日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款n溝道TrenchFET^? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現(xiàn)設計目標，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻，工作溫度可達+175 °C以及高連續(xù)漏極電流。節(jié)省空間的PowerPAK^? 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力，有助于提高板級可靠性。

SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導功耗，實現(xiàn)節(jié)能的效果。

為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續(xù)漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %，高度降低57 %。為節(jié)省電路板空間，每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯(lián)的PowerPAK SO-8器件。

器件規(guī)格表：

該Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 °C，性能穩(wěn)定可靠，適用于電源、電機驅動控制、電池管理和電動工具等應用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

封裝對比表:

SiJH600E和SiJH800E現(xiàn)可提供樣品。產(chǎn)品供貨周期和數(shù)量的相關信息，請與Vishay或我們的經(jīng)銷商聯(lián)系。