摘要：基于目前流行的TSPC高速電路，利用TSMC90nm 1．P9M 1．2V CMOS工藝設計了高速、低壓、低功耗32／33雙模前置分頻器，其適用于WLAN IEEE802．1la通信標準。運用Mentor Graphics Eldo對該電路進行仿真，仿真結果顯示，工作在5．8GHz時功耗僅0．8mW，電路最高的工作頻率可達到6．25GHz。
關鍵詞：雙模前置分頻器 單相時鐘 高速度 低功耗

0 引言
隨著移動通信技術的迅速發(fā)展，對射頻電路的高速、低功耗要求日益增長?；阪i相環(huán)(PLL)結構的頻率合成器是收發(fā)機前端電路的重要組成部分，對為混頻器提供純凈的本振信號，具有重要地位。在PLL中，壓控振蕩器(VCO)和前置分頻器(Prescaler)是工作在最高頻率的兩個模塊，它們是限制PLL工作頻率的主要瓶頸，因此提高前置分頻器的工作速度是解決限制PLL工作頻率上限的一個關鍵因素。為了滿足高頻通信的要求，必須對前置分頻器和VCO進行高速、低功耗的優(yōu)化設計。
雙模前置分頻器以D觸發(fā)器為主要單元。近年來涌現了很多不同結構的高速D觸發(fā)器。第1種是靜態(tài)SCL結構，由ECL電路結構演變而成。與傳統(tǒng)的靜態(tài)分頻器相比，由于它的擺幅較小，所以工作速度快。但是典型SCL結構的2分頻電路包括尾電流源在內至少需要18個MOS管，MOS管無法做到小尺寸，導致輸入電容很大甚至超過了管子本身的電容，所以SCL分頻器功耗較高。第2種是動態(tài)的TSPC(單相時鐘)結構，它采用單相時鐘的TSPC技術使構成分頻器的元件數目減少，可以提高電路的工作速度，同時這種電路的功耗極低，所以經常在前置分頻器中采用。TSPC分頻器的不足是噪聲性能不佳，因為動態(tài)單端結構比SCL結構更容易受噪聲的影響。第3種是注鎖式(iniected-locked)電路，由于要使用電感器，因而它的體積過大且工藝難度高，很少被應用。具體采用哪種電路結構應視情況而定。
本文采用動態(tài)TSPC結構，利用TSMC 90nm 1P9M 1．2VCMOS工藝，設計了一個適用于WLAN IEEE802．11a標準的雙模前置分頻器，具有高速、低壓、低功耗的特點。

1 電路設計
1．1 電路總體架構
雙模前置分頻器的基本結構如圖1所示，包括三個部分：同步2／3分頻器，由異步除2分頻器構成的分頻器鏈，以及反饋部分?？刂菩盘朚C控制分頻比，當MC=1時為32分頻，當MC=O時為33分頻。
圖l雙模前置分頻器結構圖

本設計基于上述傳統(tǒng)結構，通過減少高頻同步分頻器單元中MOS管的個數，達到降低功耗的目的。