基于33CX201的可控硅快速測(cè)試儀電路圖 作者: 時(shí)間:2016-12-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫(kù)查詢 收藏 如圖所示為可控硅快速測(cè)試電路,主要由555組成。該測(cè)試儀由脈沖信號(hào)發(fā)生器、閉合導(dǎo)通環(huán)路、發(fā)光二極管、可控硅SCR等組成。插上可控硅SCR,當(dāng)按下按鈕AN后,在555輸出高電平時(shí),發(fā)光二極管LED1、電阻R4、可控硅SCR、晶體管BG2形成閉合回路,發(fā)光管LED1發(fā)光;當(dāng)555輸出低電平時(shí),LED2、R4、SCR、BG1形成閉合回路,發(fā)光管LED2發(fā)光,說(shuō)明可控硅是好的。在測(cè)試時(shí)插上可控硅SCR后,發(fā)光管LED1、LED2應(yīng)不亮,否則說(shuō)明T1、T2的兩極已短接。多諧振蕩器,其振蕩頻率為f=1.44/(R1+2R2)C。圖示參數(shù)對(duì)應(yīng)的振蕩頻率約為1Hz。由于R1<脈沖發(fā)生器輸出脈沖的占空比接近1:1。本文引用地址:http://www.ljygm.com/article/201612/334072.htm
評(píng)論