半導體硅晶圓廠環(huán)球晶圓與臺灣交通大學光電工程研究所教授郭浩中及臺灣納米元件實驗室合作，成功開發(fā)出復合晶圓，為未來5G市場預作準備。

　　環(huán)球晶圓這次與郭浩中及臺灣納米元件實驗室合作案，是科學園區(qū)研發(fā)精進產學合作計劃之一，三方合作從基板、晶圓接合、磊晶到高電子移動率晶體管(HEMT)元件制程及驗證技術，成功開發(fā)出高耐壓的復合晶圓。

　　除未來的5G市場外，環(huán)球晶圓指出，這次開發(fā)出的氮化鎵(GaN)磊晶復合晶圓還可應用于電動車市場;另外，環(huán)球晶圓投入碳化硅復合晶圓開發(fā)。

　　環(huán)球晶圓表示，目前相關產品價格依然居高不下，不過，預期2020年需求可望爆發(fā)，近年將逐步布建相關產能。

　　環(huán)球晶圓為世界前三大半導體矽晶圓材料供應商，也是世界唯一同時具有矽基板相關技術與氮化鎵磊晶技術之公司。借由矽基板與氮化鎵磊晶技術創(chuàng)新與垂直整合，除具有成本優(yōu)勢外，也能增加臺灣在氮化鎵元件之技術能力與競爭力。

　　復合晶圓開發(fā)意義

　　具優(yōu)良動態(tài)特性的6存寸復合晶圓高耐壓Emode GaN on Novel SOI HEMT技術，可開發(fā)品質更佳、成本更低、產能倍增的前瞻性產品，加速化合物半導體發(fā)展。

　　這次達成高阻晶體生長，并以AlN為絕緣層，搭配高強度基板作為Handle wafer，完成開發(fā)高強度、高絕緣特性與散熱佳的新型SOI(AlN)基板;另外，也運用磊晶應力調整技術，磊晶后，基板bow,并且結合低損傷蝕刻制程，導入電漿表面處理及新式閘極介電層，成功克服閘極掘入式制程E-mode元件閘極漏電的難題，其動態(tài)特性有明顯的改善，開啟電阻的變化率減少至7.67%。