針對(duì)10nm節(jié)點(diǎn)，英特爾希望在非關(guān)鍵層使用193nm浸入式技術(shù)，以及在更復(fù)雜和更精細(xì)的線切割步驟中使用EUV。“在這些步驟中，EUV是我們的首要選擇，”他說。如果EUV尚未就緒，那么英特爾很可能會(huì)使用無(wú)光罩或193nm浸入式技術(shù)來(lái)處理線切割步驟。

　　英特爾也已大致確立了其10nm設(shè)計(jì)規(guī)則，它將是基于1D單向、柵格式的設(shè)計(jì)。但難題是：英特爾的10nm設(shè)計(jì)規(guī)則必須以EUV或是193nm浸入式方案其中一種為主，他表示。

　　EUV顯然趕不及英特爾的10nm節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)規(guī)則定義時(shí)程了，他說。據(jù)報(bào)導(dǎo)，英特爾已開始制定基于193nm浸入式和多重曝光(multiple-patterning)的設(shè)計(jì)規(guī)則。

　　當(dāng)EUV工具就緒，英特爾可能會(huì)回頭重新定義設(shè)計(jì)規(guī)則。因此，實(shí)際上EUV仍有可能用于10nm節(jié)點(diǎn)。但若工具沒有準(zhǔn)備好，英特爾就必須尋求其他的選擇。該公司的10納米設(shè)計(jì)規(guī)則將正式在2013年第一季抵定。