在上周結(jié)束的年度盛會(huì)飛思卡爾技術(shù)論壇(FTF)上，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)成為行業(yè)討論的熱點(diǎn)話題，引來(lái)眾多業(yè)內(nèi)人士的矚目。新一代的無(wú)線通信技術(shù)和產(chǎn)品，將改寫我們新的數(shù)字生活方式，讓世界更環(huán)保更安全，溝通更順暢更便捷。

　　在無(wú)線架構(gòu)功率晶體管領(lǐng)域，飛思卡爾以63%的份額占據(jù)市場(chǎng)領(lǐng)先地位。飛思卡爾提供最佳性價(jià)比的領(lǐng)先產(chǎn)品，長(zhǎng)期保持系統(tǒng)成本的降低。射頻功率晶體管是射頻功率放大器的關(guān)鍵部件，應(yīng)用在手機(jī)架構(gòu)里用于傳播手機(jī)信號(hào)到廣泛區(qū)域。飛思卡爾的射頻手機(jī)覆蓋所有主要的頻帶，從700MHz到3500MHz。產(chǎn)品支持2G，3G和4G標(biāo)準(zhǔn)，包括GSM、CDMA、WCDMA、CDMA2000、TDSCDMA和LTE。

　　TD-SCDMA是在中國(guó)開發(fā)的第三代無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)，時(shí)分同步碼分多址存取(TD-SCDMA)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)已被廣泛應(yīng)用，而這些射頻功率晶體管已經(jīng)為基站使用的功率放大器進(jìn)行了優(yōu)化。這些先進(jìn)的器件是專為TD-SCDMA 設(shè)計(jì)的飛思卡爾LDMOS 功率晶體管系列中的最新產(chǎn)品，而TD-SCDMA在業(yè)界被廣泛部署。

　　基于時(shí)分雙工和異步CDMA技術(shù)的TD-SCDMA具有多重優(yōu)勢(shì)，包括頻譜使用更有效率，在上行/下行鏈路中支持非對(duì)稱項(xiàng)目的能力，IP服務(wù)和向下一代標(biāo)準(zhǔn)(比如LTE)自然演進(jìn)路程的適應(yīng)力等等。

　　先進(jìn)的LDMOS FET可提升基站放大器的性能并降低其成本及復(fù)雜性

　　飛思卡爾半導(dǎo)體公司新近推出兩款LDMOS射頻功率晶體管。MRF8P20160HSR3晶體管和MRF8P20100HSR3器件均采用飛思卡爾最新的高壓第八代(HV8)LDMOS技術(shù)，它提供的性能水平位居業(yè)界最高行列。Doherty參考設(shè)計(jì)和世界范圍的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師的支持，極大地降低了客戶進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間。兩個(gè)器件都提供對(duì)寬帶的固有支持，所以能夠在專為TD-SCDMA的運(yùn)行而分配的兩個(gè)頻帶(1880-1920 MHz 及 2010-2025 MHz)上提供它們的額定性能，這讓一個(gè)單獨(dú)的器件能夠?yàn)閮蓚€(gè)頻帶提供服務(wù)，消除了兩頻帶之間組件不同的需求，簡(jiǎn)化了清單管理。

　　TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty 架構(gòu)，該架構(gòu)包含兩個(gè)放大器，它們共同提供所有的運(yùn)行條件。這通常要求在載波以及功率放大器的末級(jí)功峰值路徑中配置單獨(dú)的RF功率晶體管。然而，飛思卡爾的LDMOS 晶體管均采用“雙路徑”設(shè)計(jì)，其中，Doherty末級(jí)放大器的實(shí)施所要求的兩個(gè)放大器被集成在一個(gè)單獨(dú)的封裝內(nèi)。這將把所需器件的數(shù)量減少一半。這些優(yōu)勢(shì)，加上高增益、高效率及低功耗，能夠降低TD-SCDMA放大器的生產(chǎn)成本、減少所需的組件并降低放大器的復(fù)雜度。