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爾必達開發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內存芯片

作者: 時間:2009-12-18 來源:tcmagazine 收藏

  公司近日宣布完成了基于其新 XS(extra-shink)制程1Gb 內存芯片產品的開發(fā)工作,并稱使用這種新制程技術制作出的內存芯片在制作成本方面要比現(xiàn)有的50nm制程內存芯片更低。當應用在300mm尺寸晶 圓上時,這種 XS制程相比其前代 S(shrink)制程(08年開發(fā)完成)的產出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進一步縮小芯片的尺寸之外,還可以顯著減小廠方在制造設備上的費用投資。

本文引用地址:http://www.ljygm.com/article/101584.htm

  這種65nm XS制程技術的1Gb 內存芯片面向的主要是PC/服務器市場,預計明年一季度可投入量產。



關鍵詞: 爾必達 65nm DDR3

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