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HBLED或因材料限制缺貨

作者: 時間:2010-06-07 來源:FM5 收藏

  某研究報告指出,2010年下半年成長迅速的用高亮度恐將因關(guān)鍵半導體材料短缺而受到限制。

本文引用地址:http://www.ljygm.com/article/109719.htm

  該研究報告指出,背光模塊的設(shè)備需求已大幅攀升,尤其是生產(chǎn)氮化鎵(gallium nitride,GaN)的有機金屬化學汽相沉積系統(tǒng)(MOCVD)設(shè)備,而有機金屬物質(zhì)三甲基鎵(trimethylgallium,TMG)、藍寶石晶圓(sapphire wafer)也開始出現(xiàn)類似情況。

  目前已開始執(zhí)行的產(chǎn)能擴充計劃可望在2011年年中緩解上述吃緊情形,而在此之前基于GaN的高亮度LED均價將會維持在高水位。



關(guān)鍵詞: 液晶電視 LED

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