測，到2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元。