(b) 主電路結構

(c) 功率單元結構

圖4 單元串聯多電平變換器

由于不是采用傳統器件串聯方式來實現高壓輸出，而是采用整個功率單元串聯，所以，不存在器件串聯引起的均壓問題。由于串聯功率單元較多，對單元本身的可靠性要求很高。輸入變壓器實行多重化設計，達到降低諧波電流的目的。

4.1.2 同其他拓撲結構的比較

與采用高壓器件直接串聯的變頻器相比，采用這種主電路拓撲結構會使器件的數量增加。但低壓IGBT門極驅動功率較低，其峰值驅動功率不到5W，平均驅動功率不到1W，驅動電路非常簡單。由于開關頻率低，且不必采用均壓電路和浪涌吸收電路，所以系統在效率方面具有較大的優(yōu)勢。功率單元采用目前低壓變頻器中廣泛使用的低壓IGBT功率模塊，技術成熟、可靠。由于采用二極管不可控整流電路結構，所以，變頻器對浪涌電壓的承受能力較強。

相對于二極管鉗位型和電容鉗位型多電平變流器，這種結構避免了使用大量的鉗位二極管或電壓平衡電容。每個獨立直流源與一個單相全橋變流器相連。交流側的端電壓通過串聯方式疊加，形成多電平變流器的輸出電壓。每個單相全橋變流器可以產生一個三電平的輸出電壓。由m個變流器單元級聯而成的多電平變流器的電平數為（2m＋1）。

單元級聯多電平拓撲結構的優(yōu)點是：

1）使用串聯的方法可以將耐壓低、開關頻率也不高的功率器件直接應用到高壓大功率場合；

2）基于單元串聯結構，每個單元的控制邏輯都是獨立的，從而解決了中點鉗位逆變電路在電平數增加時，開關邏輯越來越復雜的問題；

3）各單元互相隔離，串級電路結構不存在靜、動態(tài)均壓問題；