關(guān)于MDK-NAND FLASH下載的若干問題
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nand-flash下載:
本文引用地址：http://www.ljygm.com/article/201611/316674.htm我的ARM板配置如下:
CPU:S3C2410
NAND FLASH:64M K9F1208
NOR FLASH:1M AM29LV800BE
SDRAM: 64M 2片HY57V561620
在target下面:
這個要根據(jù)實際硬件電路設(shè)置好,當(dāng)初,不明,弄錯了,一直瞎搞,才弄了這么長時間才搞定,
在utilities下面的flash download setup里有一個ram for algorithm 不要設(shè)置錯了,弄錯了,也沒辦法燒寫進(jìn)去,我就是因為這個原因,花了好長時間,直接一次偶然的機會,才搞定,現(xiàn)在想想真是幸運啊.
這應(yīng)該是三星內(nèi)存4KB設(shè)置.
剩下的就是程序的燒寫算法了,只要不弄錯,基本就不會錯了.
由于下載到NADN FLASH 所以還需要注意的是:
調(diào)試命令文件(INI)用于使用軟件仿真和聯(lián)機測試時,以下是幾個常用的命令,用戶可以根據(jù)調(diào)試需要來寫自己的調(diào)試命令文件.
pc=0x00000000
令PC指向0x30000000處;(例程在RAM中運行時指向0x30000000,如果在Flash中運行則指向0x000)
map 0x00000000, 0x04000000 READ WRITE exec
指定某段存儲區(qū)域的屬性為可讀,可寫,可執(zhí)行;
Go startaddr, stopaddr
程序從startaddr開始執(zhí)行,到stopaddr處停止;起始地址都可以缺省. 也可用函數(shù)名表示地址例如 G , main
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