看到手冊上說復(fù)位期間和復(fù)位后，I/O口是浮空輸入。

復(fù)位之后，是ODR的值。而ODR的值在復(fù)位后是0。這樣理解的話就是復(fù)位后是低電平吧？開漏或者推挽模式會(huì)怎么影響呢？

浮空的時(shí)候電平不受ODR控制.
開漏的時(shí)候,也不受ODR控制.
推挽的時(shí)候,受ODR控制.
所以,復(fù)位的時(shí)候,IO電平不高不低的,可能在1.6V左右.

浮空,顧名思義就是浮在空中,上面用繩子一拉就上去了,下面用繩子一拉就沉下去了.
開漏,就等于輸出口接了個(gè)NPN三極管,并且只接了e,b.c極是開路的,你可以接一個(gè)電阻到3.3V,也可以接一個(gè)電阻到5V,這樣,在輸出1的時(shí)候,就可以是5V電壓,也可以是3.3V電壓了.但是不接電阻上拉的時(shí)候,這個(gè)輸出高就不能實(shí)現(xiàn)了.
推挽,就是有推有拉,任何時(shí)候IO口的電平都是確定的,不需要外接上拉或者下拉電阻.

那推挽豈不是無敵了，缺陷呢？

比如你要輸出5V高電平，推挽就達(dá)不到。

開漏為什么不受ODR控制呢？
手冊：開漏模式：輸出寄存器上的’0’激活N-MOS，而輸出寄存器上的’1’將端口置于高阻狀態(tài)(P-MOS從不被激活)。

開漏不是不收ODR控制，還是受控，只是把上方的PMOS給禁止了，靠的是“外力”。